Title: LPCVD silicon nitride and oxynitride films
Subjects: Complementary Metal oxide semiconductors, Thin film devices, Silicon nitride, Materials, Very large scale integration, Integrated circuits, UE/CE Union européenne, Technologie électronique, Microélectronique, ESPRIT (Programme), LPCVD-Verfahren, Siliciumnitrid, Integrierte Schaltung, Aufsatzsammlung, Siliciumoxinitride, Dünne Schicht, Dampfabscheidung, Microelectronics