鉅景科技

鉅景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立於2002年。是一間專精於提供SiP和MCP微型化解決方案之IC整合設計公司。2005年鉅景針對消費性電子輕薄短小的訴求，研發MCP系列產品，並於當年度上市銷售；2006年至2008年間，鉅景成功进入數位相機的MCP市場；2008年度MCP產品的銷售更達到12Mpcs。在全球的數位相機MCP市場上，已擁有10%的市場佔有率，是台灣致力於研發MCP和SiP的領導廠商。

'''2019年，鉅景科技股份有限公司更名為沃福仕股份有限公司，ChipSiP繼續保留為產品品牌，將繼續利用多年來累積深厚微型化系統的設計與整合經驗，為客戶提供多元的客製化需求元件，開拓多樣化的終端產品應用領域，滿足客戶需求為優先，不斷追求創新，堅持最佳品質。我們帶領精實敏捷的專業團隊，將持續與全球客戶、廠商維持穩定信任的合作夥伴關係，在設計整合的服務中努力精進，共同面對機會與挑戰，展現優質的產業競爭力，優化全球性市場的占有率。

產品列表
鉅景多年發展SiP和MCP產品，擁有超過10年以上之RF、邏輯等元件設計與整合經驗，並建立龐大之晶圓資料庫與封裝資源整合能力，有效運用SiP技術為客戶提供標準與客製化產品服務。

 MCP系列產品 

在2008年5月鉅景發表全球第一個的9X9mm封裝的快閃記憶體(Nand flash)加上動態存取記憶體(DDR/DDRII)的Memory MCP。為滿足客戶需要更多設計空間和彈性的要求，鉅景設計不同容量與規格的Memory MCP供客戶選擇，亦根據客戶需求設計客製化Memory MCP。

● 使用MCP的優點:

1. 節省整體物料成本

2. 簡化設計流程

 DSC MCP Product 
 CT47 NAND Flash+DDR SDRAM

Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable CT47568SR566256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM3.3Vx850ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4M/P CT47128SR566512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM3.3Vx830ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4Request CT47248NS5661Gb NAND+256Mb DDR SDRAM3.3Vx825ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4Request CT47568SR126256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM3.3Vx850ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4M/P CT47248NS1261Gb NAND+512Mb DDR SDRAM3.3Vx825ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4Ready CT47488NS1262Gb NAND+512Mb DDR SDRAM3.3Vx825ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4Request CT47568SR566A256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM3.3Vx850ns2.5Vx16DDR400FBGA9x9x1.2Request CT47568SR126A256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM3.3Vx850ns2.5Vx16DDR400FBGA9x9x1.2Request CT47128SR126A512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM3.3Vx830ns2.5Vx16DDR400FBGA9x9x1.2Request

 CT48 NAND Flash+DDRII SDRAM

Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable CT48568SR126256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM3.3Vx850ns1.8Vx16DDRII667FBGA10x13x1.4M/P CT48248NS1261Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDRII667FBGA10x13x1.4Request CT48488NS1262Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDRII667FBGA10x13x1.4M/P CT48568SR246256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM3.3Vx850ns1.8Vx16DDRII667TFBGA10x13x1.2M/P CT48128SR246512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM3.3Vx830ns1.8Vx16DDRII667TFBGA10x13x1.2Request CT48248NS2461Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDRII667TFBGA10x13x1.2M/P CT48488NS2462Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDRII667TFBGA10x13x1.2Ready CT48568SR126A256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM3.3Vx850ns1.8Vx16DDRII667TFBGA9x9x1.2M/P CT48128SR126A512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM3.3Vx830ns1.8Vx16DDRII667TFBGA9x9x1.2M/P CT48248NS126A1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDRII667TFBGA9x9x1.2Request CT48248NS246A1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDRII667TFBGA9x9x1.2Ready

 CT83 DDRII SDRAM Stack

Part NumberDescriptionDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable CT83962C4Gb DDRII 1.8Vx32DDRII667FBGA10x13x1.42009/7 CT83482D2Gb DDRII1.8Vx32DDRII667FBGA10.5x13.5x1.12009/9 CT83242D1Gb DDRII1.8Vx32DDRII667FBGA10.5x13.5x1.1Request

 Mobile Phone MCP Product 

 M71 NOR Flash+pSDRAM

Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable M71NL03240BGW0P(K)032Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM3.3Vx1670ns3.3Vx1670nsTFBGA7x9x1.2Ready M71PL03280BGW0E032Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM3.3Vx1670ns3.3Vx1670nsTFBGA7x9x1.22009/8 M71PL032A0BGW0E032Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM3.3Vx1670ns3.3Vx1670nsTFBGA7x9x1.22009/8 M71PL064A0BGW0E0A64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM3.3Vx1696ns3.3Vx1670nsTFBGA7x9x1.22009/8 M71PL064B0BGW0E0A64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM3.3Vx1696ns3.3Vx1670nsTFBGA7x9x1.22009/8

 Smart Phone MCP Product 

M5D NAND Flash+M-SDRAM
Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable M5D568566B256Mb NAND+256Mb M-SDRAM3.3Vx850ns1.8Vx16166MHzTFBGA9x10.2x1.2Request M5D128566B512Mb NAND+256Mb M-SDRAM3.3Vx830ns1.8Vx16166MHzTFBGA9x10.2x1.2Request M5D1G8122B1Gb NAND+512Mb M-SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx32166MHzTFBGA11x13x1.2Ready M5D1G6566A1Gb NAND+256Mb M-SDRAM1.8Vx1625ns1.8Vx16166MHzTFBGA10.5x13x1.22009/Q3

M5E NAND Flash+M-DDR SDRAM

Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable M5E568562B256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM3.3Vx850ns1.8Vx32DDR333TFBGA11x13x1.2Request M5E128566(2)B512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM3.3Vx830ns1.8Vx16/x32DDR333TFBGA11x13x1.2Request M5E1G8566(2)B1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16/x32DDR333TFBGA11x13x1.2Request M5E1G8126B1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx16DDR333TFBGA10.5x13x1.2Request M5E1G8122B1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx32DDR333TFBGA10.5x13x1.2Ready M5E1G81G2B1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx32DDR333TFBGA10.5x13x1.2Ready M5E2G81G2B2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx32DDR333TFBGA10.5x13x1.2Ready M5E4G81G2B4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM3.3Vx825ns1.8Vx32DDR333TFBGA10.5x13x1.2Request M5E1G6126A1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM1.8Vx1625ns1.8Vx16DDR333TFBGA10.5x13x1.22009/Q3

 Modules MCP Product 

CT46 NOR Flash+DDR-SDRAM
Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable CT46160BB56616Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM3.3Vx8/x1670ns2.5Vx16DDR400FBGA10x13x1.4Ready CT46320BB56632Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM3.3Vx8/x1670ns2.5Vx16DDR400TFBGA8x10x1.2Request

CT72 NOR Flash+M-SDRAM

Part NumberDescriptionFlash VoltageFlash WidthFlash SpeedDRAM/RAM Voltage DRAM/RAM WidthDRAM/RAM SpeedPackageOutlineAvailable CT72326MT64632Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM1.8Vx1670ns1.8Vx16133MHzTFBGA8x10x1.2Request CT72646MT64664Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM1.8Vx1670ns1.8Vx16133MHzTFBGA8x10x1.2Ready

 SiP客製化 
 System In Package(SiP)的優點 
1.體積微型化

2.高靈活性的系統設計

3.減少較長的設計週期及功能驗證時間

4.易於整合不同的晶元製程

5.可有效抑制電磁干擾

6.某些不易取得的智財，SiP可用其封裝好的積體電路實現其PoP或PiP的結構

 SiP開發階段 
1. 工程樣品階段(三至六個月)

2. 量產階段(二至三個月)

 應用領域 

鉅景專精發展SiP 技術，並運用此技術，鉅景研發一系列不同組合的多晶片封裝記憶體(Memory MCP)產品，適用於消費性電子產品如數位相機，數位攝影機，智慧型手機，多媒體手機以及衛星導航系統。並因應消費性電子商品體積越來越輕薄且需整合更多功能的趨勢下。鉅景持續發展先進memory MCP解決方案並創造SiP產業價值鍊。

公司大事紀
2019/07：更名為沃福仕股份有限公司

2009/04：通過ISO14001:2004認證

2008/12：2008年數位相機MCP銷售量超越1千兩百萬顆出貨，市佔率10%。

2008/12：鉅景科技於公開市場興櫃，股票代碼3637。

2008/12：榮獲勤業眾信亞洲區Fast 500營收成長第十名。

2008/08：通過ISO9001:2000認證。

2008/07：獲得勤業眾信台灣高科技Fast 50 營收成長評比第二名。

2008/04：發表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP產品。

2008/01：宣佈以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP進軍高階手機應用市場。

2007/12：成功進軍韓國市場，並獲得韓系數位相機領導大廠設計認可，並量產數位相機系列產品。

2007/09：發表M71(NOR+pSRAM)MCP產品主攻多媒體手機應用。

2007/07：開發CT72(M-NOR+SDRAM)MCP應用於通訊模組客戶端。

2007/03：CT48 MCP(10x13mm)產品線，成功設計於美系數位相機品牌廠商。

2007/01：研發CT46(NOR+DDR)MCP，並設計使用於數位相機鏡頭模組。

2006/06：全球獨家發表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列產品。

2006/05：日系品牌大廠使用CT47系列產品，並成功量產其數位相機。

2005/09：開發DSC+PDA(CT162)平台。

2005/07：研發首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP產品推廣於數位相機市場。

2004/12：提供IC設計客戶端SiP服務並研發ARM-SoC+SDRAM(CT961)。

2004/06：協助系統業者開發Car Navigator相關設計應用。

2003/12：發表Bus-Multimedia系統平台。

2003/03：研發Car-Alarm相關系統設計。

2003/03：開發 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆疊)予IPC廠商。

2003/04：研發CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推數位相機客戶。

2002/02：發表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。

2002/08：鉅景成立。

參考資料
^ http://www.weforce.com.tw 

^ 黃繼寬，〈SiP理念日趨普及 鉅景代客戶操刀差異設計〉，《新通訊元件雜誌》2009年6月20日

^ 〈引領台灣SiP產業進入下一個獲利時代〉，《天下雜誌-成長400 7月號
》2008年7月

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