Tranzistor

Tranzistor (İnglizçä transistor, to transfer – küçerü, häm resistor – rezistor) ul öçelektrodlı yarımütkärgeç qorılması, signal köçäytü, törle yışlıqlı elektr tirbänüe tudıru häm üzgärtü öçen kiräk äyber.


 Tarix 
1947. yılda John Bardeen, Walter Brattain häm William Shockley tarafınnan uylap tabılğan.

 Tözeleş 
İñ küpläp citeştergän tranzistor germaniy, kremniy yäisä başqa yarımütkärgeçtän yasalğan, 2×2 mm zurlıq plastinka (nigez). Tranzistor yarımütkärgeç elektronnar ütkärüçänlekle (n-típ) yä tişeklär ütkärüçänlekle (p-típ) bula. Plastinka külämenä ike nigezgä qarşı ütkärüçänlekle ölkä urnaşqan. Yarımütkärgeç nigeze şundıy ölkälär belän ike p-n küçü oyıştıra. Bu küçülär sıyfatı yarımütkärgeç diodına oxşaş. Ägär nigez n-tiplı, ä ölkälär p-tiplı, tranzistor p-n-p strukturalı bula. Kiresençä, nigez p bulsa, ölkälär n bulsalar, tranzistor n-p-n bula.

Tranzistor tözeleşe qaramıyça, nigez plastinkasın baza B atıylar, kimräk ölkäne – emitter E (İnglizçä emit - nurlandıru), zurraq ölkä – kollektor C (İnglizçä collect – cıyu). Baza belän kollektor arasındağı elektron-tişekle küçüne kollektor küçüe, emitter belän baza arasındağı küçüne emitter küçüe atıylar. 

Sxemalarda grafik sürätläre şundıy: p-n-p tranzitorda uq emittordan bazağa, n-p-n tranzistorda bazadan emittorğa yünältelgän.

|- align = "center"
| 45px || PNP || Файл:JFET_symbol_P.png || P-kanal
|- align = "center"
| 45px || NPN || Файл:JFET_symbol_N.png || N-kanal
|- align = "center"
| BJT || || JFET ||

 Model 
Tranzistornıñ iñ berençe modele - ağım köçäytkeçe modele. Bu model tranzistordağı fizik protsessların añlatmıy, ul sxemotexnika öçen kiñ qullanıla. Tübänge yazıp birü n-p-n tiplı tranzistor öçen birelgän. P-n-p tranzistor öçen anı kiresençä qullanırğa kiräk.
 Kollektor potentsialı emitter potentsialdan uñayraq (pozitivräk)
 Baza-emitter belän baza-kollektor tezmäläre diodlar kebek eşlilär. thumb|150px|Tranzistornıñ tupaslandırğan sxema|right
 Här tranzistorda üz maksimal IK, IB, UKE bar. Bu zurlıqlardan artıruı tranzistornı beterä. Maksimal yegärlege (IKE, UKE), temperatura, UBE-nı onıtıp ta bulmıy.
 Ägär 1-3. qağidälär eşlilär, IK IB-tän turı proportsional zurlıq: 

h21E - ul h-parameterlardan berse, ağım köçäyätü koeffetsiente. Anıñ zurlığı 100-gä yaqın. IE belän IK emittergä ağalar (NB! Tupaslandırğan sxemada tranzistor ike diod kebek sürätlängän, şul säbäple bu sxema buyınça IK kollektordan bazağa ağa almıy. Läkin bu sxema tupaslandırğan, häm ağım ağa, çönki real tranzistorda başqa protsesslar eşlilär).

 Qullanış 
Tranzistorlar keçe amplitudalı kerü signalın zurraq amlitudalı çığu signalina äyländerälär. Şundıy eşneñ iñ ğadi misalı: tirbänülär köçäytkeçe.

 Klassifikatsiä 
p-n-p belän n-p-n tranzistorlar bipolär (Latinça bis - ike), çönki alarnıñ eşendä ike törle ağım taratuçı – tişek häm elektron. Alardan tış unipolär (Latınça unus - ber) tranzistorlar qullanalar. Alarda tik elektronnar yä tik tişeklär eşlilär. Unipolar tranzistorlarnıñ qarşılığı alıp baruçı elektrod potentsialı belän yörtelä. Unipolar tranzistorlar köçäytmilär, alar elektr açqıç role uynıylar. Tranzistrolar fototranzistorlarğa, ikebazalı diodlarğa häm başqalarğa bülänälär.

 Ädäbiät 
 Yäş Texnikneñ Entsiklopädik Süzlege, Mäskäw, 1980
 Horowitz, Hill. Sxemotexnika nigezläre, Mäskäw, 1998

Төркем:ЭлектродинамикаТөркем:Радиотехника
Төркем:Технология
Төркем:Электроника