核独立化学位移

核独立化学位移（）是被使用得最广泛的衡量芳香性的指标。它的含义是在某个人为设定的不在原子核位置上的磁屏蔽值的负值，负值越大（即对磁场屏蔽越强）则芳香性越强。这个位置的设定有一定的任意性。NICS在使用之初，原文（JACS,118,6317）是将这个位置取在共轭环的几何中心，这个位置的NICS被称为NICS(0)。

随后有人认为取在环中心会将σ和π轨道的贡献叠加在一起而说不清楚，于是提出取在平面上方或下方1埃的位置，称为NICS(1)，这个指标体现的主要是π电子的贡献。后来有人更进一步认为，NICS值不该取各项同性值（磁屏蔽张量xx、yy、zz之和的平均），而应该只考察zz值（z轴垂直于环平面），这样最适合体现π芳香性，这被称为NICS(1)_zz。虽然NICS(1)_zz还是不可避免地稍微掺入了一点的σ轨道的影响，但这种影响几乎可以忽略，因此NICS(1)_zz很适合讨论π芳香性。

NICS值可以判断芳香性是否存在，不能决定芳香性的强弱，例如蒽分子中，中间的环比两端的NICS值更负（绝对值更大）但9,10位在大多反应中活性却更高。

 NICS数据 
SystemNICS(0)NICS(1)NICS_zz(1)Al3--35.8-26.7-30.6Al4^2--34.5-27.4-54.9Al2Si2-11.7-16.9-35.5As4^2-8.54.121.9As5--15.3(-20.5)-14.6(-19.5)-33.9B4-35.7-9.14.8B4+-33.4-6.61.9B4--42.0-19.2-27.0B5-17.1-14.1-21.1B5+-36.2-18.8-24.3B5--7.3-13.8-22.3B6-23.3-1.98.8B6^2--3.6(-4.2)8.9(9.0)29.0B2Si2-42.0-29.1-57.2B2Si2+-39.8-21.3 -36.5B2Si2^2+-25.7-0.719.4B4Si3-9.2-2.88.3B4Si2^2+-13.3-8.5-15.7Be513.15.8-15.7Be5--4.8-4.6 -23.6Be2Al3+-24.5-19.0-32.1Be3Al2+-10.3-8.4-27.9Be3Al2^2+-0.8-2.2-25.4Be4Al2^2+13.010.012.3Be2Si2-22.4-12.6-8.2Be2Si2--28.2-19.8-33.8Be2Si2^2--33.5-24.9-53.9Be3Si2-30.3-21.7-36.8C3B4-22.6-12.4-19.3C2N2+-28.8-14.6-23.1C3N+-18.7-18.7-34.9C3N2--14.0-4.7-11.7C3N3^2+-28.2-15.7-38.4Ga3--27.3-22.6-25.1Ga4^2--39.2-29.9-57.7GeAl3--34.7-28.5-56.7Mg3-1.0(1.7)-1.5(1.2)-7.5Mg3--0.2-2.6-14.6Mg3^2--2.8-4.0-12.2Mg4^2+-10.7-8.6-25.7Mg2Al3+-4.8-10.8 -46.3Mg2Si2^2--24.1-21.9-49.1Mg3Si2^2+-33.4-17.3-16.8N4^2-4.0-1.5-8.6N5--16.5-16.5-45.2P4^2-9.63.717.6P5--16.6(-18.5,-22.0)-15.8(-18.3)-39.2S4^2+2.1(-10.6)-0.5(-7.9)9.0S2N23.6(-2.6)1.4(-4.7)1.1S4N3+-10.0(-12.1)-8.8(-10.7)-21.0S4N4^2+-17.4(-20.6)-14.7(-17.0)-41.5Se4^2+-3.1(-9.8)-2.2(-7.6)6.9Si3^2+-28.0-21.6-30.5Si4^2+-42.0-28.8-58.0SiAl3--33.9-26.3-52.5
NICS(0)与NICS(1)数据存在多个不同来源，详见原文。
 参考资料 

Category:核磁共振