Herstellung und Charakterisierung von InAlAs/InGaAs/InP Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit niedrigen Gate-Leckströmen
By: von Christian Heedt
Contributors: Gesamthochschule Duisburg
Publisher: [s.n.]
Published: 1995
Place of publication: [s.l.]
Language: ger
Number of pages: 198
Notes: Proefschrift Gerhard-Mercator-Universität-Gesamthochschule, Duisburg.

Thesis (doctoral)--Gesamthochschule Duisburg, 1995.

Lit. opg.: p. 171-195.