John B. Goodenough Ödülü

John B. Goodenough Ödülü, malzeme kimyası alanına katkıları ödüllendirmek amacıyla Kraliyet Kimya Derneği (Royal Society of Chemistry) tarafından iki yılda bir düzenlenen bir kimya ödülüdür. Malzeme Kimyası Bölümü Ödül Komitesi tarafından seçilen ödül sahibi, bir parasal ödül, bir madalya ve bir sertifika alır, ayrıca bir Birleşik Krallık konferans turu gerçekleştirir.

 Ödül geçmişi 
Başlangıçta Malzeme Kimya Forumu Yaşam Boyu Ödülü (Materials Chemistry Forum Lifetime Award) olarak anılan ödül, 2008 yılında verilmeye başlandı. İlk rastgele erişimli belleğin (RAM) geliştirilmesine ve Lityum iyon şarj edilebilir piller alanında önemli katkılarda bulunan malzeme bilimcisi John Bannister Goodenough'un adını almıştır.

 Önceki kazananlar 

 2009: Strathclyde Üniversitesi'nden  "polimerlerin malzeme kimyasında kullanımına yönelik araştırmalara katkılarından dolayı".
 2011: Optoelektronik ve hafif hasat için polimerik malzemeler üzerine araştırma yapan Melbourne Üniversitesi'nden Andrew Holmes.
 2013: Sheffield Üniversitesi'nden Anthony West "oksit bazlı malzemelerdeki yapı-bileşim-özellik ilişkilerine ilişkin önemli çalışmalar için".
 2015: ISIS Tesisi ve Oxford Üniversitesi'nden Profesör William I. F. David, "toz kırınımına yeni teorik ve deneysel yaklaşımlar geliştirmesi ve önemli katı hal malzemelerindeki yapı-özellik ilişkilerinin anlaşılmasına katkılarından dolayı".
 2017: Cambridge Üniversitesi'nden Profesör Stephen R. Elliott, "kalkojenit camlara ve endüstri için faz değişim malzemelerine uygulandığında düzensiz malzemeler bilimine yaptığı seçkin katkılardan dolayı".
 2019: Cambridge Üniversitesi'nden Clare Gray, "elektrokimyasal cihazlarda yapı ve dinamikleri incelemek için manyetik rezonans yöntemlerinin öncü ve yenilikçi kullanımları için.

 Kaynakça 

Kategori:2008'de Birleşik Krallık'ta kurulan oluşumlar
Kategori:2008'de oluşturulan ödüller
Kategori:Kraliyet Kimya Topluluğu tarafından verilen ödüller