Herstellung und Eigenschaften von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration
By: Heinrich Dämbkes
Contributors: Universität Duisburg
Published: 1983
Language: ger
Number of pages: 186
Notes: Thesis (doctoral)--Universität-GH-Duisburg, 1983.