齊納效應

在電子學中，齊納效應（），又稱齊納崩潰（）其是一種電擊穿。當一個pn接面中的逆向偏壓太大，使大量自由載子得以從半導體價帶穿隧到導帶的時候，就會出現這種情況，具體的表現是迅速暴增的逆向電流。

齊納效應是由美國物理學家克拉倫斯·齊納發現；這個現象後來被是運用在齊納二極體之中，它具有穩定電壓的功能。

 機制 
在強勁的逆向偏壓下，pn接面的空乏區變寬，導致接面上產生高强度電場。電場如果夠強，就能讓電子穿越的空乏區，產生大量的自由載子，這導致逆向電流暴增。。在齊納效應發生後，齊納二極體電流-電壓曲線的斜率很大（也就是電導很大）。

 與突崩潰的關係 
齊納效應跟突崩潰不同。突崩潰發生時，空乏區中的載子一樣會被電場加速；但與齊納效應不同的是，突崩潰時，電子的能量足以藉由碰撞原子中的束縛電子，來釋放電子電洞對（此過程稱為）。齊納效應和突崩潰可能同時發生，也可能各自發生而不相關。

對pn接面二極體來說，發生在逆向偏壓5伏特以下的電擊穿通常是由齊納效應引起的，而發生在5伏特以上的話，則是由突崩潰引起的。而如果是接近5伏特的時候發生，通常是這兩種效應的某種組合引起的。

 參考文獻 
 內文引註 

 來源 


Category:電擊穿