FGMOS

FGMOS hay MOSFET cổng trôi (tiếng Anh: floating-gate MOSFET) hoặc transistor cổng trôi là transistor hiệu ứng trường MOS có cấu trúc tương tự như MOSFET thông thường, song có thêm một cổng được cách ly bằng điện, tạo ra một nút trôi đối với dòng DC, và một số cực khiển ngõ vào (Control gate) cách ly về điện được đặt phía trên cổng nổi (FG). Những ngõ vào này chỉ được kết nối điện dung với FG. Do FG được bao quanh hoàn toàn bởi vật liệu có điện trở cao, nên điện tích chứa trong nó được giữ nguyên trong thời gian dài. Thông thường các cơ chế đường hầm Fowler-Nordheim và "phun phần tử mang nóng" (tạm dịch: Hot-carrier injection) được sử dụng để thay đổi lượng điện tích được lưu trữ trong FG.

FGMOS được Dawon Kahng và Simon Min Sze ở Phòng thí nghiệm Bell phát minh năm 1967.D. Kahng, S. M. Sze. A floating-gate and its application to memory devices. In: The Bell System Technical Journal. 46, Nr. 4, 1967, p. 1288–1295.

FGMOS được sử dụng làm phần tử lưu trữ kỹ thuật số trong EPROM, EEPROM, bộ nhớ flash, yếu tố tính toán neuronal trong mạng thần kinh (neural network), phần tử nhớ tương tự (analog storage), chiết áp kỹ thuật số, và mạch chuyển đổi số ra tương tự DAC dùng transistor đơn.A. Kolodny, S. T. K, Nieh, B. Eitan, J. Shappir. Analysis and modeling of floating-gate EEPROM cells. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 33, Nr. 6, 1986, p. 835–844, doi:10.1109/T-ED.1986.22576.

Tuy nhiên hiện nay FGMOS đang được thay thế bằng phần tử charge-trap flash (CTF, tạm dịch: flash bẫy điện tích) có kích thước nhỏ hơn và tốc độ làm việc cao hơn.Betty Prince. Embedded non-volatile memories. Trong Proceedings of the 20th annual conference on Integrated circuits and systems design, SBCCI 2007. ACM, New York, 2007, p. 9-9, doi:10.1145/1284480.1284490.

+ Bảng trạng thái transitor cổng trôi FGMOS Quá trình  Điện áp Gate  Điện áp Source  Điện tích FG  Điện áp ngưỡng  Transistor  Điện áp Drain  Mức logic Đọc  >Vth(*)  GND  Xả điện  Bình thường  Dẫn điện  >GND  0 Đọc  >Vth(*)  GND  Nạp điện âm  Tăng  Cấm  >GND  1 Ghi  >10V  GND  Nạp điện  Tăng   >10V  Đổi sang 1 Xóa  GND  GND  Xả điện  Giảm   >10V  Đổi sang 0 Nghỉ  Trôi  Như nhau  Không đổi  Không đổi  Cấm  Như nhau  Không đổi
(*) Ghi chú: Vth là điện áp ngưỡng (Threshold voltage) là điện áp cổng tối thiểu cần thiết để tạo đường dẫn giữa các cực nguồn và cống (Drain), trong bảng này là cỡ 3,3 V.

 Tham khảo 

Liên kết ngoài

 Lessons In Electric Circuits - Insulated-Gate Field-Effect Transistors
 Exploiting Floating-Gate Transistor Properties in Analog and Mixed-Signal Circuit Design 
 Howstuffworks "How ROM Works"
 Floating Gate Devices
 Floating-Gate Transistors in Analog and Mixed-Signal Circuit Design
 Tunable and reconfigurable circuits using floating-gate transistors

Thể loại:Transistor
Thể loại:Linh kiện bán dẫn
Thể loại:Kỹ thuật điện tử
Thể loại:MOSFET