后道工序

是IC制造的第二部分，其中各个器件（晶体管、电容器、电阻器等）与晶圆上的布线（金属化层）互连。常见的金属有铜和铝。 BEOL通常在晶圆上沉积第一层金属时开始。BEOL包括触点、绝缘层（电介质）、金属层以及用于芯片与封装连接的接合位点。

在最后一个FEOL步骤之后，就会出现一个带有隔离晶体管（没有任何电线）的晶圆。在制造阶段的BEOL部分中，形成接触（焊盘）、互连线、通孔和介电结构。对于现代IC工艺，可以在BEOL中添加 10 多个金属层。

BEOL 步骤：

 源极和漏极区域以及多晶硅区域的硅化。
 添加电介质（第一层，下层是预金属电介质（PMD） – 将金属与硅和多晶硅隔离，对其进行CMP处理
 在 PMD 上打孔，并在其中建立接触点。
 添加金属层1
 添加第二个电介质，称为金属间电介质（IMD）
 通过电介质制作通孔以将较低金属与较高金属连接。通过金属CVD工艺填充通孔。
 重复步骤 4-6 以获取所有金属层。
 添加最终钝化层以保护微芯片

1998 年之前，几乎所有芯片都使用铝作为金属互连层。 

BEOL 之后有一个“後段製程”，该工艺不是在洁净室中完成的，通常由不同的公司完成。它包括晶圆测试、晶圆背面研磨、芯片分离、芯片测试、 IC封装和最终测试。

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 前道工序
 集成电路
 磷硅酸盐玻璃

 参考 

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