零电容随机存储器

零电容随机存储器（，缩写：）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应（）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器（SRAM，常在快取中应用）相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。

 外部链接 
 Technology Overview of Z-RAM 
 No-capacitor DRAM doubles memory density
 AMD licenses Z-RAM technology
 SOI is not required anymore

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