Zwischenschichteinfluss auf das Rauschverhalten epitaxialer GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren
By: Mohamed Kamel Ahmed
Contributors: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
Published: 1982
Language: ger
Number of pages: 179
Notes: Thesis (doctoral)--Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 1982.