Transistor

Èn **Transischtor** isch è elegtronischs Bauelemènt zum Schaaltè un Voschtärkè vo elegtrischè Signaal, ohni deby mechanischi Bewegigè uuszfüürè. Transischtorè sin wituus wichtigschtè „aktivè“ Beschtanddeil vo elegtronischè Schaltigè, welli byschpillswys i dè Nõchrichtètechnig, dè Leischtigselegtronik un in Computersischteem ygsetzt wörred. Bsunderi Bedütig hèn Transischtorè in integryrtè Schaltchreis, wa diè zur Zit wit vobreiteti Mikroelegtronik ermöglichè duèt.

Dè Begriff „Transischtor“ isch è Kurzform vum änglischè , wa i dè Fungtion èm durch è aaglaiti elegtrischi Schpannig odder èm elegtrischè Stròm stüerbarè elegtrischè Widderschtand entschprechè duèt. Well d Wûrkigswys von èrè entsprèchendè Elegtronèröörè, nämlich dè Triodè, ähnlich isch, wörd dè Transischtor au als „Halbleitertriodè“ bezeichnet.

## Gschichtè

Diè èrschtè Padent zum Brinzyp vom Transischtòr sin vom Julius Edgar Lilienfeld im Johr 1925 aagmeldèt worrè. Lilièfäld beschrybt in sinerè Arbèt è elegtronischs Bauelemänt, wo Eigèschaftè von èrè Elegtronèröörè uffwyst un im witeschtè Sinn mit dè hüt als Fäldeffèkttransischtòr benamstè Bauelemänt voglychbar isch. Zu sellerè Zit isch es technisch nõ nit möglich gsi, Feldeffèkttransischtòrè pragtisch z realisyrè.

Im Johr 1934 hèt dè dütsch Phûsiker Oskar Heil dè èrschte Feldeffèkttransischtòr konschtruyrt un patentyrt, bi dèmm s sich um èn Halbleiter-FET mit isolyrtem Gate ghandlet hèt. Diè èrschtè pragtisch realisyrtè JFET mit eim p-n-Übbergang (bosityv-negatyv) un èm sognanntè *Gate* als Stüèrelegtrodè gônn uff Herbert F. Mataré, Heinrich Welker un barallel dezuè William B. Shockley un Walter H. Brattain uss èm Johr 1945 zrugg. Dè Feldeffèkttransischtòr isch vor èm Bipolaartransischtòr realisyrt worrè. Dõmolls sin selli Bauelemänt no nit als Transischtòr bezeichnet worrè; dè Begriff „Transischtòr“ isch 1948 vom John R. Pierce bräägt worrè.

Ab 1942 hèt dè Herbert Mataré bi Telefunkè mit dè vo ym so gnanntè Duodiodè (Doppelspitzdiodè) im Raamè vo dè Entwicklig von èm Detektor für è Doppler-Funkmess-Sischteem (RADAR) experimentyrt. Diè vo ym dezuè uffbautè Duodiodè sin Punktkontagt-Diodè uff Halbleiterbasis mit zwei zimli nòch binenand stehendè Medallkontägt uff èm Halbleitersubschtraat. Mataré hèt dõby mit polikrischtallinem Silizium (kurz: Polysilizium) experimentyrt, wo nèr vom Karl Seiler uss èm Telefunkè-Labor z Breslau bezogè hèt, un mit Germanium, wo nèr von èm Forschungsteam vo dè Luftwaffè bi München (i demm au dè Heinrich Welker mitgwûrkt hèt) erhaaltè hèt. Dòby hèt er bi dè Experimènt mit Germanium Effèkt entdeckt, wo sich nit durch d Vorschtellig vo zwei unabhängig von ènand schaffendè Diodè erklärè hèn lõ: D Spannig a dè eintè Diodè hèt dè Strom durch diè ander Diodè beyflusst. Selli Beobachtig hèt d Grundidee für diè spôter folgendè Spitzètransischtòrè bildet.

Dè èrscht funktionyrende Bipolartransischtòr isch in Form von èm Spitzètransischtòr bi dè Bell Laboratories entwicklet worrè un am 23. Dezembèr 1947 bi nèrè internè Demonschtration èrschtmolls bräsentyrt worrè. Zu dè glychè Zit hèn diè dütschè Forscher Mataré un Welker dè èrschte funktionsfähige „französische Transischtòr“ i dè chlynè, nit mit Westinghouse Electric vobundenè Firma Compagnie des Freins & Signaux Westinghouse z Aulnay-sous-Bois bi Paris entwicklet un hèn dõfür am 13. Auguscht 1948 è Batentaameldig iigreicht. Am 18. Mai 1949 isch selli europäischi Erfindig als „Transischtron“ dè Öffentlichkeit bräsentyrt worrè.

Uss Unterlagè gòt hervor, dass Shockley un Pearson funktionyrendi Transischtorè baut hèn, wo uff dè Patent vo Lilienfeld un Heil basyrt hèn. Sie unterlôn s, selli grundlegendè Lilièfäld-Patent in irè Veröffentlichungè, spôterè Forschungsbericht odder historischè Bericht z erwäänè. Die W. Shockley, wo a dè Erfindig vom Bipolartransischtòr beteiligt gsi isch, J. Bardeen un W. Brattain hèn dõfür 1956 dè Nobelprys für Phûsik. Èn wichtigè Fortschritt isch bi dè Bell Labs durch d Hèrschtellig vo Bipolartransischtôrè uss eim Krischtall (Flächètransischtòrè durch Gordon Teal, Morgan Sparks un Shockley) glungè, wo diè bis dõhy vowendetè Spitzètransischtòrè, wo 1951 vorgschtellt worrè sin.

I dè 1950er-Johr hèt s èn Wettlauf zwischè dè Elegtronèröörè un dè dõmolls üblichè Bipolartransischtòrè gää, in dem sim Volauf d Chancè vom Bipolartransischtòr wegè dè voglychswys nydrigè Transitfrequènzè hüüfig eher skeptisch beurteilt worrè sin. Transischtòrè hèn Elegtronèröörè als Signalvoschtärker mittlerwyl uff fascht allè technischè Gebièt abglöst. Deilwys sin Röörè nõ i dè Sendetechnig im Rundfunk un bi mengè speziellè Gitarrè- un Audiovoschträrker vowendet worrè.

Feldeffèkttransischtòrè hèn im Gegèsatz zu dè èrschtè Bipolartransischtòrè i dè 1950er bis i diè spòtè 1960er Johr no kaum è Rollè gschpillt. Sy lôn sich mit dè dõmõligè Kenntniss nit wûrtschaftlich fertigè un sin wegè dè Durchschlagsgfõõr vum Gate durch unbeabsichtigti elegtrostatischi Entladig umschtändlich z handhabè. Für d Lösig vo dè Brobleem, wo bi bipolarè Transischtòrè ufftrettè könnè, z. B. Leischtungsbedarf un Aaforderigè für integryrti Schaltigè hèt mo sich ab öppè 1955 ygehender mit dè Halbleiterobberflächè beschäftigt un Fertigungsvofaarè wiè d Planartechnig entwicklet, diè d Feldeffèkttransischtòrè im Folgejohrzehnt zu dè Serièryfe brocht hèn.

Diè èrschtè handelsüblichè Bipolartransischtorè sin uss èm Halbleitermatriaal Germanium hèrgschtellt worrè un ähnlich wiè Elegtronèröörè in winzigi Glasröörli ygschmolzè worrè. Diè voschidè dotyrtè Zonè hèt mo durch è zentrals Germaniumblättlè erreicht, i welles vo beidè Sitè „Indiumpillè“ aalegyrt worrè sin, so dass diè letschtè düèf i s Grundmatriaal ydrungè sin, i dè Mitti abber è Basisschtreggi i dè gwünschtè Dicki freiblibbè isch. 1954 sin Bipolartransischtòrè uss Silizium gmacht worrè (Gordon Teal bi Texas Instruments un Max Dannèbaum a dè Bell Labs). Sit dè spòtè 1960er Johr kömmed meischtens Medall- odder Kunschtoffghüüs zur Aawendig. Ysatzberych sin znägscht i dè analogè Schaltigstechnig glägè wiè byschpillswys dè dõmols uffkommende Transischtorradio. S Basismatriaal Germanium isch i dè Folg voschtärkt durch s technisch vorteilhaftere Silizium ersetzt worrè, wo èn größerè Arbeitstemperadurberych bi wesèntlich gringerè Reschtschtrööm abdeckt hèt un durch d Siliziumdioxid-Bassivyrig langzitschtabiler i dè elegtrischè Kennwärt gegèübber Germanium isch.

Dè èrscht uff Galliumarsenid basyrende Feldeffèkttransischtòr (MESFET) isch 1966 vom Carver Mead entwicklet worrè. Dünnschichtransischtòrè (ängl. , abkürzt *TFT*) sin schu 1962 vom P. Weimer entwicklet worrè, selli hèt mo abber èrscht rund 30&nbsp;Johr spôter im Berych vo hüt üblichè farbigè TFT-Displays ygsetzt.

Wem mo alli Transischtòrè in sämtlichè bis jetzt hèrgschtelltè Schaltchreis wiè Arbètsspycher, Prozessorè usw., zämmèzellt, isch dè Transischtòr inzwischè sebbi technischi Fungtionseinheit, wo vo dè Menschheit i dè högschstè Gsamtstuggzaal broduzyrt worrè isch un wörd. Moderni Integryrti Schaltigè, wiè diè i dè Personal Computer ygsetztè Mikroprozessorè, bschtôn uss Millionè bis Milliardè Transischtòrè.

## Tûpè
Es git zwei wichtigi Gruppè vo Transischtòrè, nämlich Bipolartransischtòrè un Feldeffèkttransischtòrè (FET), welli sich durch d Art vo dè Aaschtûèrig vonènand unterscheidè düèn.
È Lischtè mit èrè grobè Yornig bzw. Gruppyrig vo dè Transischtòrè sowiè witerè Transischtòrvariantè findet mò unter Lischtè vo elegtrischè Bauelemènt.

### Bipolartransischtòr

Bi *bipolarè Transischtòrè* dräget sowoll diè bewegliche negativè Ladigsdräger, d Elegtronè, als au bositivi Ladigsdräger, sognannti Defèktelegtronè, zu dè Fungtion bzw. zum Ladigstransport by. Defektelegtronè, au als *Löcher* bezeichnet, sin unbesetzti Zuèschtänd im Valenzband, welli sich durch Generation un Rekombination vo Elegtronè im Krischtall bewegèd. Zu dè bipolarè Transischtòrè ghöred unter anderem dè IGBT un dè HJBT. Dè wichtigschte Votrètter isch abber dè Bipolartransischtòr (ängl.: , BJT)

Dè Bipolartransischtòr wörd durch èn elegtrischè Stròm aagschtüèret. D Aaschlüss wörred mit *Basis*, *Emitter*, *Kollektor* bezeichnet (im Schaltbild abkürzt durch d Buèchschtabè B, E, C). Èn chlynè Stüèrschtròm uff dè Basis-Emitter-Streggi füürt zu Voänderigè vo dè Raumladigszonè im Innerè vom Bipolartransischtòr un ka dõdurch èn großè Stròm uff d Kollektor-Emitter-Streggi stüèrè. Je nõch Dotyrigssequènz im Uffbau unterscheidet mò zwischè *npn*- (negativ-bositiv-negativ) un *pnp*-Transischtòrè (bositiv-negativ-bositiv). Dotyrig bedütet in sellem Zämmèhang s Ybringè vo Fremdatòm bim Hèrschtelligsbrozèss in èrè Schicht vo hochreinem Halbleitermatriaal, um d Krischtallstruktur z voänderè.
Bipolartransischtòrè sin grundsätzlich immer *selbstschpèrrend*: Ohni Aaschtüèrig mittels èm chlynè Stròm durch d Basis-Emitter-Streggi spèrrt dè Transischtòr uff dè Kollektor-Emitter-Streggi.

Im Schaltsûmbòl isch dè Aaschluss *Emitter* (E) in beidè Fäll mit èm chlynè Pfyl vosää: Bi nèm npn-Transischtòr zeigt sellè vom Bauelemènt wäg, bim pnp-Transischtòr wyst er zum Bauelemènt hy. Dè Pfyl beschrybt d elegtrischi Stròmrichitg (Bewegig vo imaginärè bositivè Ladigsdräger) am *Emitter*. In früènèrè Johr isch in Schaltblään bi de dõmolls oft ygsetztè diskreetè Transischtòrè zu dè Kennzeichnig vom Transischtòrghüüs èn Chreis um s jewylige Sûmbòl zeichnèt worrè. D Chreissûmbòl sin durch dè hütig vorhèrrschende Ysatz vo integryrtè Schaltigè unüblich worrè.

D Voknüpfig vo zwei Bipolartransischtòrè mit Vor- un Hauptvoschtärkig zuè-n-èrè Einheit wörd als Darlington-Transischtòr odder als Darlington-Schaltig bezeichnèt. Durch selli Voschaltig ka è dütlich höcheri Stròmvoschtärkig erreicht wörrè als mit èm einzelnè Transischtòr. Witeri Details zu dè Bsunderheitè un Aaschtüèrigè findet sich im eignè Artikel übber Bipolartransischtòrè un i dè mathematischè Beschrybig vom Bipolartransischtòr. Eifachi Schaltigbyschpill findet sich im Artikèl übber Transischtòrgrundschaltigè un bi dè Ersatzschaltigè vom Bipolartransischtòr.

### Feldeffèkttransischtòr

Feldeffèkttransischtòr!, abkürzt FET, odder au als unipolari Transischtòrè benamst, wörred durch è Spannig gschtüèret. Bsunders für FETs isch èn zimli hochè Ygangswidderschtand im statischè Betrièb un diè dõrum fascht leischtungslosi Aaschtüèrig tûpisch.

Diè 3 Aaschlüss wörred als *Gate* (als. Dor, Dürrè), wo dè Stüèraaschluss isch, *Drain* (dt. Sènki, Abfluss) un *Source* (als. Quällè, Zuèfluss) benamst. Bi MOSFETs (Medalloxydschicht) chunnt nò èn witerè Aaschluss, s sognannti *Bulk* odder *Body* (als. Subschtrat) dezuè, wa meischtens mit èm *Source*-Aaschluss vobundè wörd. Dè Widderschtand un somit dè Stròm vo dè Drain-Source-Streggi wörd durch d Spannig zwischè Gate un Source un s dõdurch entschtehendi elektrische Fäld gschtüèret. D Stüèrig isch im statischè Fall fascht stromlos. Dè gschtüèrte Strom im Drain-Source-Kanaal ka, im Gegèsatz zum Kollektorschtròm vo Bipolartransischtòrè, in beidi Richtigè flüèßè.

D Klassè vo dè Feldeffekttransischtòrè unterdeilt sich in Sperrschicht-FETs (JFETs) un in diè FETs, wo mit èm durch èn Isolator drènntè Gate (MISFET, MOSFET) vosää sin. Unterschiddè wörd bi Feldeffèkttransischtòrè drübber usè je nÕch Dotyrig vom Halbleiter zwischè n- und p-FETs, wo sich bi dè MOSFETs witer in selbschtleitendi un selbschtsperrendi Tûpè uffdeiled.

Bi dè Unipolartransischtòrè ist immer nur ein Ladigsdrägerart, negatyv geladeni Elegtronè odder bositiv gladeni Defektelegtronè, am Ladungsdrägertransport durch dè Transischtòr bedeiliget.

#### Spèrrschicht-Feldeffèkttransischtòrè

Bi Spèrrschicht-FETs (ängl. *junction FET*, JFET) wörd diè elegtrisch isolyrendi Schicht zum *Gate* durch è Diodè, wo in Spèrrrichtig betribbè wörd, un sellèrè iri unterschydlich großè Raumladigsnzonè bildet. Spèrrschicht-FETs sin immer sälbschtleitendi Transischtòrè: ohni Spannig am *Gate* sin si zwischè *Source* un *Drain* leitend. Durch s Aalegè von èrè 'Gate*-Spannig mit geigneter [[Polarität (Physik)|Polarität]] wörd d Leitfähigkeit zwischè *Source* un *Drain* reduzyrt.

Au JFETs git s in zwei Artè: n-Kanaal un p-Kanaal. Im Schaltsûmbòl wörd bi nèm n-Kanal dè Pfyl zum Transischtòr hy zeichnèt un uff èm Gate-Aaschluss yzeichnèt, wiè in nebbèstehender Abbildig dargschtellt. Bim p-Kanaal-Tûp isch d Pfylrichtig umkeert. Spèrrschicht-FETs findet wegè dè komplizyrtè Aaschtüèrig nu in spezièllè Aawendigè, wiè byschpillswys [[Mikrofonverstärker|Mikrofonvoschtärker]], Aawendig.

==== Metall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr ====




Dè Übberbegriff MISFET leitet sich vo dè änglischè Bezeichnig  (Medall-Isolator-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr) ab. Si stelled diè ander großi Gruppè, mit dè Feldeffèkttransischtòrè mit eim durch èn Isolator drenntè Gate (engl.: , [[IGFET]]).
Uss historischè Gründ wörd statt MISFET odder IGFET meischtens d Bezeichnig MOSFET sûnonûm vowendet. MOSFET stônn für änglisch  ([[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor|Medall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr]]) un gòòt uff d Urschprüng vo dè Halbleitertechnig zrugg; dõmolls isch als Gate-Matriaal [[Aluminium|Alu]] un als Isolator [[Siliziumdioxid|Siliziumdioxyd]] vowendet worrè.

Wi dè Nammè schu aadütet, isch èn MOSFET im wesèntlichè durch dè Uffbau vo dè Gate-Schichtbyyg definyrt. Dõby isch è „metallischs“ *Gate* durch èn Oxyd (Isolator) vom stròmfüürendè Kanaal (Halbleiter) zwischè Source un Drain elegtrisch isolyrt. Mit Technologieschtand im Johr 2008 wörd vorneemlich hochdotyrts Polysilizium als Gate-Matriaal ygesetzt, womit d Bezeichnig MISFET bzw. MOSFET nimmi korrèkt isch. In Vobindig mit èm Subschtraatmatriaal Silizium biètet sich Siliziumdioxid als Isolationsmatriaal aa, well s sich technologisch eifach i dè Hèrschtelligsbrozèss integryrè lòt un guèti elegtrischi Eigèschaftè uffwyst. Uusnaam stellt diè sognannti [[High-k+Metal-Gate-Technik|High-k+Metal-Gate-Technig]] dar, bi derrè è metallischs Gate in Vobindig mit [[High-k-Dielektrikum|High-k-Matriaaliè]] uss Metalloxyd ygsetzt wörd.

Èin Vorteil vo dè MOSFET-Technig isch, dass durch dè Ysatz von èm Isolator im Betrièb kei Raumladigszonè als Drènnschicht, wiè bim Spèrrschicht-FET mit entsprèchender Aaschtüèrigspolarität, bildet wörrè muè. Dè *Gate*-Aaschluss ka somit in bschtimmtè Berych mit sowoll positivè als au negativè Spannigè gegè dè *Source*-Aaschluss beuffschlagt wörrè.

Je nõch Dotyrig vom Grundmatriaal lôn sich sowoll n- un p-Kanaal-MOSFETs hèrschtellè. Selli lôn sich au in Form vo sèlbschtleitendè odder sèlbschtschpèrrèndè Tûpè im Raamè vo dè Hèrschtelligsbrozèss konfiguryrè. D Schaltsûmbòl umfassed dõmit vir möglichi Variationè wiè i dè nebbèschtehendè Abbildig dargschtellt. Dõby isch z erkennè, dass diè sèlbschtleitendè MOSFETs, au als Voarmigstûp benamst, è durchzogèni Linniè zwischè dè Aaschlüss *Drain* un *Source* uffwysè. Selli Linniè isch bi dè sèlbschtspèrrèndè Tûpè, au als Aareicherigstûp benamst, unterbrochè. Dè Pfyl wörd bi sellè Transischtòrè am *Bulk*-Aaschluss yzeichnèt un bi eim n-Kanaal-Tûp zum Transischtòrsûmbòl orientyrt, bi eim p-Kanaal vom Transischtòr èwäg zeichnèt. Dè *Bulk*-Aaschluss isch oft fescht mit èm *Source*-Aaschluss diräkt am Halbleiter vobundè.

Wegè dè größerè Vylfalt un dè lychterè elegtrischè Stüèrbarkeit sin MOSFETs diè hüt mit großem Abschtand am meischtè broduzyrtè Transischtòrè. Möglich isch sell vor allem durch diè sognanntè [[Complementary Metal Oxide Semiconductor|CMOS]]-Technology, bi derrè n- un p-MOSFETs kombinyrt wörrè. Dè Ysatz vo sellerè Technology erlaubt èrscht d Realisyrig vo hochkomplèxè, integryrtè Schaltigè mit èrè dütlich reduzyrtè Leischtungsuffnaam, wo mit anderè Transischtòrtûpè nit möglich gsi wär.

=== Spezièlli Transischtòrtûpè ===

Nebbè dè Transischtòrgrundtûpè git s einigi witeri Variantè für spezièlli Aawendigsberych wiè dè [[Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode|Bipolàrtransischtòr mit èrè isolyrtè Gateelegtrodè]], abkürzt IGBT. Selli Transischtòrè findet sit Èndi vo dè 1990er&nbsp;Johr vor allem i dè Leischtungselegtronik Aawendig un bildet è Kombination uss MOS- un Bipolartechnology in eim gmeinsamè Ghüüs. Well selli Leischtungstransischtòrè Sperrschpannigè bis zu 6&nbsp;kV uffwysèd un Strôm bis zu 3&nbsp;kA schaaltè könned, ersetzed si i dè Leischtungselegtronik zuènèmmend [[Thyristor|Thûrischtòrè]].

[[Fototransistor|Fototransischtòrè]] sin optisch empfindlichi bipolari Transischtorè, wiè si unter anderem i dè [[Optokoppler]] Vowendig findè. D Stüèrig vo sellè Transischtòrè erfolgt nit durch èn chlynè Basis-Emitter-Stròm – mitunter wörd dè Basisaaschluss au wègglõ –, sondern uusschlièßlich durch dè Yfall vo [[Licht]] (byschpillswys aagewendet in Lichtschrankè). Licht hèt i dè Raumladigszonè vom p-n-Übbergang bim Bipolartransischtòr è äänlichi Wûrkig wiè dè Basisstròm, wo normalerwys a dè Basis(B), uff ängl. Gate(G), gschaaltet wörd. Deswegè sötted hèrkömmlichi Transischtòrè, bi wellè sellè Effèkt unerwünscht isch, in èm lichtundurchlässigè Ghüüs unterbrocht wörrè.

Èn hüt kaum no vowendetè Transischtòr isch dè [[Unijunctiontransistor|Unijunctiontransischtòr]], abkürzt UJT. Er äänlet in sinèrè Fungtion ehnder Thùrischtòrè bzw. dè [[Diac]]s, wörd historisch abber zu dè Transischtòrè zellt. Sini Fungtion, byschpillswys bi Sägezaageneratorè, wörd hüt großdeils durch integryrti Schaltigè realisyrt.

In mengè [[Flüssigkristallbildschirm|Flüssigkrischtallbildschirm]], bi dè meischtens farbfähigè TFT-Displays, kömmed pro [[Pixel|Pixèl]] im aktivè Bildberych bis zu drei [[Dünnschichttransistor|Dünnschichttransischtòrè]] (ängl. , TFT) zur Aawendig. Selli Feldeffèkttransischtòrè sin praktisch durchsichtig. Si wörred für d Aaschtüèrig vo einzelnè Pixèl vowendet un ermöglichè im Voglych zu dè transischtòrlosè, farbfähigè LC-Displays èn höcherè Kontrascht. Je nõch Größi vom TFT-Display könned pro Bildschirm bis zu einigè Millionè Dünnfilmtransischtòrè ygsetzt wörrè.

In elegtrisch programmyrbarè [[Festwertspeicher|Feschtwèrtschpycher]] wiè [[EPROM]]s un [[EEPROM]]s finded spezièlli MOSFET mit èm sognanntè [[Floating Gate]] als primärs Spycherelemänt Aawendig. Durch diè im Floating Gate gschpycherti elegtrischi Ladig isch dè Transischtòr permanent y- bzw. uusgschaltè un ka dè Informationsghalt vo eim [[Bit]] spycherè. S Beschrybè, un bi einigè Tûpè au s Löschè, wörd mittels quantèmechanischem [[Tunneleffekt|Dunneleffèkt]] ermöglicht.

In integryrtè Schaltigè wörred witeri spezièlli Formè wiè dè [[Multiemitter-Transistor|Multiemitter-Transischtòr]] ygsetzt, wellè bi [[Logikgatter]] i dè [[Transistor-Transistor-Logik|Transischtòr-Transischtòr-Logik]] diè eigèntlichi logischi Voknüpfig vo dè Ygangssignàl durrèfüürt.

== Bauformè ==
Im Lauf vo dè Gschicht vo dè Mikroelegtronik sin èn Huufè vo Transischtòrbauformè entwicklet worrè, diè sich vo allem i dè Hèrschtellig vo pn-Übbergäng un dè Aaorning vo dè dotyrtè Berych unterscheidè duèn. Dè èrschti praktisch realisyrte Transischtòr isch 1947 dè [[Spitzentransistor|Spitzètransischtòr]] gsi. Dõdruff hy sin zaalrychi Vosuèch gfolgt, d Hèrschtellig eifacher un somit au günschtiger z machè. Wichtigi Bauformè vo bipolarè Transischtòrè sin: dè [[Transistor mit gewachsenem pn-Übergang|Transischtòrè mit gwachsenèm pn-Übbergang]] (ängl. ), dè [[Legierungstransistor|Legyrigstransischtòr]], dè [[Drifttransistor|Drifttransischtòr]], dè [[Diffusionstransistor|Diffusionstransischtòr]], dè diffundyrt-legyrti [[Mesatransistor|Mesatransischtòr]], dè [[Epitaxialtransistor|Epitaxialtransischtòr]] un dè [[Overlay-Transistor|Overlay-Transischtòr]]. Diè wool wichtigschte Bauform isch abber dè 1960 vom [[Jean Hoerni]] entwicklete [[Planartransistor|Planartransischtòr]], dè sowoll è baralleli Massèfèrtigung uff eim Subschtràt als au wûrksamè Schutz vor sensiblè pn-Übbergang wôrend un nõch dè Fèrtigung erlaubt hèt.

Diè èrscht spôter praktisch realisyrtè Feldeffèktransischtôrè könned in ähnlich villè Bauformè realisyrt wörrè. Diè wichtigschtè Formè sin dè blanaare [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor|MOS-FET]], dè [[Epitaxie-Planar-Transistor|Epitaxy-Blanaar-Transischtòr]], dè [[Nanodrahttransistor|Nanodròòttransischtòr]] sowiè dè [[FinFET]], luèg au [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Verwandte Transistorvarianten|Metall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr]]. 

Isch es i dè Aafangsphasè vo dè Mikroelegtronik no dõrum, übberhaupt funktionsfähigi Transischtòrè mit guètè elegtrischè Eigèschaftè hèrzschtellè, so wörred spôteschtens sit dè 1990er Johr zuènèmmend Bauformè für spezielli Aawendigè un Aaforderigè entwicklèt, byschpillswys [[Hochfrequenztransistor|Hochfrequènz-]], [[Leistungstransistor|Leischtigs-]] un [[Hochspannungstransistor|Hochschpannigstransischtòrè]]. Selli Unterdeilig gildet sowoll für Bipolar- als au für Feldeffèkttransischtòrè. Für einigi Aawendigè wörred au spezièlli Transischtòrtûpè entwicklet, diè tûpischi Eigèschaftè vo beidè Haupttûpè voeint, z.&nbsp;B. dè [[Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode|Bipolartransischtòrè mit isolyrter Gate-Elegtrodè]] (IGBT).

== Wärchschtoff ==

Bipolari Transischtòrè sin i dè Aafangszit uss èm Halbleiter [[Germanium]] gfertigèt worrè, wôrend hüt übberwigend dè Halbleiter [[Silizium]] sowoll bi Feldeffèkttransischtòrè als au Bipolartransischtòrè vowendet wörrè. Dè schrittwys Ersatz vo Germanium durch Silizium im Lauf vo dè 1960er un 1970er Johr isch unter anderem uss folgendè Gründ bassyrt (vgl. [[Thermische Oxidation von Silizium#Anwendung|Thermischi Oxidation vo Silizium]]):
# Silizium hèt è stabiles, nitleitendes Oxyd (Siliziumdioxyd), anderscht wiè s Germaniumoxyd, wo wasserlöslich isch, wa unter anderem s Suubermachè komplizyrter gmacht hèt.
#* Siliziumdioxyd eignet sich für d Obberflächèpassivyrung vom Halbleiter, wodurrè d Umgebig (Voschmutzigè, Obberflächèladungè usw.) diè elegtrischè Eigèschaftè vo dè Bauelemènt dütlich wenniger beyflusst hèt un somit reproduzyrbarer worrè isch.
#* Mit dè *thermischè Oxidation vo Silizium* exischtyrt èn eifachè Herschtelligsbrozèss vo Siliziumdioxid uff einkrischtallinem Silizium. Diè dõby entschtehendi Silizium-Siliziumdioxyd-Gränzflächi zeigt è geringi Aazaal a Gränzflächèladigè, wa unter anderem diè praktischi Umsetzig vo Feldeffèkttransischtòrè mit isolyrtem Gate ermöglicht hèt.
# Silizium isch genauso wiè Germanium è [[Elementhalbleiter|Elemènthalbleiter]]. Bi Silizium isch d Gwinnig un Hantyrè eifacher als bi Germanium.

Für Spezialaawendigè wörred witeri Matrialiè ygsetzt. So hèn è baar [[Verbindungshalbleiter|Vobindigshalbleiter]] wiè s giftige [[Galliumarsenid]] besseri Eigèschaftè für hochfrequènti Aawendigè, sin abber düèrer z fèrtigè un bruuched anderi Fertigungsyrichtungè. Um selli praktischè Nõchdeil vo Galliumarsenid z umgõõ, exischtyred voschideni Halbleiterkombinationè wiè [[Siliziumgermanium]], wo für höcheri Frequènzè bruuchbõr sin. Für Hochtemperaduraawendigè chömmed spezielli Halbleitermatrialiè wiè [[Siliziumkarbid]] (SiC) für d Hèrschtellig vo Transischtòrè zur Aawendig. Selli Transischtòrè chönned byschpillswys diräkt an èm [[Verbrennungsmotor|Vobrennigsmotòr]] bi Temperadùrè bis zu 600&nbsp;°C ygesetzt wörrè. Bi siliziumbasyrendè Halbleiter lyt diè maximaal Betrièbstemperadur im Berych vo 150&nbsp;°C.

== Aawendigsberych ==
Transischtòrè wörred hützudaag in fascht allenè elegtronischè Schaltigè vowendet. Dè Ysatz als einzelnes ([[Diskretes Bauelement|diskreets]]) [[Elektrisches Bauelement|Bauelemènt]] spillt dõby è nebbèsächlichi Rollè. Sogar i dè Leischtigselegtronik wörred zuènemend meereri Transischtòrè uff eim Subschtraat gfertigèt, sell bassyrt hauptsächlich uss Koschtègründ.

È älteri Tûpisyrig vo Transischtorè erfolgt nõch dè Ysatzgebièt:
* Chlynsignaltransischtòrè – eifachi, unküèlti Transischtòrè für analogi [[Niederfrequenz|NF]]-Technig für Leischtigè bis ca. 1&nbsp;W
* Leischtigstransischtòrè – robuschti, küèlbari Transischtorè für Leischtigè obberhalb 1&nbsp;W
* Hochfrequènztransischtòrè – Transischtòrè für [[Frequenz|Frequènè]] obberhalb 100&nbsp;kHz, bi Frequènzè jensits vo dè 100&nbsp;MHz wörd au d üßeri Gschtaltig byschpillswys in [[Streifenleitung|Streifèleitertechnig]] uusgfüürt
* Schalttransischtòrè – Transischtòrè mit günschtigem Vohältnis vo Durchlass- zu Spèrrschtròm, bi dennè d Kennlinniè nit bsunders linear z sy bruucht, in Variantè für chlyni un für großi Leischtigè

Hüt differenzyrt mò no mee nõch èm Aawendigsgebièt. D Maßschtääb hèn sich ebbèfalls voschobè, d Gränz vo 100&nbsp;kHz für HF-Transischtorè würd hüt ca. um dè Faktor 1000 höcher aagsetzt wörrè.

=== Digitali Schaltigstechnig ===
Uusgehend vo dè Zaal vo dè gfertigtè Bauelemènt isch s Hauptaawendigsgebièt vo Transischtorè i dè [[Digitaltechnik|Digitaltechnig]] dè Ysatz in [[Integrierte Schaltung|integryrtè Schaltigè]], wiè byschpillswys [[Random Access Memory|RAM-Spycher]], [[Flash-Speicher|Flash-Spycher]], [[Mikrocontroller]], [[Mikroprozessor|Mikroprozessorè]] un [[Logikgatter]]. Dõby befindet sich bi hochintegryrtè Schaltigè übber 1 Milliardè Transischtòrè uff èm Subschtraat, welles meischtens uss Silizium bschtòt un è Flächi von einigè Quadratmillimetèr uffwyst. Diè im Johr 2009 nõ exponentièll wachsendi Steigerigsrõtè bi dè Bauelemènteaazaal pro integryrtem Schaltchreis wörd au als [[Mooresches Gesetz|Moorsches Gsetz]] benamst. Jedi vo sellènè Transischtòrè wörd dõby als è Art elegtronischer Schalter ygsetzt, um èn Deilschtròm i dè Schaltig y- odder uuszschaaltè. Mit sellèrè immer höcherè Transischtòrzaal pro Chip wörd sellèm sini Spycherkapazidät odder sin Funktionsumfang größer, idèm bi modernè Mikroprozessorè byschpillswys immer mee Aktividätè in mengènè [[Prozessorkern|Prozessorkärn]] *barallel'' abgarbeitet wörrè könnè. Sell alles steigerèt in èrschter Linniè d Arbètsgschwindigkeit; well diè einzelnè Transischtòrè innerhalb vom Chips deby abber au immer chlyner worrè sin, sinkt au dè jewylige Energyvobruuch, so dass d Chips insgsamt au immer energyschparender (bezogè uff d Arbètsleischtig) wörred.

D Größi vo dè Transischtòrè (Gate-Längi) bi hochintegryrtè Chips bedrait im Johr 2009 oft nu no wenigi Nanometèr. So bedrait byschpillswys d Gate-Längi vo Prozessorè, wo i dè sognanntè 45-nm-Technig gfertigèt worrè sin, nu öppè 21&nbsp;nm; D 45&nbsp;nm bi dè 45-nm-Technig bezièned sich uff d Größi vo dè chlynschtè lithographisch fèrtigbarè Struktùr, diè sognannti , wa i dè Regèl dè unterschte Metallkontagt mit èm Drain-Source-Gebièt isch.
Diè führendè Halbleiterunternämmè trybed selli Vochlynerig au no i dè nägschstè Johr voraa, so hèt Intel im Dezembèr 2009 diè neu 32-nm-Testchips vorgschtellt, diè Aafang 2010 in Seriè gangè sin. Au AMD/Globalfoundries hèt im Johr 2010 d Serièbroduktion in 28-nm- un 32-nm-Technik aagfangè, d 20-nm-Technology wörd vo AMD im Johr 2015 aapeilt. Intel isch no ambitionyrter un erhofft sich durch neui Technologiè è Reduzyrig vo dè Größi bis uff 11&nbsp;nm bis zum Johr 2015. I dè nõchfolgendè Tabellè isch byschpillhaft d Aazaal vo dè uff einigè Mikroprozessorè ygsetztè Transischtòrè aagää:

### Analogi Schaltigstechnig
I dè analogè Schaltigstechnig findet sowoll Bipolartransischtorè als au Feldeffèkttransischtorè in Schaltigè wiè m Operationsvoschtärker, Signalgeneratorè odder als hochgnaui Referenzschpannigsquèlleè Aawendig. Als Schnittschtellè zu dè digitalè Aawendigè fungyred AD-Wandler un DA-Wandler. D Schaltigè sin deby im Umfang wesèntlich chlyner. D Aazaal vo dè Transischtorè pro Chip bewegèd sich im Berych vo einigè 100 bis zu einigè 10&nbsp;000 Transischtorè.

In Transischtorschaltigè für d Signalvoarbeitig wiè Vorvoschtärker isch s Ruuschè è wesèntlichi Störgrößi. S spillt deby vo allem s thermischi Ruuschè, s Schrotruuschè sowiè s 1/f-Ruuschè è Rollè. By m MOS-Feldeffèkttransischtor isch s 1/f-Ruuschè schu unter ca. 1&nbsp;MHz bsunders groß. S unterschydliche Ruuschvohaaltè bschtimmt ebbèfalls diè möglichè Ysatzberych vo dè Transischtortûpè, byschpillswys im Nidderfrequènzvoschtärker odder in speziellè ruuscharmi Hochfrequènzumsetzer.

I dè analogè Schaltigstechnig wörred au hüt no diskreti Transischtorè vo unterschydlichè Tûpè ygsetzt un mit anderè elegtronischè Bauelemènt uff Leiterblattè vobundè, wenn s für selli Aaforderig no kei fèrtigi integryrti Schaltigè bzw. Schaltigsdeil git. Èn witerè Ysatzberych für dè Ysatz vo diskretè Transischtorschaltigè lyt im qualidativ höcherè Segmènt vo dè Audiotechnig.

### Leischtigselegtronik

Transischtorè wörred in unterschidlichè Berych vo dè Leischtigselegtronik ygsetzt. Im Berych vo Leischtigsvoschtärker findet si sich in Èmdschtufè. Im Berych vo dè greglètè Stròmvosorgigè wiè bi Schaltnetzdeil findet Leischtigs-MOSFET odder IGBT Aawendig – si wörred dört als Wechsèlrichter un sûnchroni Glychrichter vowendèt. IGBT un Leischtigs-MOSFET dringèd zuènemmend in Berych vor, wo bishèr größerè Thûrischtorè vorbhaaltè gsi sin, bspw. in Wechsèlrichter odder Motòrschtüèrigè. Dè Vordeil vo Leischtigstransischtorè gegèübber Thûrischtorè isch diè Möglichkeit, Transischtorè jedderzit y- odder uusschaltè z könnè. Herkömmlichi Thûrischtorè könned zwar jedderzit ygschaltet (zündet) wörrè, abber nit bzw. nu mit zuèsätzlichem Schaltigsuffwand widder uusgschaltet wörrè. Èn Umschtand, wo vor allem bi Glychschpannigsaawendigè vo Nõchdeil isch.

Uffgrund vo dè Voluschtleischtigè i d Leischtigselegtronik kömmed meischtens größeri Transischtorghüüs wiè TO-220 odder TO-3 zur Aawendig, wo zuèsätzlich è guèti thermischi Vobindig zum Küülkörper ermögliched.

## Literadur
* 
* 
* 

## Weblinggs

* 
* 
* 
* 
* 
* 
* 

## Einzelnõchwys