Colloque international sur l'epitaxie des semiconducteurs
Subtitle: Epitaxial growth of semiconductor material, 30 aôut-1er septembre 1982, Perpignan (France)
Series: Journal de physique -- 1982, C5
Publisher: Éditions de physique
Published: 1983
Place of publication: Les Ulis, France
Language: eng; fre
Number of pages: 511
Subjects: Crystals; Growth; Congresses; Semiconductors; Epitaxy
Other titles: Epitaxial growth of semiconductor material.
Notes: English and French.

"Journal de physique, tome 43, Colloque C-5, supplément au no 12, décembre 1982."

"Europhysics journal"--Cover.

"Le Colloque international sur la relation entre les conditions de croissance epitaxiale et les propriétés des couches epitaxiales semiconductrices à été organisé à l'initiative du Comité d'organisation de la 16è Conférence internationale sur la physique des semiconducteurs, en tant que réunion satellite de cette dernière conférence"--Foreword.

Includes bibliographical references and indexes.