რობერტ ნოისი

რობერტ ნორტონ ნოისი (ინგლ. Robert Norton Noyce; დ. 12 ქირსეთუთა, 1927, ბერლინგტონი, აიოვა, ააშ — ღ. 3 მანგი, 1990, ოსტინი, ტეხასი, ააშ) — ამერიკალი ფიზიკოსი დო ინჟინერი, კორპორაციეფიშ Fairchild Semiconductor-იშ დო Intel-იშ დუმარსხუაფალი. მიშეღჷ დიდი თია ინტეგრირებული მიკროსქემაშ გოვითარაფაშა. 

რობერტ ნოისი გურაფულენდჷ გრინელიშ კოლეჯის, აიოვას დო უკულ მასაჩუსეტსიშ ტექნოლოგიაშ ინსტიტუტის, სოდეთ მიპალუ მენცარობაშ დოქტორიშ ხარისხი ფიზიკას, 1953 წანას. 1953 წანას ნოისიქ მუშობა ქიდიჭყჷ ინჟინერო Philco-შ კორპორაციას. 1956 წანას ნოისიქ კომპანია ქიდიტუ დო გეგნორთჷ Shockley Semiconductor Laboratory-შა, სოდეთ ტრანზისტორიშ გჷმმაგონებელი უილიამ ბრედფორდ შოკლიწკჷმა მუშენდჷ. მალას ნოისიქ შოკლიშ ლაბორატორია ქიდიტუ დო კოლეგეფწკჷმა ართო დარსხუ კორპორაცია Fairchild Semiconductor 1957 წანას. 1968 წანას ნოისიქ დო გორდონ მურიქ დარსხუეს კომპანია Intel.

რესურსეფი ინტერნეტის

ოფიციალური ვებსაიტი 
Noyce biography on IdeaFinder.com
ნოისიშ ფონდიშ ვებსაიტი
Guide to the Robert Noyce Papers at Stanford University

კატეგორია:ამერიკალეფი
კატეგორია:ამერიკალი ფიზიკოსეფი
კატეგორია:ამერიკალი ინჟინერეფი
კატეგორია:დუნაბადი 1927
კატეგორია:ნაღურა 1990