氧化銦鎵鋅

氧化銦鎵鋅（，缩写：）是一種半導體，可用於制作顯示器中的薄膜電晶體。IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构（JST）共同開發成IGZO透明不定形氧化物技術http://dx.doi.org/10.1038/nature03090。IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感，耐用度上只能用做民間消費品，不能用於高可靠度的軍用或工業環境。

IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現解析度高出一倍，電子遷移率快十倍，成為OLED技術的最大對手。

日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權。

LTPS（低溫多矽顯示面板）的表現在某些方面比IGZO更佳（如電子遷移率比IGZO快約十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。

 參見 
細野秀雄

 参考文献 

 参见 
 OLED

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