قائمة معالجات إنتل كور

تصغير|أحدث شعار يروج لعلامة "إنتل كور" التجارية

فيما يلي قائمة **[[قائمة معالجات إنتل|بمعالجات إنتل كور]]**. وتشمل هذه القائمة سلسلة "إنتل كور" الأصلية (سولو/ديو) المخصصة للأجهزة المحمولة والقائمة على بنية "بنتيوم إم" (Pentium M) المجهرية المحسنة؛ بالإضافة إلى المعالجات التي تحمل العلامات التجارية: كور 2 (سولو/ديو/كواد/إكستريم)، وكور i3، وكور i5، وكور i7، وكور i9، وكور M (m3/m5/m7/m9)، وكور 3، وكور 5، وكور 7، وكور 9.

## معالجات الحواسيب المكتبية

### كور 2

تصغير|الوجه الأمامي لمعالج إنتل كور 2 ديو T7500

#### "ألينديل" (65 نانومتر، 800 [[مسرى أمامي]]) <span class="anchor" id=""Allendale" (65 nm)"></span>

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)*
* حجم الجذاذة: 111 ملم2
* مستويات التنقيح: L2، M0، G0

ملاحظة: يتميز المستويان M0 وG0 بتحسينات أفضل لخفض استهلاك الطاقة في وضع الخمول من 12 واط إلى 8 واط.

ملاحظة: يستخدم المعالج E4700 المستوى التنقيحي G0، مما يجعله معالجاً من عائلة "كونرو".

#### "كونرو" (65 نانومتر، 1066 ميجا نقلة/ثانية) <span class="anchor" id=""Conroe" (65 nm)"></span>
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)*
* تدعم جميع الطرازات: Intel VT-x
* حجم الجذاذة: 143 ملم2
* مستويات التنقيح: B2، G0

ملاحظة: من بين معالجات سلسلة E6000، تدعم الطرازات E6550 وE6750 وE6850 فقط تقنية التنفيذ الموثوق (TXT) من إنتل.

ملاحظة: يتميز المستوى L2، والطرازات ذات الرموز SL9ZL وSL9ZF وSLA4U وSLA4T، بتحسينات أفضل لخفض استهلاك الطاقة في وضع الخمول من 22 واط إلى 12 واط.

ملاحظة: يتميز المستويان M0 وG0 بتحسينات أفضل لخفض استهلاك الطاقة في وضع الخمول من 12 واط إلى 8 واط.

#### "كونرو" (65 نانومتر، 1333 ميجا نقلة/ثانية)
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)*
* تدعم جميع الطرازات: Intel VT-x
* تدعم جميع طرازات E6x50: Intel VT-x، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)
* حجم الجذاذة: 143 ملم2
* عدد الترانزستورات: 291 مليون
* مستويات التنقيح: B2، G0

ملاحظة: من بين معالجات سلسلة E6000، تدعم الطرازات E6550 وE6750 وE6850 فقط تقنية التنفيذ الموثوق (TXT) من إنتل.

ملاحظة: يتميز المستوى L2، والطرازات ذات الرموز SL9ZL وSL9ZF وSLA4U وSLA4T، بتحسينات أفضل لخفض استهلاك الطاقة في وضع الخمول من 22 واط إلى 12 واط.

ملاحظة: يتميز المستويان M0 وG0 بتحسينات أفضل لخفض استهلاك الطاقة في وضع الخمول من 12 واط إلى 8 واط.

#### "كونرو-CL" (65 نانومتر، 1066 ميجا نقلة/ثانية)
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* حجم الجذاذة: 111 ملم2 (كونرو)
* مستويات التنقيح: غير معروفة

#### "كونرو إكس إي" (65 نانومتر)

*تتميز هذه الطرازات بمعامل ضرب مفتوح لتردد الساعة، مما يتيح [[تعدي الميقت|كسر سرعة المعالج]].*
* تدعم الطرازات كافة: إم إم إكس، وإس إس إي، وSSE2، وSSE3، وSSSE3، وتقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة، وإنتل 64، وبت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، وتقنية الإدارة النشطة من إنتل، وتقنية المحاكاة الافتراضية من إنتل، وتقنية التنفيذ الموثوق.
* مساحة القالب (الجذاذة): 143 مم²
* مستويات التدرج: B1، B2
* لم يُطرح الطراز X6900 تجارياً للجمهور قط.

#### "كنتسفيلد" (65 نانومتر)

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]*
* حجم الجذاذة: 2 × 143 ملم2
* مستويات التنقيح: B3، G0

#### "كنتسفيلد XE" (65 نانومتر)

*تتميز هذه الطرازات بمعامل ضرب لسرعة الساعة مفتوح [[تعدي الميقت|لتحطيم السرعة]]*
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]*
* حجم الجذاذة: 2 × 143 ملم2
* مستويات التنقيح: B3، G0

#### "وولفديل-3M" (45 نانومتر، 1066 ميجا نقلة/ثانية)
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)*
* حجم الجذاذة: 82 ملم2
* عدد الترانزستورات: 230 مليون
* مستويات التنقيح: M0، R0
* تدعم الطرازات التي تنتهي أرقامها بـ "ML" بدلاً من "M" تقنية Intel VT-x

#### "وولفديل" (45 نانومتر، 1333 ميجا نقلة/ثانية)
* تدعم جميع الطرازات (باستثناء E8190): *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]] ، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-d]] ، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* حجم الجذاذة: 107 ملم2
* عدد الترانزستورات: 410 مليون
* مستويات التنقيح: C0، E0

ملاحظة: لا يدعم المعالجان E8190 وE8290 تقنية Intel VT-d.

ملاحظة 2: يعد المعالج E8700 نموذجاً نادراً جداً في تاريخ إنتل؛ حيث سُحب الطراز من قاعدة بيانات Intel ARK دون إشعار استرداد وبعد تخصيص رمز SSPEC له. وقد رُصدت عينات تعمل يُعتقد أنها أُطلقت لمصنعي المعدات الأصلية (OEM)، لكن لم يُطرح أي منها في حواسيب التجزئة.

انظر أيضاً: تتوفر إصدارات من نفس نواة وولفديل لمقبس LGA 771 تحت العلامة التجارية "زيون دوال كور".

#### "يوركفيلد-6M" (45 نانومتر)
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]] ، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-d]] ، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT) *
* حجم الجذاذة: 2 × 82 ملم2
* مستويات التنقيح: M0، M1، R0
* جميع طرازات Q8xxx هي وحدات "يوركفيلد-6M" متعددة الشرائح (MCM) مع تفعيل 2 × 2 ميجابايت فقط من ذاكرة الكاش L2.

ملاحظة: لا تدعم الطرازات Q8200، Q8200S، Q8300 SLB5W تقنية Intel VT-x.

ملاحظة: لا تدعم الطرازات Q8200، Q8200S، Q8300، Q8400، Q8400S، Q9500 تقنية Intel VT-d.

ملاحظة: لا تدعم الطرازات Q8200، Q8200S، Q8300، Q8400، Q8400S تقنية TXT.

#### يوركفيلد (45 نانومتر)
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|إم إم إكس]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|إس إس إي]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت تعطيل التنفيذ (تطبيق لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-d]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* حجم الجذاذة: 2 × 107 ملم2
* تشير اللاحقة "S" إلى مواصفات استهلاك طاقة منخفض مع قدرة تصميم حراري (TDP) تبلغ 65 واط، وهي تعادل مواصفات معالج "كور 2 ديو" القياسي. جرى توريدها لقنوات مصنعي المعدات الأصلية (OEM) فقط، وغالباً ما شوهدت كخيارات لمنصات الحواسيب صغيرة الحجم (SFF). لم تحمل الدفعة الأولى من معالجات Q9550S علامة "S" على الغطاء، لذا لا يمكن تمييزها إلا من خلال رمز SSPEC.
* مستويات التنقيح: C0، C1، E0

#### بلومفيلد<span class="anchor" id=""Bloomfield" (45 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 1366.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثلاثية القناة بسرعة تصل إلى 1066 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر الجسر الشمالي (Northbridge) الموجود على اللوحة الأم ممرات PCIe، وليس المعالج نفسه.
* تتميز جميع المعالجات بناقل QPI المتصل بمجموعة الشرائح (الجسر الشمالي).
** تبلغ سرعة الناقل 4.8 جيجا نقلة/ثانية في جميع المعالجات، باستثناء طرازات "إكستريم إيديشين" التي تعمل بسرعة 6.4 جيجا نقلة/ثانية.
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 45 نانومتر.
* تتميز معالجات "إكستريم إيديشين" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.

#### كلاركديل<span class="anchor" id=""Clarkdale" (MCP, 32 nm)"></span><span class="anchor" id=""Clarkdale" (MCP, 32 nm dual-core)"></span>
تصغير|لقطة مجهرية لرقاقة معالج إنتل i3 540 (ويستمير)
تصغير|رقاقة وحدة المعالجة المركزية (يسار) ورقاقة معالج الرسوميات المدمج (يمين) لمعالج إنتل i3 540
المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 1156.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثنائية القناة بسرعة تصل إلى 1333 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من ممرات PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 1.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 32 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.

#### جالفتاون<span class="anchor" id=""Gulftown" (32 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 1366.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثلاثية القناة بسرعة تصل إلى 1066 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر الجسر الشمالي (Northbridge) الموجود على اللوحة الأم ممرات PCIe، وليس المعالج نفسه.
* تتميز جميع المعالجات بناقل QPI المتصل بمجموعة الشرائح (الجسر الشمالي).
** تبلغ سرعة الناقل 4.8 جيجا نقلة/ثانية في جميع المعالجات، باستثناء الطرازات التي تحمل اللاحقة "X" التي تعمل بسرعة 6.4 جيجا نقلة/ثانية.
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 32 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "X" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.

### كور i (الجيل الثاني)

#### ساندي بريدج-DT<span class="anchor" id=""Sandy Bridge" (32 nm)"></span><span class="anchor" id=""Sandy Bridge" (dual-core, 32 nm)"></span><span class="anchor" id=""Sandy Bridge" (quad-core, 32 nm)"></span><span class="anchor" id=""Sandy Bridge-DT" (32 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
تصغير|لقطة مجهرية لرقاقة معالج إنتل i5 2500

* المقبس: LGA 1155.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثنائية القناة بسرعة تصل إلى 1333 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من ممرات PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 32 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.
* تتوفر طرازات i3-2120 وi5-2400 وi7-2600 كمعالجات مدمجة (Embedded).
* معالج كور i3-2102، عند ترقيته عبر "خدمة ترقية إنتل"، يعمل بتردد 3.6 جيجاهرتز، ويمتلك ذاكرة كاش L3 بحجم 3 ميجابايت، ويُتعرف عليه باسم كور i3-2153.

### كور i (الجيل الثالث)

#### أيفي بريدج-DT<span class="anchor" id=""Ivy Bridge" (22 nm)"></span><span class="anchor" id=""Ivy Bridge" (dual-core, 22 nm)"></span><span class="anchor" id=""Ivy Bridge" (quad-core, 22 nm)"></span><span class="anchor" id=""Ivy Bridge-DT" (22 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 1155.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثنائية القناة بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من ممرات PCIe. وتدعم طرازات i5 فما فوق هذه الممرات بسرعة PCIe 3.0، بينما تدعم طرازات i3 سرعة PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.
* تتوفر طرازات i3-3220 وi5-3550S وi7-3770 كمعالجات مدمجة (Embedded).

#### ساندي بريدج-إي<span class="anchor" id=""Sandy Bridge-E" (32 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 2011.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 رباعية القناة بسرعة 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 40 مساراً من ممرات PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 32 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" واللاحقة "X" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.

### كور i (الجيل الرابع)

#### هاسويل-DT<span class="anchor" id=""Haswell-DT" (22 nm)"></span><span class="anchor" id=""Haswell-DT" (dual-core, 22 nm)"></span><span class="anchor" id=""Haswell-DT" (quad-core, 22 nm, 4th generation)"></span><span class="anchor" id="Haswell-DT (quad-core, 22 nm)"></span><span class="anchor" id=""Haswell-DT" (quad-core, 22 nm)"></span>
تصغير|لقطة مجهرية لرقاقة معالج إنتل i3 4130 (هاسويل، 22 نانومتر)

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 1150.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثنائية القناة بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من ممرات PCIe 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.
* تتوفر الطرازات التالية كمعالجات مدمجة: i3- 4330، 4350T، 4360، i5- 4570S، 4590T، 4590S، i7- 4770S، 4790S.

#### هاسويل-H<span class="anchor" id=""Haswell-H" (MCP, quad-core, 22 nm)"></span><span class="anchor" id="Haswell-H (MCP, quad-core, 22 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1364 (ملحوم).
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثنائية القناة بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من ممرات PCIe 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* بالإضافة إلى الذاكرة الذكية (ذاكرة كاش L3)، تحتوي معالجات هاسويل-H أيضاً على 128 ميجابايت من eDRAM التي تعمل كذاكرة كاش L4.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.

#### أيفي بريدج-إي<span class="anchor" id=""Ivy Bridge-E" (22 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 2011.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3-1866 رباعية القناة.
* توفر جميع طرازات المعالجات 40 مساراً من ممرات PCIe 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" واللاحقة "X" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.

### كور i (الجيل الخامس)

#### برودويل-H<span class="anchor" id=""Broadwell-H" (quad-core, 14 nm)"></span><span class="anchor" id="Broadwell-H (quad-core, 14 nm)"></span><span class="anchor" id=""Broadwell-DT" (quad-core, 14 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 1150 للمعالجات ذات اللاحقة "C"، وBGA 1364 (ملحوم) للمعالجات ذات اللاحقة "R".
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR3 ثنائية القناة؛ تدعمها المعالجات ذات اللاحقة "C" بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية، بينما تدعمها ذات اللاحقة "R" بسرعة 1866 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من ممرات PCIe 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* بالإضافة إلى الذاكرة الذكية (L3)، تحتوي معالجات برودويل-H أيضاً على 128 ميجابايت من eDRAM التي تعمل كذاكرة كاش L4.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### هاسويل-إي<span class="anchor" id=""Haswell-E" (22 nm)"></span>

المميزات المشتركة:
* المقبس: LGA 2011-3.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة وصول عشوائي DDR4-2133 رباعية القناة.
* يوفر المعالج i7-5820K نحو 28 مساراً من ممرات PCIe 3.0؛ بينما يوفر المعالجان i7-5930K و5960X نحو 40 مساراً من ممرات PCIe 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 المتصل بمجموعة الشرائح (PCH).
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة كاش L1: تبلغ 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة كاش L2: تبلغ 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "K" واللاحقة "X" بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح بتحطيم سرعتها.

### الجيل السادس من معالجات كور آي

#### سكاي ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1151.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-2133 أو دي دي آر 3 إل-1600.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

#### سكاي ليك-إتش

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** BGA 1440 (مثبت باللحام).
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-2133 أو دي دي آر 3 إل-1600.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* بالإضافة إلى ذاكرة الكاش الذكية، تحتوي معالجات "سكاي ليك-إتش" أيضاً على 128 ميجابايت من ذاكرة eDRAM التي تعمل كذاكرة كاش من المستوى الرابع (L4).
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.

#### برودويل-إي

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 2011-3.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي رباعية القنوات من نوع دي دي آر 4-2400.
* يوفر الطراز كور آي 7-6800K عدد 28 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0؛ بينما توفر جميع الطرازات الأخرى 40 مساراً.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* لا تحتوي هذه المعالجات على وحدة معالجة رسوميات مدمجة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تنتهي باللاحقة (K) واللاحقة (X) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

### الجيل السابع من معالجات كور آي

#### كابي ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1151.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-2400 أو دي دي آر 3 إل-1600.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

#### سكاي ليك-إكس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 2066.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي رباعية القنوات من نوع دي دي آر 4-2400. تدعم الطرازات كور آي 7-7820X وما فوقها سرعات تصل إلى 2666 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر طرازات كور آي 7 عدد 28 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0؛ بينما توفر طرازات كور آي 9 عدد 44 مساراً.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* لا تحتوي هذه المعالجات على وحدة معالجة رسوميات مدمجة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 1 ميجابايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تنتهي باللاحقة (X) واللاحقة (XE) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

#### كابي ليك-إكس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 2066.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-2666.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* لا تحتوي هذه المعالجات على وحدة معالجة رسوميات مدمجة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (X) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

### الجيل الثامن من معالجات كور آي

#### كوفي ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1151-2.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4 بسرعة تصل إلى 2400 ميجا نقلة في الثانية؛ بينما تدعم طرازات كور آي 5 وما فوقها سرعات تصل إلى 2666 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

### الجيل التاسع من معالجات كور آي

#### كوفي ليك-آر

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1151-2.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4 بسرعة تصل إلى 2400 ميجا نقلة في الثانية؛ بينما تدعم طرازات كور آي 5 وما فوقها سرعات تصل إلى 2666 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* **[[ذاكرة وحدة المعالجة المركزية|ذاكرة الكاش]] من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* يتميز المعالج i9-9900KS بتردد معزز يصل إلى 5.0 جيجاهرتز لجميع الأنوية.

[Image of CPU cache levels hierarchy L1 L2 L3]

#### سكاي ليك-إكس (9xxx)

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 2066.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي رباعية القنوات من نوع دي دي آر 4-2666.
* توفر جميع طرازات المعالجات 44 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* لا تحتوي هذه المعالجات على وحدة معالجة رسوميات مدمجة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 1 ميجابايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تنتهي باللاحقة (X) واللاحقة (XE) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

### الجيل العاشر من معالجات كور آي

#### كوميت ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1200.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4 بسرعة تصل إلى 2666 ميجا نقلة في الثانية؛ بينما تدعم طرازات كور آي 7 وما فوقها سرعات تصل إلى 2933 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 رباعي المسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* تدعم طرازات كور آي 9 وكور آي 7 تقنية "تربو بوست 3.0"، بينما تكتفي طرازات كور آي 5 وكور آي 3 بدعم "تربو بوست 2.0". تمثل ترددات التربو المعروضة أعلى نسخة معززة يدعمها المعالج.

#### تحديث كوميت ليك-إس

أُطلقت في نفس يوم إطلاق معالجات الجيل الحادي عشر المكتبية "روكيت ليك-إس".

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1200.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-2666.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 رباعي المسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 256 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تدعم جميع الطرازات تقنية "تربو بوست 2.0".

#### كاسكيد ليك-إكس (10xxx)

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 2066.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي رباعية القنوات من نوع دي دي آر 4-2933.
* توفر جميع طرازات المعالجات 48 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* لا تحتوي هذه المعالجات على وحدة معالجة رسوميات مدمجة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 1 ميجابايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تنتهي باللاحقة (X) واللاحقة (XE) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.

### الجيل الحادي عشر من معالجات كور آي

#### روكيت ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1200.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-3200. تفعّل معالجات "كور آي 9" من فئتي (K) و(KF) نسبة (1:1) بين ذاكرة الوصول العشوائي ومتحكم الذاكرة افتراضياً عند تردد 3200، بينما تفعّل معالجات "كور آي 9" العادية وبقية المعالجات المذكورة أدناه نسبة (2:1) افتراضياً عند تردد 3200، ونسبة (1:1) افتراضياً عند تردد 2933.
* توفر جميع طرازات المعالجات 20 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 بثمانية مسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **[[ذاكرة وحدة المعالجة المركزية|ذاكرة الكاش]] من المستوى الأول (L1):** 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 512 كيلوبايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 14 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* تدعم طرازات "كور آي 9" و"كور آي 7" تقنية "تربو بوست 3.0"، بينما تدعم طرازات "كور آي 5" تقنية "تربو بوست 2.0" فقط. تمثل ترددات التربو المعروضة أعلى نسخة معززة يدعمها المعالج.

#### تايجر ليك-بي

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** BGA 1787 (مثبت باللحام).
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-3200.
* توفر جميع طرازات المعالجات 20 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 4.0.
* تعتمد جميع المعالجات على ناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الأول (L1):** 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):** 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* **تقنية التصنيع:** 10 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* بِيعت هذه المعالجات لمصنعي المعدات الأصلية فقط.

### الجيل الثاني عشر من معالجات كور آي

#### آلدر ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1700.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-3200 أو دي دي آر 5-4800.
* توفر جميع المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 5.0 و4 مسارات لـ بي سي آي إكسبريس 4.0، إلا أن الدعم قد يختلف حسب اللوحة الأم وأطقم الرقاقات.
* تعتمد جميع المعالجات ناقل DMI 4.0 بثمانية مسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **[[ذاكرة وحدة المعالجة المركزية|ذاكرة الكاش]] من المستوى الأول (L1):**
** **أنوية الأداء:** 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** **أنوية الكفاءة:** 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):**
** **أنوية الأداء:** 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** **أنوية الكفاءة:** 2 ميجابايت لكل مجمع من أنوية الكفاءة (يحتوي كل "مجمع" على أربع أنوية).
* **تقنية التصنيع:** إنتل 7.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* تدعم طرازات كور آي 9 وكور آي 7 تقنية "تربو بوست 3.0" على أنوية الأداء، بينما تكتفي طرازات كور آي 5 بدعم "تربو بوست 2.0". تمثل ترددات التربو المعروضة أعلى نسخة معززة يدعمها المعالج.

### الجيل الثالث عشر من معالجات كور آي

#### رابتور ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1700.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-3200 أو دي دي آر 5-5600.
* توفر جميع المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 5.0 و4 مسارات لـ بي سي آي إكسبريس 4.0، إلا أن الدعم قد يختلف حسب اللوحة الأم وأطقم الرقاقات.
* تعتمد جميع المعالجات ناقل DMI 4.0 بثمانية مسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **[[ذاكرة وحدة المعالجة المركزية|ذاكرة الكاش]] من المستوى الأول (L1):**
** **أنوية الأداء:** 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** **أنوية الكفاءة:** 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):**
** **أنوية الأداء:** 2 ميجابايت لكل نواة في طرازات i5-13600K/KF فما فوق، و1.25 ميجابايت لكل نواة في طرازات 13600 فما دون.
** **أنوية الكفاءة:** 4 ميجابايت لكل مجمع من أنوية الكفاءة في طرازات i5-13600K/KF فما فوق، و2 ميجابايت لكل مجمع في طرازات 13600 فما دون (يحتوي كل مجمع على أربع أنوية).
* **تقنية التصنيع:** إنتل 7.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* تدعم طرازات كور آي 9 وكور آي 7 تقنية "تربو بوست 3.0" على أنوية الأداء، بينما تكتفي طرازات كور آي 5 بدعم "تربو بوست 2.0". تمثل ترددات التربو المعروضة أعلى نسخة معززة يدعمها المعالج.

### الجيل الرابع عشر من معالجات كور آي

#### تحديث رابتور ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1700.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع دي دي آر 4-3200 أو دي دي آر 5-5600.
* توفر جميع المعالجات 16 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 5.0 و4 مسارات لـ بي سي آي إكسبريس 4.0، إلا أن الدعم قد يختلف حسب اللوحة الأم وأطقم الرقاقات.
* تعتمد جميع المعالجات ناقل DMI 4.0 بثمانية مسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **[[ذاكرة وحدة المعالجة المركزية|ذاكرة الكاش]] من المستوى الأول (L1):**
** **أنوية الأداء:** 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** **أنوية الكفاءة:** 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):**
** **أنوية الأداء:** 2 ميجابايت لكل نواة في طرازات i5-14600/T/K/KF فما فوق، و1.25 ميجابايت لكل نواة في طرازات 14500 فما دون.
** **أنوية الكفاءة:** 4 ميجابايت لكل مجمع من أنوية الكفاءة في طرازات i5-14600/T/K/KF فما فوق، و2 ميجابايت لكل مجمع في طرازات 14500 فما دون (يحتوي كل مجمع على أربع أنوية).
* **تقنية التصنيع:** إنتل 7.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* تدعم طرازات كور آي 9 وكور آي 7 تقنية "تربو بوست 3.0" على أنوية الأداء، بينما تكتفي طرازات كور آي 5 بدعم "تربو بوست 2.0". تمثل ترددات التربو المعروضة أعلى نسخة معززة يدعمها المعالج.

### كور ألترا (السلسلة 2)

#### آرو ليك-إس

**الميزات المشتركة:**
* **المقبس:** LGA 1851.
* تدعم جميع المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات حتى تردد DDR5-5600 (بنوع UDIMM) أو DDR5-6400 (بنوع CUDIMM).
* توفر جميع المعالجات 20 مساراً لـ بي سي آي إكسبريس 5.0 و4 مسارات لـ بي سي آي إكسبريس 4.0، إلا أن الدعم قد يختلف حسب اللوحة الأم وأطقم الرقاقات.
* تعتمد جميع المعالجات ناقل DMI 4.0 بثمانية مسارات للاتصال بطقم الرقاقات.
* **[[ذاكرة وحدة المعالجة المركزية|ذاكرة الكاش]] من المستوى الأول (L1):**
** **أنوية الأداء:** 112 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** **أنوية الكفاءة:** 96 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* **ذاكرة الكاش من المستوى الثاني (L2):**
** **أنوية الأداء:** 3 ميجابايت لكل نواة.
** **أنوية الكفاءة:** 4 ميجابايت لكل مجمع من أنوية الكفاءة (يحتوي كل مجمع على أربع أنوية).
* **تقنية التصنيع:** أُنتِجت بلاطة الحوسبة (التي تضم أنوية المعالج) بدقة تصنيع N3B من شركة تي إس إم سي.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة (K) بمعامل ضرب مفتوح، مما يتيح كسر سرعتها.
* تدعم طرازات كور ألترا 9 وكور ألترا 7 تقنية "تربو بوست 3.0" على أنوية الأداء، بينما تكتفي طرازات كور ألترا 5 بدعم "تربو بوست 2.0". تمثل ترددات التربو المعروضة أعلى نسخة معززة يدعمها المعالج.

## معالجات الأجهزة المحمولة

### كور

#### يونا<span class="anchor" id=""Yonah""></span><span class="anchor" id=""Yonah" (65 nm)"></span><span class="anchor" id=""Yonah" (low-voltage, 65 nm)"></span><span class="anchor" id=""Yonah" (ultra-low-voltage, 65 nm)"></span>

### كور 2

تصغير|الجزء الداخلي لحاسوب سوني فايو  محمول قديم (طراز VGN-C140G)

#### "ميروم-إل" (65 نانومتر) <span class="anchor" id=""Merom-L" (ultra-low-voltage, 65 nm)"></span>

* جميع الطرازات تدعم: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* حجم الجذاذة: 81 ملم2
* الخطوات: A1

#### "ميروم"، "ميروم-2M" (جهد قياسي، 65 نانومتر) <span class="anchor" id=""Merom-2M" (standard-voltage, 65 nm)"></span><span class="anchor" id=""Merom" (standard-voltage, 65 nm)"></span><span class="anchor" id="T7600"></span>

* جميع الطرازات تدعم: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)*
* يتميز طراز T7600G بمعامل ضرب مفتوح، ولم يُبع إلا عبر الشركات المصنعة (OEM) في حاسوب ديل إكس بي إس .
* *[[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]*: مدعومة في T5500 (L2) وT5600 وجميع طرازات T7xxx.
* *تبديل تردد الناقل الأمامي الديناميكي من إنتل*: مدعوم في الخطوات E1 وG0 وG2 وM0.
* يمكن لمعالجات "مقبس بي" خفض تردد الناقل الأمامي (FSB) ليتراوح بين 400 و800 ميجا نقلة/ثانية حسب الحاجة.
* حجم الجذاذة: 143 ملم2 (ميروم)، 111 ملم2 (ميروم-2M).
* الخطوات: B2، E1، G0، G2 (ميروم)، L2، M0 (ميروم-2M).
* أُطلقت جميع طرازات الخطوة B2 في يوليو 2006، بينما أُطلقت الخطوة L2 في يناير 2007.

انظر أيضًا: تتوفر إصدارات من نواة "ميروم-2M" نفسها مع تعطيل نصف ذاكرة المستوى الثاني (L2) تحت العلامة التجارية "بينتيوم دوال كور".

#### "ميروم" (جهد منخفض، 65 نانومتر)

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* *تبديل تردد الناقل الأمامي الديناميكي من إنتل*: مدعوم في الخطوات E1 وG0 وG2.
* حجم الجذاذة: 143 ملم2.
* الخطوات: B2، E1، G0، G2.

#### "ميروم-2M" (جهد منخفض للغاية، 65 نانومتر)

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]*
* حجم الجذاذة: 111 ملم2.
* الخطوات: L2، M0.

#### "ميروم XE" (65 نانومتر) <span class="anchor" id=""Merom XE" (standard-voltage, 65 nm)"></span>

*تتميز هذه الطرازات بمعامل ضرب مفتوح لـ[[كسر السرعة|تعدي الميقت]]*
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)، تبديل تردد الناقل الأمامي الديناميكي من إنتل*
* تدعم معالجات "ميروم XE" خفض تردد الناقل الأمامي الديناميكي ليتراوح بين 400 و800 ميجا نقلة/ثانية.
* حجم الجذاذة: 143 ملم2.
* الخطوات: E1، G0.

#### "بينرين-L" (45 نانومتر) <span class="anchor" id=""Penryn-L" (ultra-low-voltage, 45 nm, Small Form Factor)"></span>

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)، تسريع إنتل الديناميكي (IDA)*
* يمكن لمعالجات مقبس P خفض تردد الناقل الأمامي (FSB) ليتراوح بين 400 و800 ميجا نقلة/ثانية حسب الحاجة.
* حجم الجذاذة: 82 ملم2.
* تحتوي على 228 مليون ترانزستور.
* حجم العبوة: 22 ملم × 22 ملم.
* الخطوات: M0، R0.

#### "بينرين" (خاص بأجهزة أبل آي ماك، 45 نانومتر)

* حجم الجذاذة: 107 ملم2.
* استخدمت أجهزة آي ماك (iMac) قياس 20 بوصة لعام 2008 معالجات E8135 وE8335 بتردد ساعة أقل من المواصفات المحددة، وهو ما يفسر استخدام الطراز نفسه بترددات مختلفة؛ وتوضح هذه القائمة الترددات التي اعتمدتها شركة أبل.
* الخطوات: C0، E0.

#### "بينرين"، "بينرين-3M" (جهد قياسي، 45 نانومتر) <span class="anchor" id=""Penryn-2M" (standard-voltage, 45 nm)"></span><span class="anchor" id=""Penryn-3M" (standard-voltage, 45 nm)"></span><span class="anchor" id=""Penryn" (standard-voltage, 45 nm)"></span>

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، تسريع إنتل الديناميكي (IDA)*
* تدعم الطرازات T6570 وT6670 وجميع طرازات T8xxx وT9xxx تقنية Intel VT-x.
* تدعم جميع طرازات T9xxx تقنية التنفيذ الموثوق (TXT).
* طرازات T6xxx هي معالجات "بينرين-3M" مع تعطيل 1 ميجابايت من ذاكرة المستوى الثاني (L2).
يُلاحظ أن الطرازات T8100 وT8300 وT9300 وT9500 هي معالجات "بينرين" صُممت لمنصات "سانتا روزا ريفريش"  بحد أقصى للناقل الأمامي يبلغ 800 ميجا نقلة/ثانية، بينما صُممت بقية معالجات "بينرين" لمنصات "مونتيفينا"  التي يمكن أن تصل إلى 1066 ميجا نقلة/ثانية.

تدعم معالجات "بينرين" خفض تردد الناقل الأمامي الديناميكي بين 400 و800 ميجا نقلة/ثانية.
* حجم الجذاذة: 107 ملم2 (بينرين)، 82 ملم2 (بينرين-3M).
* الخطوات: C0، E0 (بينرين) M0، R0 (بينرين-3M).

#### "بينرين"، "بينرين-3M" (جهد متوسط، 45 نانومتر) <span class="anchor" id=""Penryn" (medium-voltage, 45 nm)"></span><span class="anchor" id=""Penryn-3M" (medium-voltage, 45 nm)"></span>

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|تقنية Intel VT-x]] (باستثناء الطرازات P7350 وP7450 غير المخصصة لماك)، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)، تسريع إنتل الديناميكي (IDA)*
* تدعم مجموعات فرعية مختارة من أجهزة أبل بمعالجات فئة P7000 تقنية Intel VT-x.
* تدعم معالجات "بينرين" و"بينرين-3M" خفض تردد الناقل الأمامي الديناميكي بين 533 و1066 ميجا نقلة/ثانية.
* حجم الجذاذة: 107 ملم2 (بينرين)، 82 ملم2 (بينرين-3M).
* حجم العبوة: 35 ملم × 35 ملم.
* الترانزستورات: 410 ملايين.
* الخطوات: (خطوات معمارية كور بدقة 45 نانومتر):
** C0، E0 (بينرين)
** M0، R0 (بينرين-3M)
** الخطوة C0/M0 تُستخدم فقط في منصة "إنتل موبايل 965 إكسبريس" (سنترينو).
** الخطوة E0/R0 تضيف تعليمتين جديدتين (XSAVE/XRSTOR) وتدعم منصة "إنتل موبايل 4 إكسبريس" (سنترينو) اللاحقة.

#### "بينرين" (جهد متوسط، 45 نانومتر، عامل شكل صغير)

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)، تسريع إنتل الديناميكي (IDA)*
* حجم الجذاذة: 107 ملم2.
* حجم العبوة: 22 ملم × 22 ملم.
* الخطوات: C0، E0.

#### "بينرين" (جهد منخفض، 45 نانومتر، عامل شكل صغير)

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)، تسريع إنتل الديناميكي (IDA)*
* حجم الجذاذة: 107 ملم2.
* حجم العبوة: 22 ملم × 22 ملم.
* الخطوات: C0، E0.

#### "بينرين-3M" (جهد منخفض للغاية، 45 نانومتر، عامل شكل صغير)

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT) (باستثناء SU7300)، تسريع إنتل الديناميكي (IDA)*
* حجم الجذاذة: 107 ملم2.
* حجم العبوة: 22 ملم × 22 ملم.
* الخطوات: M0، R0.

#### "بينرين XE" (45 نانومتر) <span class="anchor" id=""Penryn XE" (standard-voltage, 45 nm)"></span>

*تتميز هذه الطرازات بمعامل ضرب مفتوح لـ[[كسر السرعة|تعدي الميقت]]*
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* تدعم معالجات "بينرين XE" خفض تردد الناقل الأمامي الديناميكي بين 400-800 و533-1066 ميجا نقلة/ثانية.
* حجم الجذاذة: 107 ملم2.
* الخطوات: C0، E0.

#### "بينرين رباعي النوى" (45 نانومتر) <span class="anchor" id=""Penryn QC" (standard-voltage, 45 nm)"></span>

* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* يمكن خفض تردد الناقل الأمامي (FSB) ليتراوح بين 533 و1066 ميجا نقلة/ثانية حسب الحاجة.
* حجم الجذاذة: 2 × 107 ملم2.
* الخطوات: E0.

#### "بينرين رباعي النوى XE" (45 نانومتر) <span class="anchor" id=""Penryn QC XE" (standard-voltage, 45 nm)"></span>

* يتميز هذا الطراز بمعامل ضرب مفتوح لـتعدي الميقت، ويتم التحكم فيه عادةً من خلال نظام الإدخال والإخراج الأساسي (BIOS)، إلا أن بعض الشركات المصنعة (مثل هيوليت-باكارد) لا تفعّل هذه الميزة في حواسيبها المحمولة التي تستخدم هذا المعالج.
* تدعم جميع الطرازات: *[[إم إم إكس (مجموعة تعليمات)|MMX]]، [[تذفق اس آي ام دي المعززة (اس اس اي)|SSE]]، SSE2، SSE3، SSSE3، SSE4.1، تقنية إنتل سبيد ستيب المحسنة (EIST)، [[إكس86-64|إنتل 64]]، بت الحماية XD (تنفيذ لبت NX)، [[تقنية الإدارة النشطة من إنتل]] (iAMT2)، [[المحاكاة الافتراضية إكس86|Intel VT-x]]، تقنية التنفيذ الموثوق (TXT)*
* يمكن خفض تردد الناقل الأمامي (FSB) ليتراوح بين 533 و1066 ميجا نقلة/ثانية حسب الحاجة.
* حجم العبوة: 35 ملم × 35 ملم.
* حجم الجذاذة: 2 × 107 ملم2.
* الخطوات: E0.

### إنتل كور آي (الجيل الأول)

#### كلاركسفيلد

الميزات المشتركة:
* المقبس: G1.
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة الوصول العشوائي DDR3-1333 ثنائية القنوات.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 1.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* لا تتوفر معالجات رسوميات مدمجة.
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 45 نانومتر.
* تتميز المعالجات التي تحمل اللاحقة "XM" بمعامل ضرب مفتوح ويمكن كسر سرعتها.

#### أرانديل

الميزات المشتركة:
* المقبس: تتوفر جميع الطرازات (باستثناء i3-380M) في حزمة BGA-1288؛ كما تتوفر الطرازات التي تحمل اللاحقة "M" (باستثناء اللاحقتين UM وLM) في مقبس G1.
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة الوصول العشوائي DDR3 ثنائية القنوات. تدعمها جميع الطرازات بسرعة 800 ميجا نقلة/ثانية، بينما تدعم الطرازات ذات اللاحقة M وLM سرعات تصل إلى 1066 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 1.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 32 نانومتر.

### إنتل كور آي (الجيل الثاني)

#### ساندي بريدج-M

الميزات المشتركة:
* المقبس: G2، وBGA 1023 (طرازات ثنائية النوى)، وBGA 1224 (طرازات رباعية النوى).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة الوصول العشوائي DDR3 ثنائية القنوات. تدعمها جميع الطرازات بسرعة 1333 ميجا نقلة/ثانية، بينما تدعم معالجات i7-2720QM وما فوقها سرعات تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* توفر جميع طرازات المعالجات 16 مساراً من PCIe 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 32 نانومتر.
* تتميز الطرازات ذات اللاحقة "XM" بمعامل ضرب مفتوح ويمكن كسر سرعتها.

### إنتل كور آي (الجيل الثالث)
#### Ivy Bridge <span class="anchor" id=""Ivy Bridge" (22 nm)"></span>
تصغير|صورة للجذاذة المجهرية لمعالج إنتل i5 3230M (معمارية إيفي بريدج)
الميزات المشتركة:
* المقبس: G2، وBGA 1023 (الطرازات ثنائية النوى)، وBGA 1224 (الطرازات رباعية النوى).
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3 أو DDR3L بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe، باستثناء الطرازات التي تحمل اللاحقة Y التي لا تدعم PCIe. وتدعم الطرازات ذات اللواحق M وQM وXM من فئتي i5 وi7 ذلك بسرعات PCIe 3.0، بينما تدعم جميع الطرازات الأخرى ذلك بسرعات PCIe 2.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* الطرازات ذات اللاحقة XM تملك معامل ضرب مفتوح ويمكن كسر سرعتها.

### Core i (الجيل الرابع)

#### Haswell-MB <span class="anchor" id=""Haswell-MB" (22 nm)"></span>
الميزات المشتركة:
* المقبس: G3.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe. وتدعم طرازات i5 وi7 ذلك بسرعات PCIe 3.0، بينما تدعم طرازات i3 ذلك بسرعات PCIe 2.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* الطرازات ذات اللاحقة MX تملك معامل ضرب مفتوح ويمكن كسر سرعتها.

#### Haswell-H <span class="anchor" id=""Haswell-H" (dual-core, 22 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1364.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* الطرازات المزودة بمعالج رسوميات مدمج Iris Pro 5200 تتميز أيضاً بوجود 128 ميجابايت من eDRAM، والتي تعمل بمثابة ذاكرة كاش من المستوى الرابع (L4).
* عملية التصنيع: 22 نانومتر.
* المعالج i7-4950HQ يأتي بمعامل ضرب مفتوح، مما يسمح للمستخدمين بكسر سرعته بما يتجاوز تردد الساعة المحدد من المصنع.

### Core i (الجيل الخامس)

#### Broadwell-U <span class="anchor" id=""Broadwell-U" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1168.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L أو LPDDR3 بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية. الطرازات i5-5350U أو ما فوقها، بالإضافة إلى جميع طرازات ix-5xx7، تدعم LPDDR3 بسرعة تصل إلى 1866 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 12 مساراً من مسارات PCIe 2.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Broadwell-H <span class="anchor" id=""Broadwell-H" (dual-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1364.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L أو LPDDR3 بسرعة تصل إلى 1866 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* الطرازات المزودة بمعالج رسوميات مدمج Iris Pro 6200 تتميز أيضاً بوجود 128 ميجابايت من eDRAM، والتي تعمل بمثابة ذاكرة كاش من المستوى الرابع (L4).
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### Core M (الجيل الخامس)

#### Broadwell-Y <span class="anchor" id=""Broadwell-Y" (SoC, dual-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1234.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L أو DDR3L-RS أو LPDDR3 بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 12 مساراً من مسارات PCIe 2.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 2.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### إنتل كور آي (الجيل السادس)

#### Skylake-U <span class="anchor" id=""Skylake-U" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1356.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2133، أو DDR3L-1600، أو LPDDR3-1866.
* جميع طرازات المعالجات توفر 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Skylake-H <span class="anchor" id=""Skylake-H" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1440.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2133، أو DDR3L-1600، أو LPDDR3-1866.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* الطرازات المزودة بمعالج رسوميات مدمج Iris Pro 580 تتميز أيضاً بوجود 128 ميجابايت من eDRAM، والتي تعمل بمثابة ذاكرة كاش من المستوى الرابع (L4).
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

### Core M (الجيل السادس)

#### Skylake-Y <span class="anchor" id=""Skylake-Y" (SoC, dual-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1515.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L-1600 أو LPDDR3-1866.
* جميع طرازات المعالجات توفر 10 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### Core i (الجيل السابع)

#### Kaby Lake-U <span class="anchor" id=""Kaby Lake-U" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1356.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2133، أو DDR3L-1600، أو LPDDR3-1866.
* جميع طرازات المعالجات توفر 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Kaby Lake-H <span class="anchor" id=""Kaby Lake-H" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1440.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2400، أو DDR3L-1600، أو LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

#### Kaby Lake-Y <span class="anchor" id=""Kaby Lake-Y" (dual-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1515.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع LPDDR3-1866 أو DDR3L-1600.
* جميع طرازات المعالجات توفر 10 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### Core M (الجيل السابع)

#### Kaby Lake-Y <span class="anchor" id=""Kaby Lake-Y" (SoC, dual-core, 14 nm)"></span>

تم تغيير العلامة التجارية لطرازات Core m5 و Core m7 لتصبح Core i5 و Core i7.

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1515.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L-1600 أو LPDDR3-1866.
* جميع طرازات المعالجات توفر 10 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### Core i (الجيل الثامن)

#### Coffee Lake-U <span class="anchor" id=""Coffee Lake-U" (dual-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1528.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2400 أو LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Coffee Lake-H <span class="anchor" id=""Coffee Lake-H" (quad-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1440.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2666. الطرازات i5-8300H وما فوقها تدعم أيضاً ذاكرة LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

#### Coffee Lake-B <span class="anchor" id=""Coffee Lake-B" (quad-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1440.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2666.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Kaby Lake Refresh <span class="anchor" id=""Kaby Lake Refresh" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1356.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2400 أو LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Kaby Lake-G <span class="anchor" id=""Kaby Lake-G" (quad-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 2270.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2400.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* معالجات Kaby Lake-G تملك وحدة معالجة رسوميات Radeon RX Vega M منفصلة ومضمنة كما هو موضح في الجدول أدناه، والتي تملك ذاكرة HBM2 VRAM مضمنة أيضاً في حزمة المعالج.
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Amber Lake-Y <span class="anchor" id=""Amber Lake-Y" (dual-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1515.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع LPDDR3-1866 أو DDR3L-1600.
* جميع طرازات المعالجات توفر 10 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Whiskey Lake-U <span class="anchor" id=""Whiskey Lake-U" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1528.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2400 أو LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Cannon Lake-U <span class="anchor" id=""Cannon Lake-U" (10 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1528.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2400 أو LPDDR4(x)-2400.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.

### Core M (الجيل الثامن)

#### Amber Lake-Y

تم تغيير العلامة التجارية لطرازات Core m5 و Core m7 لتصبح Core i5 و Core i7.

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1515.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L-1600 أو LPDDR3-1866.
* جميع طرازات المعالجات توفر 10 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### Core i (الجيل التاسع)

#### Coffee Lake-H (تحديث)

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1440.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2666 أو LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

### Core i (الجيل العاشر)

#### Comet Lake-U <span class="anchor" id=""Comet Lake-U" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1528.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-2666، أو LPDDR4-2933، أو LPDDR3-2133.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

#### Comet Lake-H <span class="anchor" id=""Comet Lake-H" (14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1440.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4 بسرعة تصل إلى 2933 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

#### Ice Lake-U <span class="anchor" id=""Ice Lake-U" (dual-core, 10 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1526، باستثناء الطرازات التي تحتوي على الحرف 'N' في اسمها والتي تستخدم حزمة BGA 1344 أصغر.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-3200 أو LPDDR4-3733.
* دعم PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 512 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.

#### Ice Lake-Y <span class="anchor" id=""Ice Lake-Y" (dual-core, 10 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1377، باستثناء الطرازات التي تحتوي على الحرف 'N' في اسمها والتي تستخدم حزمة BGA 1044 أصغر.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع LPDDR4 بسرعة تصل إلى 3733 ميجا نقلة/ثانية.
* دعم PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 512 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.

#### Amber Lake-Y (10xxx) <span class="anchor" id=""Amber Lake-Y" (quad-core, 14 nm)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1377، باستثناء i3-10100Y الذي يستخدم حزمة BGA أصغر باسم غير معروف.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR3L-1600 أو LPDDR3-1866. الطرازات i3-10110Y وما فوقها تدعم LPDDR3 بسرعة تصل إلى 2133 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 10 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 256 كيلوبايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 14 نانومتر.

### إنتل كور آي (الجيل الحادي عشر)

#### Tiger Lake-UP3 <span class="anchor" id=""Tiger Lake-UP3" (10 nm SuperFin)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1449.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-3200 أو LPDDR4X-3733. تدعم طرازات i5 وما فوقها LPDDR4X بسرعة تصل إلى 4266 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 4 مسارات من مسارات PCIe 4.0، بالإضافة إلى PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.
* تردد الساعة الأساسي الذي يعمل به المعالج يتوافق مع إعداد طاقة التصميم الحرارية القابلة للتخصيص (cTDP) المختار.

#### Tiger Lake-UP4 <span class="anchor" id=""Tiger Lake-UP4" (10 nm SuperFin)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1598.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 4 مسارات من مسارات PCIe 4.0، بالإضافة إلى PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.
* تردد الساعة الأساسي الذي يعمل به المعالج يتوافق مع إعداد طاقة التصميم الحرارية القابلة للتخصيص (cTDP) المختار.

#### Tiger Lake-H <span class="anchor" id=""Tiger Lake-H" (10 nm SuperFin)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1598.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-3200.
* جميع طرازات المعالجات توفر 20 مساراً من مسارات PCIe 4.0، بالإضافة إلى 24 مساراً من PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.
* تردد الساعة الأساسي الذي يعمل به المعالج يتوافق مع إعداد طاقة التصميم الحرارية القابلة للتخصيص (cTDP) المختار.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

#### Tiger Lake-H35 <span class="anchor" id=""Tiger Lake-H35" (10 nm SuperFin)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1449.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR4-3200 أو LPDDR4X-4266.
* دعم PCIe 4.0؛ مسارات PCIe الـ 12 التي يوفرها الـ PCH المدمج هي من الإصدار 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 3.0 للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* عملية التصنيع: 10 نانومتر.
* تردد الساعة الأساسي الذي يعمل به المعالج يتوافق مع إعداد طاقة التصميم الحرارية القابلة للتخصيص (cTDP) المختار.

### إنتل كور آي (الجيل الثاني عشر)

#### Alder Lake-U <span class="anchor" id=""Alder Lake-U" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1781 (لطرازات ix-12x0U)، وBGA 1744 (لطرازات ix-12x5U).
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع LPDDR5-5200 أو LPDDR4X-4266. طرازات ix-12x5U تدعم أيضاً ذاكرة DDR5-4800 وDDR4-3200 ثنائية القنوات.
* طرازات ix-12x0 توفر 4 مسارات من مسارات PCIe 4.0 و8 مسارات من PCIe 3.0، بينما طرازات ix-12x5U توفر 8 مسارات من PCIe 4.0 و12 مساراً من PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.

#### Alder Lake-P <span class="anchor" id=""Alder Lake-P" (Intel 7)"></span>

[Image of Intel Alder Lake processor architecture]

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1744.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-4800، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-5200، أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 4.0 و 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* تتوفر الطرازات التالية مع وحدة معالجة الصور (IPU): i5-1235U، و i3-1215U. المواصفات بينها وبين المعالج المقابل بدون IPU متطابقة تماماً، باستثناء إضافة وحدة معالجة الصور.

#### Alder Lake-H <span class="anchor" id=""Alder Lake-H" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1744.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-4800، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-5200، أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 4.0، بالإضافة إلى 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

#### Alder Lake-HX <span class="anchor" id=""Alder Lake-HX" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1964.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-4800 أو DDR4-3200.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 5.0 و 4 مسارات من PCIe 4.0، بالإضافة إلى 16 مساراً من PCIe 4.0 و 12 مساراً من PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات المدمج (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* طرازات i9 تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.

#### Alder Lake-N <span class="anchor" id=""Alder Lake-N" (Intel 7)"></span>

هذه في الأساس وحدات معالجة مركزية "نوى كفاءة فقط"، تستخدم بنية Gracemont.

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1264.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-4800، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-4800.
* جميع طرازات المعالجات توفر 9 مسارات من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2): 2 ميجابايت لكل عنقود (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.

### إنتل كور آي (الجيل الثالث عشر)

#### Raptor Lake-U <span class="anchor" id=""Raptor Lake-U" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1744.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5200، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-6400، أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 4.0 و 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* معالج i3-1315U متوفر مع وحدة معالجة الصور (IPU). المواصفات بينه وبين المعالج المقابل بدون IPU متطابقة تماماً، باستثناء إضافة وحدة معالجة الصور.

#### Raptor Lake-P <span class="anchor" id=""Raptor Lake-P" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1744.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5200، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-6400، أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 4.0 و 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): (حتى) 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): (حتى) 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.

#### Raptor Lake-H <span class="anchor" id=""Raptor Lake-H" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1744.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5200، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-6400، أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 5.0 و 8 مسارات من PCIe 4.0، بالإضافة إلى 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* المعالجات التي تحمل اللاحقة K تملك معامل ضرب مفتوح، مما يسمح بكسر سرعتها.
* المعالج i5-13500H متوفر مع وحدة معالجة الصور (IPU). المواصفات بينه وبين المعالج المقابل بدون IPU متطابقة تماماً، باستثناء إضافة وحدة معالجة الصور.

#### Raptor Lake-PX <span class="anchor" id=""Raptor Lake-PX" (Intel 7)"></span>

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1792.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5200، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-6400 أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 5.0 و 8 مسارات من PCIe 4.0، بالإضافة إلى 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.

#### Raptor Lake-HX <span class="anchor" id=""Raptor Lake-HX" (Intel 7)"></span>

[Image of Intel Raptor Lake-HX series die architecture showing high core count]

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1964.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-4800 أو DDR4-3200. الطرازات i7-13850HX وما فوقها تدعم ذاكرة DDR5 بسرعة تصل إلى 5600 ميجا نقلة/ثانية.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 5.0 و 4 مسارات من PCIe 4.0، بالإضافة إلى 16 مساراً من PCIe 4.0 و 12 مساراً من PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات المدمج (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* تدعم جميع الطرازات كسر سرعة المعالج (CPU)، ومعالج الرسوميات المدمج (iGPU)، والذاكرة.
* يتميز المعالج i9-13980HX بتقنية "تعزيز السرعة الحرارية" (Thermal Velocity Boost). بدون تفعيلها، يكون أقصى تردد توربو أقل بمقدار 0.1 جيجاهرتز.

### إنتل كور آي (الجيل الرابع عشر)

#### تحديث Raptor Lake-HX

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1964.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5600 أو DDR4-3200.
* جميع طرازات المعالجات توفر 16 مساراً من مسارات PCIe 5.0 و 4 مسارات من PCIe 4.0، بالإضافة إلى 16 مساراً من PCIe 4.0 و 12 مساراً من PCIe 3.0 التي يوفرها الـ PCH المدمج في الحزمة.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* تدعم جميع الطرازات كسر سرعة المعالج (CPU)، ومعالج الرسوميات المدمج (iGPU)، والذاكرة.
* الطرازات i7-14650HX و i7-14700HX و i9-14900HX تتميز بتقنية "تعزيز السرعة الحرارية" (Thermal Velocity Boost). بدون تفعيلها، يكون أقصى تردد توربو أقل بمقدار 0.1 جيجاهرتز.
* الطرازان i7-14700HX و i9-14900HX يتميزان بتقنية "تحسين التطبيقات من إنتل" (Intel Application Optimization).

### <big style="font-size:114%;"> Core / Core Ultra 3/5/7/9 (السلسلة 1)</big>

#### تحديث Raptor Lake-U

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 1744.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5200، أو DDR4-3200، أو LPDDR5-6400 أو LPDDR4X-4266.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 4.0 و 12 مساراً من مسارات PCIe 3.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* تتضمن معالج رسوميات مدمجاً يعتمد على معمارية Xe-LP.
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: Intel 7.
* معالج Core 3 100U متوفر مع وحدة معالجة الصور (IPU). المواصفات بينه وبين المعالج المقابل بدون IPU متطابقة تماماً، باستثناء إضافة وحدة معالجة الصور.

#### Meteor Lake-U

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 2049.
* جميع وحدات المعالجة المركزية باستثناء طرازات 1x4U تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5600 أو LPDDR5X-7466. طرازات 1x4U تدعم LPDDR5(X)-6400 ثنائي القنوات.
* جميع طرازات المعالجات توفر 20 مساراً من مسارات PCIe 4.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* تتضمن معالج رسوميات مدمجاً يعتمد على معمارية Alchemist.
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 112 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* تتميز جميع طرازات المعالجات أيضاً بوجود عدد 2 من "نوى الكفاءة منخفضة الطاقة" (LP E-Cores) التي تعمل بتردد أساسي 0.7 جيجاهرتز (0.4 جيجاهرتز في طرازات 1x4U)، وتردد توربو 2.1 جيجاهرتز، ولديها 2 ميجابايت من ذاكرة المستوى الثاني (L2).
* عملية التصنيع: تقنية 5 نانومتر (شريحة الحوسبة).
* طاقة تصميم حرارية قابلة للتخصيص (cTDP) تتراوح بين 12–28 واط في طرازات 1x5U، وبين 9–15 واط في طرازات 1x4U.

#### Meteor Lake-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 2049.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع DDR5-5600 أو LPDDR5X-7466.
* جميع طرازات المعالجات توفر 8 مسارات من مسارات PCIe 5.0 و 20 مساراً من PCIe 4.0.
* جميع المعالجات تتميز بناقل DMI 4.0 بـ 8 مسارات للاتصال بطقم الرقاقات (PCH).
* تتضمن معالج رسوميات مدمجاً يعتمد على معمارية Alchemist.
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 112 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 2 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* تتميز جميع طرازات المعالجات أيضاً بوجود عدد 2 من "نوى الكفاءة منخفضة الطاقة" (LP E-Cores) التي تعمل بتردد أساسي 0.7 جيجاهرتز (1.0 جيجاهرتز في طراز Core Ultra 9 185H)، وتردد توربو 2.5 جيجاهرتز، ولديها 2 ميجابايت من ذاكرة المستوى الثاني (L2).
* عملية التصنيع: تقنية 5 نانومتر (شريحة الحوسبة).
* طاقة تصميم حرارية قابلة للتخصيص (cTDP) تبلغ 35–65 واط في طراز Core Ultra 9 185H، و 20–65 واط في جميع الطرازات الأخرى.

### <big style="font-size:114%;"> Core / Core Ultra 5/7/9 (السلسلة 2)</big>

#### تحديث Raptor Lake-U

#### Arrow Lake-U

#### Lunar Lake

الميزات المشتركة:
* المقبس: BGA 2833.
* جميع وحدات المعالجة المركزية تدعم ذاكرة الوصول العشوائي ثنائية القنوات من نوع LPDDR5X-8533 (مدمجة في الحزمة).
* جميع طرازات المعالجات توفر 4 مسارات من مسارات PCIe 5.0.
* ذاكرة وحدة المعالجة المركزية من المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 112 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 64 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء (P-cores): 2.5 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 4 ميجابايت لكل عنقود نوى كفاءة (كل "عنقود" يحتوي على أربع نوى).
* عملية التصنيع: شريحة الحوسبة (التي تحتوي على نوى المعالج) مصنعة بتقنية N3B من شركة TSMC.

#### تحديث Raptor Lake-H

#### Arrow Lake-H

#### Arrow Lake-HX
الميزات المشتركة:

* يدعم Core Ultra 9 285HX تقنية Intel vPro والتقنيات ذات الصلة.

#### Twin Lake-N

### <big style="font-size:114%;"> Core / Core Ultra 5/7/9 (السلسلة 3)</big>
#### Panther Lake

* عملية التصنيع: 
** 8 نوى + 4 Xe GPU: شريحة الحوسبة (تحتوي على نوى المعالج) مصنعة بتقنية Intel 18A، شريحة الرسوميات مصنعة بتقنية "Intel 3". 
** 16 نواة + 4 Xe GPU: شريحة الحوسبة مصنعة بتقنية Intel 18A، شريحة الرسوميات مصنعة بتقنية "Intel 3".
** 16 نواة + 12 Xe GPU: شريحة الحوسبة مصنعة بتقنية Intel 18A، شريحة الرسوميات مصنعة بتقنية TSMC N3E.

## المعالجات المدمجة

### كور آي (الجيل الأول)

#### أرانديل

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1288 (BGA 1288).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3 ثنائية القناة؛ حيث تدعم كافة الطرز سرعة 800 ميجا نقلة في الثانية، بينما تدعم الطرز ذات اللاحقة (E) و(LE) سرعات تصل إلى 1066 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 1.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 32 نانومتر.

### كور آي (الجيل الثاني)

#### ساندي بريدج-DT

تتوفر الطرز التالية من فئة ساندي بريدج المكتبية كمعالجات مدمجة:
* كور i7-2600
* كور i5-2400
* كور i3-2120

راجع قسم معالجات الأجهزة المكتبية § ساندي بريدج-DT للحصول على المعلومات الكاملة.

#### ساندي بريدج-M

الميزات المشتركة:
* المقبس: جي 2 (G2) للطرز (2xx0E) و (2xx0QE) باستثناء طراز (i3-2310E)، والمقبس بي جي إيه 1023 (BGA 1023) لكافة الطرز الأخرى.
* تدعم جميع الوحدات ذاكرة دي دي آر 3 ثنائية القناة؛ حيث تدعم كافة الطرز سرعة 1333 ميجا نقلة في الثانية، بينما يدعم طراز (i7-2720QM) وما فوقه سرعات تصل إلى 1600 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 32 نانومتر.

#### غلادن

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1284 (BGA 1284).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3-1333 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 2.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 32 نانومتر.

### كور آي (الجيل الثالث)

#### آيفي بريدج-DT

تتوفر الطرز التالية من فئة آيفي بريدج المكتبية كمعالجات مدمجة:
* كور i7-3770
* كور i5-3550S
* كور i3-3220

راجع قسم معالجات الأجهزة المكتبية § آيفي بريدج-DT للحصول على المعلومات الكاملة.

#### آيفي بريدج-M

الميزات المشتركة:
* المقبس: جي 2 (G2) للطرز (3xx0ME/QE) فقط، والمقبس بي جي إيه 1023 (BGA 1023) لكافة الطرز الأخرى ولطرازي (i5-3610ME) و (i3-3120ME).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3 ودي دي آر 3 إل ثنائية القناة بسرعات تصل إلى 1600 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر طرز (i7) 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0، بينما توفر طرز (i5) مساراً واحداً من نوع (PCIe 3.0)، وتوفر طرز (i3) مساراً واحداً من نوع (PCIe 2.0).
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 32 نانومتر.

#### غلادن (22 نانومتر)

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1284 (BGA 1284).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3 ودي دي آر 3 إل ثنائية القناة بسرعة 1333 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 20 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* لا تحتوي على معالج رسوميات مدمج.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 22 نانومتر.

### كور آي (الجيل الرابع)

#### هازويل-DT

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1150 (LGA 1150).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3 ثنائية القناة بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 22 نانومتر.

تتوفر أيضاً الطرز التالية من فئة هازويل-DT المكتبية كمعالجات مدمجة:
* كور i7-4790S
* كور i7-4770S
* كور i5-4590S
* كور i5-4590T
* كور i5-4570S
* كور i3-4360
* كور i3-4350T
* كور i3-4330

راجع قسم معالجات الأجهزة المكتبية § هازويل-DT للحصول على المعلومات الكاملة.

#### هازويل-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1364 (BGA 1364).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3 إل ثنائية القناة بسرعات تصل إلى 1600 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تتميز الطرز المزودة بمعالج رسوميات (Iris Pro 5200) أيضاً بوجود 128 ميجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (eDRAM)؛ حيث تعمل كذاكرة تخزين مؤقت من المستوى الرابع.
* تقنية التصنيع: 22 نانومتر.

### كور آي (الجيل الخامس)

#### برودويل-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1364 (BGA 1364).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 3 إل ثنائية القناة، بسرعة تصل إلى 1600 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 2.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تتميز الطرز المزودة بمعالج الرسوميات المدمج إيريس برو 6200 بوجود 128 ميجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (eDRAM)، والتي تعمل كذاكرة تخزين مؤقت من المستوى الرابع.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

### كور آي (الجيل السادس)

#### سكاي ليك-S

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1151 (LGA 1151).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2133 أو دي دي آر 3 إل-1600 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

#### سكاي ليك-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1440 (BGA 1440).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2133، أو دي دي آر 3 إل-1600، أو (LPDDR3-1866) ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تتميز الطرز المزودة بمعالج الرسوميات المدمج إيريس برو 580 بوجود 128 ميجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (eDRAM)، والتي تعمل كذاكرة تخزين مؤقت من المستوى الرابع.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

### كور آي (الجيل السابع)

#### كابي ليك-S

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1151 (LGA 1151).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2400 أو دي دي آر 3 إل-1600 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

#### كابي ليك-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1440 (BGA 1440).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2400 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

### كور آي (الجيل الثامن)

#### ويسكي ليك-U

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1528 (BGA 1528).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2400 أو (LPDDR3-2133) ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

### كور آي (الجيل التاسع)

#### كوفي ليك-R

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1151-2 (LGA 1151-2).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2400 ثنائية القناة؛ بينما تدعم طرز (i5) وما فوقها سرعات تصل إلى 2666 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

#### كوفي ليك-H (تحديث)

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1440 (BGA 1440).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2666 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.

### كور آي (الجيل العاشر)

#### كوميت ليك-S

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1200 (LGA 1200).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-2666 ثنائية القناة؛ بينما تدعم طرز (i7) وما فوقها سرعات تصل إلى 2933 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 3.0.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) ذي 4 مسارات للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 64 كيلوبايت (32 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 256 كيلوبايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 14 نانومتر.
* يتميز طراز (i9-10900E) بتقنية تعزيز السرعة الحرارية (Thermal Velocity Boost).

### كور آي (الجيل الحادي عشر)

#### تايجر ليك-UP3

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1449 (BGA 1449).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-3200 أو (LPDDR4X-3733) ثنائية القناة؛ بينما تدعم طرز (i5) وما فوقها ذاكرة (LPDDR4X) بسرعات تصل إلى 4266 ميجا نقلة في الثانية.
* توفر جميع طرز المعالجات 4 مسارات من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0، بالإضافة إلى مسارات (PCIe 3.0) التي توفرها مجموعة الشرائح (PCH) الموجودة في الحزمة.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 10 نانومتر.
* تتمتع جميع الطرز بطاقة تصميم حراري قابلة للتهيئة (cTDP)، تتراوح بين 12 واط كحد أدنى و28 واط. وتمثل سرعات الساعة الأساسية الموضحة ضبطاً عند 15 واط، وتختلف باختلاف إعداد (cTDP) المختار.
* تتمتع الطرز ذات اللاحقة (-GRE) بحد أدنى لدرجة حرارة التشغيل يبلغ -40 درجة مئوية (مقارنة بـ 0 درجة مئوية للطرز العادية)، كما تتميز بتقنية تصحيح الخطأ داخل النطاق (in-band ECC) للذاكرة.

#### تايجر ليك-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1598 (BGA 1598).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-3200 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 20 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0، بالإضافة إلى 24 مساراً من نوع (PCIe 3.0) توفرها مجموعة الشرائح (PCH) الموجودة في الحزمة.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 3.0) للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني: 1.25 ميجابايت لكل نواة.
* تقنية التصنيع: 10 نانومتر.
* تتوافق سرعة الساعة الأساسية التي يعمل بها المعالج مع إعداد طاقة التصميم الحراري القابل للتهيئة (cTDP) المختار.
* الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: 0 درجة مئوية.

### كور آي (الجيل الثاني عشر)

#### ألدر ليك-S

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1700 (LGA 1700).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-3200 أو دي دي آر 5-4800 ثنائية القناة.
* توفر جميع وحدات المعالجة المركزية 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 5.0 و4 مسارات من نوع (PCIe 4.0)، إلا أن الدعم قد يختلف بناءً على اللوحة الأم ومجموعات الشرائح.
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 4.0) بثمانية مسارات للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول (L1):
** نوى الأداء (P-cores): 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة (E-cores): 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني (L2):
** نوى الأداء: 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة: 2 ميجابايت لكل عنقود من نوى الكفاءة (يحتوي كل "عنقود" على أربع نوى).
* تقنية التصنيع: إنتل 7 (Intel 7).
* إصدار تقنية تعزيز السرعة (توربو بوست) هو 2.0.

#### ألدر ليك-U

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1744 (BGA 1744).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 5-4800، أو دي دي آر 4-3200، أو (LPDDR5-5200)، أو (LPDDR4X-4266) ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 8 مسارات من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0 و12 مساراً من نوع (PCIe 3.0).
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 4.0) بثمانية مسارات للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول:
** نوى الأداء: 80 كيلوبايت (48 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
** نوى الكفاءة: 96 كيلوبايت (64 كيلوبايت للبيانات + 32 كيلوبايت للتعليمات) لكل نواة.
* ذاكرة المستوى الثاني:
** نوى الأداء: 1.25 ميجابايت لكل نواة.
** نوى الكفاءة: 2 ميجابايت لكل عنقود من نوى الكفاءة.
* تقنية التصنيع: إنتل 7.

#### ألدر ليك-P

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1744 (BGA 1744).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 5-4800، أو دي دي آر 4-3200، أو (LPDDR5-5200)، أو (LPDDR4X-4266) ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 8 مسارات من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0 و12 مساراً من نوع (PCIe 3.0).
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 4.0) بثمانية مسارات للاتصال بمجموعة الشرائح.
* ذاكرة المستوى الأول: نوى الأداء (80 كيلوبايت)، نوى الكفاءة (96 كيلوبايت).
* ذاكرة المستوى الثاني: نوى الأداء (1.25 ميجابايت لكل نواة)، نوى الكفاءة (2 ميجابايت لكل عنقود).
* تقنية التصنيع: إنتل 7.

#### ألدر ليك-PS

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1700 (LGA 1700). بالرغم من مشاركته لنفس المقبس مع طرز "ألدر ليك-S" و"رابتور ليك-S"، إلا أن هذا الإصدار من المقبس غير متوافق كهربائياً مع معالجات إنتل كور المكتبية الأخرى من الجيلين الثاني عشر والثالث عشر.
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 5-4800 أو دي دي آر 4-3200 ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 8 مسارات من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0 و12 مساراً من نوع (PCIe 3.0).
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل واجهة الوسائط المباشرة (DMI 4.0) بثمانية مسارات.
* ذاكرة المستوى الأول: نوى الأداء (80 كيلوبايت)، نوى الكفاءة (96 كيلوبايت).
* ذاكرة المستوى الثاني: نوى الأداء (1.25 ميجابايت)، نوى الكفاءة (2 ميجابايت لكل عنقود).
* تقنية التصنيع: إنتل 7.

#### ألدر ليك-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1744 (BGA 1744).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 5-4800، أو دي دي آر 4-3200، أو (LPDDR5-5200)، أو (LPDDR4X-4266) ثنائية القناة.
* توفر جميع طرز المعالجات 16 مساراً من نوع بي سي آي إكسبريس 4.0، بالإضافة إلى 12 مساراً من نوع (PCIe 3.0) توفرها مجموعة الشرائح (PCH).
* تقنية التصنيع: إنتل 7.

### كور آي (الجيل الثالث عشر)

#### رابتور ليك-S

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1700 (LGA 1700).
* تدعم جميع وحدات المعالجة المركزية ذاكرة دي دي آر 4-3200 أو دي دي آر 5-5600 ثنائية القناة.
* توفر جميع وحدات المعالجة المركزية 16 مساراً من نوع (PCIe 5.0) و4 مسارات من نوع (PCIe 4.0).
* تتميز جميع المعالجات بوجود ناقل (DMI 4.0) بثمانية مسارات.
* ذاكرة المستوى الأول: نوى الأداء (80 كيلوبايت)، نوى الكفاءة (96 كيلوبايت).
* ذاكرة المستوى الثاني:
** نوى الأداء: 2 ميجابايت لكل نواة في طرز i7 وما فوق، و1.25 ميجابايت في طرز i5 وما دون.
** نوى الكفاءة: 4 ميجابايت لكل عنقود في طرز i7 وما فوق، و2 ميجابايت في طرز i5 وما دون.
* تقنية التصنيع: إنتل 7.

#### رابتور ليك-U

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1744.
* تدعم الذاكرة دي دي آر 5-5200، دي دي آر 4-3200، (LPDDR5-6400)، أو (LPDDR4X-4266).
* توفر 8 مسارات (PCIe 4.0) و12 مساراً (PCIe 3.0).
* تقنية التصنيع: إنتل 7.

#### رابتور ليك-P

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1744.
* تدعم الذاكرة دي دي آر 5-5200، دي دي آر 4-3200.
* طاقة التصميم الحرارية: 28 واط (الأساسية)، 64 واط (القصوى).

#### رابتور ليك-H

الميزات المشتركة:
* المقبس: بي جي إيه 1744.
* توفر 8 مسارات (PCIe 5.0) و8 مسارات (PCIe 4.0)، مع 12 مساراً (PCIe 3.0) من مجموعة الشرائح.

### كور / كور ألترا 3/5/7/9 (السلسلة 1)

#### ميتيور ليك-PS

الميزات المشتركة:
* المقبس: إل جي إيه 1851 (LGA 1851). لا يتوافق كهربائياً مع المقبس المستخدم في المعالجات غير المدمجة مثل "أرو ليك-S".
* تدعم الذاكرة دي دي آر 5-5600 ثنائية القناة.
* توفر جميع المعالجات 20 مساراً من نوع (PCIe 4.0).
* تتضمن رسوميات مدمجة تعتمد على هندسة "ألكيميست" (Alchemist).
* ذاكرة المستوى الأول: نوى الأداء (112 كيلوبايت)، نوى الكفاءة (96 كيلوبايت).
* تتميز جميع الطرز بوجود نواتين من نوع "نوى الكفاءة منخفضة الطاقة" (LP E-Cores) تعملان بتردد أساسي 0.7 جيجاهرتز ومعزز 2.1 جيجاهرتز.
* تقنية التصنيع: معالجات 5 نانو (لشريحة الحوسبة).
* طاقة التصميم الحراري القابلة للتهيئة (cTDP) تتراوح بين 12–28 واط لطرز (UL)، و20–65 واط لطرز (HL).

## المراجع

* «أي تي آي» تقدم تلميحات حول معالج «ألينديل» من إنتل، 23 مايو 2006.
* تسريبات حول أسعار ومواصفات معالجات إنتل كور 2، 30 مايو 2006.
* موقع «تي جي ديلي» يشير إلى تواريخ إطلاق مسربة، 24 يوليو 2006.
* تقرير صحفي: إنتل ستكشف عن خمسة معالجات «ميروم» في يوليو كما أعادت نشره «ديجي تايمز»، 17 يوليو 2006.
* إنتل تكشف عن أفضل معالج في العالم، 27 يوليو 2006.
* إنتل تنقل الحواسيب المحمولة الشهيرة إلى مستوى «إكستريم» مع أول معالج محمول من فئة «إكستريم إيديشين»؛ وتضيف شريحة جديدة لأسطح المكتب، 16 يوليو 2007.
* نسخ معالج كور 2 ديو بتردد 1333 ميغاهيرتز ، 18 يوليو 2007.

## وصلات خارجية
* البحث في قاعدة بيانات MDDS
* قاعدة بيانات إنتل (ARK)
* مرجع SSPEC/QDF (إنتل)
* أسماء وأرقام وقائمة أجيال معالجات إنتل
* خارطة طريق انتقال معالجات إنتل 2008–2013
* خارطة طريق معالجات إنتل لأسطح المكتب 2004–2011
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور سولو المحمولة
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور ديو المحمولة
* ورقة البيانات التقنية لمعالجات إنتل كور ديو وكور سولو بتقنية 65 نانومتر
* تحديث مواصفات معالجات إنتل كور ديو وكور سولو بتقنية 65 نانومتر
* المستندات التقنية لمعالجات إنتل كور 2 ديو
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i3 لأسطح المكتب
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i3 المحمولة
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i5 لأسطح المكتب
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i5 المحمولة
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i7 لأسطح المكتب
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i7 المحمولة
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i7 «إكستريم إيديشين» لأسطح المكتب
* جدول رموز طلبات معالجات إنتل كور i7 «إكستريم إيديشين» المحمولة
* صفحة ويب إنتل كور i7
* صفحة ويب إنتل كور i7 «إكستريم إيديشين»
* أرقام معالجات إنتل كور i7
* أرقام معالجات إنتل كور i7 «إكستريم إيديشين»
* قائمة أسعار معالجات شركة إنتل
* قائمة أسعار معالجات شركة إنتل (الموقع الرسمي)
* معالجات إنتل كور من سلسلة X

تصنيف:قوائم
تصنيف:معالجات إنتل
تصنيف:معالجات إنتل إكس 86