Charakterisierung von epitaktisch auf InP abgeschiedenen GaxIn₁-xAs-Schichten (0.45<x<0.49) mittels Photolumineszenz und Doppelkristall - Röntgendiffraktometrie
By: Karl-Heinz Goetz
Contributors: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
Published: 1984
Language: ger
Number of pages: 103
Notes: Thesis (doctoral)--Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 1984.