Über den Einfluss statischer, transversaler Magnetfelder auf die Stromverdrängung in Halbleitern hoher Trägerbeweglichkeit
Publisher: Juris-Verlag
Published: 1960
Place of publication: Zürich
Language: ger
Number of pages: 82
Subjects: Semiconductors
Notes: Lebenslauf.

Promotionsarbeit--Eidgenössische Technische Hochschule, Zürich.

Bibliography: p. 80-82.