前道工序

是IC制造的第一部分，其中各个元件（晶体管、电容器、电阻器等）在半导体中进行图案化。 FEOL通常涵盖（但不包括）金属互连层沉积之前的所有内容。

对于CMOS工艺，FEOL包含形成隔离CMOS元件所需的所有制造步骤： 

 选择要使用的晶圆类型；晶圆的化学机械平坦化和清洁。
 浅沟槽隔离(STI)（或早期工艺中的 ，特征尺寸>0.25 μm）
 井區形成（Well formation）
 栅极模块形成
 源极和漏极模块形成

 相关 

 后道工序
 集成电路

 参考 

Category:半導體元件製程
Category:電子製造