Sur les niveaux profonds introduits dans la bande interdite du silicium par irradiation avec des électrons de 300 keV
By: André Vapaille
Contributors: Faculté des sciences d'Orsay (Université de Paris)
Published: 1966
Language: fre
Number of pages: 25
Notes: Thesis (doctoral)--Faculté des sciences d'Orsay (Université de Paris), 1966.