氮化銦鎵

氮化銦鎵（InGaN, InxGa1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。
InxGa1−xN的直接带隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間。
應用
LED
氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量，對游離輻射的靈敏度很低（類似其他三族元素的氮化物），因此適合用作光伏陣列材料，特別是人造衛星的光伏陣列。

太陽能電池
因為可以透過調整氮化銦鎵中銦和鎵的比例，在寛範圍下調整能隙，且其頻譜和陽光對應，因此氮化銦鎵適合用在光伏陣列中。此材料對於各層晶格不匹配產生的缺陷較不敏感，因此可以生成不同層，各層有不同的能隙。二層的多結光伏電池，其能隙分別是1.1 eV和1.7 eV，其理論最大效率可以到50%，若沈積多層，且有更廣的能隙範圍，理論上效率有可能可以到70%A nearly perfect solar cell, part 2 . Lbl.gov. Retrieved 2011-11-07.。

量子異質結構
多半是由氮化鎵加上氮化銦鎵主動層製成。氮化銦鎵可以和其他材料結合，例如GaN、，底層是碳化矽、蓝宝石甚至是矽。

奈米柱
氮化銦鎵是立體結構，和平面LED比較，奈米柱發射表面較大、效率較好，光發射量也比較大。

安全性和毒性
有關氮化銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化銦鎵製備原料（像三甲基铟、三甲基镓和氨）的議題以及標準有机金属化学气相沉积法來源的工業衛生監控，目前已有文獻回顧。
相關條目
 磷化銦鎵


參考資料

Category:铟化合物
Category:镓化合物
Category:氮化物
Category:III-V半導體材料
Category:发光二极管材料