SOI

SOI（）全名是絕緣體上矽，是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思，原理就是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈，並減少電流漏電成為省電的IC，在製程上還可以省略部分光罩以節省成本，因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外，在SOI晶圓（SOI wafer）本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現，因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整，達到射頻元件（Radio frequency component、RF component）特性的提升。原本應通過交換器的電子，有些會鑽入矽中造成浪費；SOI可防止電子流失，與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%，並減低耗電30%。除此之外，還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點，可以說是很多超頻玩家所感興趣的，那就是它的工作溫度可高達300°C，減少過熱的問題。

SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發，最早用於Macintosh電腦（MAC）的PowerPC G4處理器，除了IBM外，還有Motorola、德州儀器（TI）、NEC等公司投入SOI技術的開發工作，但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術，因為其認為SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度，並且SOI上接合點也會減少，也就是一般製程中「漏電」的缺點所煩惱。

SOI行业联盟是負責推廣SOI技術，成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司，例如AMD和NVIDIA，而Intel並未加入該組織。

 使用SOI技術的產品 
 IBM 
Power 4
Power 5
Power 6
PowerPC G3
PowerPC 7400
Power PC

 Sony 
Cell

 AMD 
Athlon 64
Athlon X2
Athlon 64 FX
Opteron
Sempron
Phenom
Phenom II
Turion 64
Turion 64 X2
Turion Ultra
AMD Bulldozer

 VIA 
C7
C7-M
VIA C7-D

 參考文獻 
腳註

引用

S
Category:半導體結構
Category:微技術