LPDDR

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu gấp đôi tiết kiệm năng lượng (Low-Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) còn gọi là LPDDR SDRAM, Low Power DDR, Mobile DDR hay mDDR là một loại SDRAM tốc độ dữ liệu gấp đôi cho máy tính di động.

Độ rộng bus

Giống như SDRAM tiêu chuẩn, mỗi thế hệ của LPDDR đã tăng gấp đôi kích thước tìm nạp nội bộ và tốc độ truyền tải bên ngoài. Tốc độ truyền tối đa là:

+ Các thế hệ LPDDR  LPDDR1  LPDDR1E  LPDDR2  LPDDR2E  LPDDR3  LPDDR3E  LPDDR4  LPDDR4ELPDDR5 Đồng hồ mảng bộ nhớ (tốc độ truy cập nội bộ) 200 MHz  266.67 MHz  200 MHz  266.67 MHz  200 MHz  266.67 MHz  200 MHz  266.67 MHz? Kích thước nạp trước 2n  4n  8n  16n Tần số đồng hồ bus I/O 200 MHz  266.67 MHz  400 MHz  533.33 MHz  800 MHz  1067 MHz  1600 MHz  2134 MHz? Tốc độ truyền dữ liệu (DDR) 400 MT/s  533.33 MT/s  800 MT/s  1066.67 MT/s  1600 MT/s  2133.33 MT/s  3200 MT/s  4266.67 MT/s6400 MT/s Điện áp cung cấp 1.8 V  1.2 V, 1.8 V  1.2 V, 1.8 V  1.1 V, 1.8 V Lệnh/địa chỉ bus 19 bits, SDR  10 bits, DDR  10 bits, DDR  6 bits, SDR?

Thế hệ
LPDDR nguyên bản
LPDDR nguyên bản (đôi khi được gọi là LPDDR1) là một dạng DDR SDRAM được sửa đổi một chút với một số thay đổi để giảm mức tiêu thụ năng lượng tổng thể.

Đáng kể nhất, điện áp cung cấp đã giảm từ 2,5 xuống 1,8 V. Tiết kiệm bổ sung đến từ việc làm mới bù nhiệt độ (DRAM yêu cầu làm mới ít thường xuyên hơn ở nhiệt độ thấp), tự làm mới một phần mảng và chế độ "giảm điện sâu", hy sinh tất cả bộ nhớ nội dung.  Ngoài ra, chip nhỏ hơn, sử dụng ít diện tích bảng mạch hơn so với tương đương không di động của chúng. Samsung và Micron là hai trong số các nhà cung cấp chính của công nghệ này, được sử dụng trong các thiết bị máy tính bảng và điện thoại như iPhone 3GS, iPad đời đầu, Samsung Galaxy Tab 7.0 và Motorola Droid X.

LPDDR2

Một tiêu chuẩn JEDEC mới JESD209-2E xác định giao diện LPDDR được điều chỉnh mạnh mẽ hơn.  Nó không tương thích với DDR1 hoặc DDR2 SDRAM, nhưng có thể chứa một trong hai:
 LPDDR2-S2: Bộ nhớ tìm nạp trước 2n (như DDR1),
 LPDDR2-S4: Bộ nhớ tìm nạp trước 4n (như DDR2) hoặc
 LPDDR2-N: Bộ nhớ không bay hơi (NAND flash).
+ LPDDR2/LPDDR3 command encoding CK  CA0()  CA1()  CA2()  CA3  CA4  CA5  CA6  CA7  CA8  CA9  Operation ↗  H  H  H  —  NOP ↘  — ↗  H  H  L  H  H  —  Precharge all banks ↘  — ↗  H  H  L  H  L  —  BA0  BA1  BA2  Precharge one bank ↘  — ↗  H  H  L  H  A30  A31  A32  BA0  BA1  BA2  Preactive(LPDDR2-N only) ↘  A20  A21  A22  A23  A24  A25  A26  A27  A28  A29 ↗  H  H  L  L  —  Burst terminate ↘  — ↗  H  L  H  reserved  C1  C2  BA0  BA1  BA2  Read(AP=auto-precharge) ↘  AP  C3  C4  C5  C6  C7  C8  C9  C10  C11 ↗  H  L  L  reserved  C1  C2  BA0  BA1  BA2  Write(AP=auto-precharge) ↘  AP  C3  C4  C5  C6  C7  C8  C9  C10  C11 ↗  L  H  R8  R9  R10  R11  R12  BA0  BA1  BA2  Activate(R0–14=Row address) ↘  R0  R1  R2  R3  R4  R5  R6  R7  R13  R14 ↗  L  H  A15  A16  A17  A18  A19  BA0  BA1  BA2  Activate(LPDDR2-N only) ↘  A5  A6  A7  A8  A9  A10  A11  A12  A13  A14  ↗  L  L  H  H  —  Refresh all banks(LPDDR2-Sx only) ↘  — ↗  L  L  H  L  —  Refresh one bank(Round-robin addressing) ↘  — ↗  L  L  L  H  MA0  MA1  MA2  MA3  MA4  MA5  Mode register read(MA0–7=Address) ↘  MA6  MA7  — ↗  L  L  L  L  MA0  MA1  MA2  MA3  MA4  MA5  Mode register write(OP0–7=Data) ↘  MA6  MA7  OP0  OP1  OP2  OP3  OP4  OP5  OP6  OP7

LPDDR3
Tháng 5 năm 2012, JEDEC công bố tiêu chuẩn thiết bị bộ nhớ năng lượng thấp JESD209-3.JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips, Solid State Technology magazineJESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard, JEDEC Solid State Technology Association

LPDDR4
Vào ngày 14 tháng 3 năm 2012, JEDEC đã tổ chức một hội nghị để khám phá các yêu cầu thiết bị di động trong tương lai sẽ thúc đẩy các tiêu chuẩn sắp tới như LPDDR4. Ngày 30 tháng 12 năm 2013, Samsung đã thông báo rằng họ đã phát triển LPDDR4 loại 8 gibibit (1 GiB) đầu tiên có khả năng truyền dữ liệu với tốc độ 3.200 Mb/s trên mỗi pin, do đó cung cấp hiệu suất cao hơn 50% so với LPDDR3 nhanh nhất và tiêu thụ năng lượng ít hơn khoảng 40% ở 1,1 V.http://www.softnology.biz/pdf/JESD79-4_DDR4_SDRAM.pdf  JESD79 DDR4 SDRAM Standard
+ LPDDR4 command encoding Username and password "cypherpunks" will allow download. First cycle (CS=H) Second cycle (CS=L)  Operation CA5  CA4  CA3  CA2  CA1  CA0 CA5  CA4  CA3  CA2  CA1  CA0 L  L  L  L  L  L —  No operation H  L  L  L  L  L 0  OP4  OP3  OP2  OP1  1  Multi-purpose command AB  H  L  L  L  L —  BA2  BA1  BA0  Precharge (AB=all banks) AB  L  H  L  L  L —  BA2  BA1  BA0  Refresh (AB=All banks) —  H  H  L  L  L —  Self-refresh entry BL  L  L  H  L  L AP  C9  —  BA2  BA1  BA0  Write-1 (+CAS-2) —  H  L  H  L  L —  Self-refresh exit 0  L  H  H  L  L AP  C9  —  BA2  BA1  BA0  Masked Write-1 (+CAS-2) —  H  H  H  L  L —  (reserved) BL  L  L  L  H  L AP  C9  —  BA2  BA1  BA0  Read-1 (+CAS-2) C8  H  L  L  H  L C7  C6  C5  C4  C3  C2  CAS-2 —  H  L  H  L —  (reserved) OP7  L  L  H  H  L MA5  MA4  MA3  MA2  MA1  MA0  Mode Register Write-1 and -2MA=Address, OP=Data OP6  H  L  H  H  L OP5  OP4  OP3  OP2  OP1  OP0 —  L  H  H  H  L MA5  MA4  MA3  MA2  MA1  MA0  Mode Register Read (+CAS-2) —  H  H  H  H  L —  (reserved) R15  R14  R13  R12  L  H R11  R10  R16  BA2  BA1  BA0  Activate-1 and -2 R9  R8  R7  R6  H  H R5  R4  R3  R2  R1  R0
LPDDR4X

Bộ phận bán dẫn Samsung đã đề xuất một biến thể LPDDR4 có tên LPDDR4X. LPDDR4X giống hệt LPDDR4 ngoại trừ năng lượng bổ sung được tiết kiệm bằng cách giảm điện áp I/O (Vddq) từ 1,1 V xuống 0,6 V.

LPDDR5

Vào ngày 19 tháng 2 năm 2019, JEDEC đã xuất bản JESD209-5, Tiêu chuẩn cho Tốc độ dữ liệu gấp đôi tiết kiệm năng lượng 5 (LPDDR5).

Tham khảo

Liên kết ngoài
 Micron 
 Elpida 
 Nanya 
 Samsung
 JEDEC pages: LOW POWER DOUBLE DATA RATE 3 SDRAM (LPDDR3) 

Thể loại:SDRAM
Thể loại:Bộ nhớ máy tính