Einführung in die Halbleiterphysik
Series: Wissenschaftliche Forschungsberichte. Naturwissenschaftliche Reihe -- Bd. 68; Wissenschaftliche Forschungsberichte -- Bd. 68.
Publisher: D. Steinkopff
Published: 1960
Place of publication: Darmstadt
Language: ger
Format: [electronic resource]
Number of pages: 237
ISBN-13: 9783642936531; 9783798501720
Subjects: Semiconductors
Description: IN DIE HALBLEITERPHYSIK Von DR. HELMUT A. MÜSER apl. Professor an der Johann-Wolfgang-Goethe-Universität in Frankfurt am Main Mit 35 Abbildungen in 46 Einzeldarstellungen und 2 Tabellen DR. DIETRICH STEINKOPFF VERLAG DARM STADT 1960 ISBN 978-3-7985-0172-0 ISBN 978-3-642-93653-l(eBook) DOI 10.1007/978-3-642-93653-1 Alle Rechte vorbehalten Kein Teil dieses Buches darf in irgendeiner Form (durch Fotokopie. Mikrofilm oder ein anderes Verfahren) ohne Achriftliche Genehmigung des Verlages reproduziert werden. Copyright 1960 by Dr. Dietrich Steinkopff, Darmstadt Softcover reprint of the hardcover 18t edition 1960 Z weck und Ziel der Sammlung Als RAPHAEL EDUARD LIESEGANG am 13. November 1947 starb, lagen 57 Bände der Sammlung vor, die er gegründet und mehr als ein Viertel jahrhundert lang herausgegeben hatte. Brücken zu schlagen zwischen den einzelnen Teilgebieten von Natur wissenschaft und Medizin, ist das Ziel der "Wissenschaftlichen For schungsberichte". Schon unter LIESEGANGS Herausgeberschaft wandelten und erweiterten sich Charakter und Absichten der Sammlung. Die ersten Bände erfaßten in Form kritischer Sammelreferate die Literatur einzelner Disziplinen aus der Zeit des ersten Weltkriegs. Später folgten monographi sche Darstellungen junger, inzwischen selbständig gewordener Zweige der Wissenschaft und neuer Methoden, die auf vielen Teilgebieten natur wissenschaftlicher Forschung allgemeine Bedeutung erlangt hatten. Verlag und Herausgeber bemühen sich, die "Wissenschaftlichen For schungsberichte" im Geiste LIESEGANGS weiterzuführen, und sie sind überzeugt, daß der Sinn dieser Tradition gerade darin besteht, die Samm lung so lebendig und wandlungsfähig zu erhalten, daß sie die Forderungen des Tages zu erfüllen vermag.
Notes: Restrictions unspecified

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Table of contents: title: Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter; title: 1.0 Allgemeines; title: 1.1 Das freie Elektron; title: 1.2 Das Elektron im Potentialtopf; title: 1.3 Das Elektron im periodischen Potential; title: 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände; title: 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi; title: Statistik; title: Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen; title: 2.0 Allgemeines; title: 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau; title: 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell; title: 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion; title: 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten; title: Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur; title: 3.0 Allgemeines; title: 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons; title: 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons; title: 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes; title: 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften; title: Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche; title: 4.0 Allgemeines; title: 4.1 Die freie Oberfläche; title: 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern; title: Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht; title: 5.0 Allgemeines; title: 5.1 Die p-n-Grenze; title: 5.2 Die Thermospannung; title: 5.3 Der innere Photoeffekt; title: 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht; title: Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten; title: 6.0 Allgemeines; title: 6.1 Der Bandabstand; title: 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen; title: 6.3 Die Beweglichkeit; title: 6.4 Bestimmung der Scheinmasse; title: 6.5 Die charakteristischen Zeiten; title: 6.6 Die Diffusionslänge; title: Literatur.