异丁基锗烷

异丁基锗烷（IBGe，化学式：(CH3)2CHCH2GeH3）是一种有机锗化合物。它是一种无色不稳定的液体，用于有机金属化学气相沉积法。在张力硅的应用中，异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜（例如锗化硅）。它还用于制备NAND Flash中的GeSbTe。

参考资料

拓展阅读
 IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l’optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.

外部链接
 Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, LPN CNRS
 IMEM-CNR Institute 

Category:半导体
Category:有机锗化合物
Category:烷基金属
Category:异丁基化合物