Einfluss der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K
By: Axel Heime
Contributors: Technische Hochschule Darmstadt
Published: 1977
Language: ger
Number of pages: 128
Notes: Thesis (doctoral)--Technische Hochschule Darmstadt, 1977.