திடீர் நினைவகம்

திடீர் நினைவகம் (flash memory) என்பது ஒரு வகை படிப்பு நினைவகம் (ROM). ஒரு பதிமுறைமையில் திடீர் நினைவகத்தில் தொடக்க நிரற்றொடரை (bootup code) பதிந்துக் கொள்ளப்படுகிறது. இவ்வகை நினைவகங்கள் புகைப்படக்கருவிகள், அலைபேசிகள், சலவைப்பெட்டிகள், சீருந்து பதிமின்னணுவில் (car embedded electronics), பொதுவாக அனைத்து பதிபயனகங்களில் (embedded applications) பிரபலமாகிவிட்டது.

இரண்டு வகைகளான திடீர்நினைவகச் சாதனங்கள் தயாரிக்கப்படுகின்றன. முதல் வகை இல்லல்லது திடீர்நினைவகம். முதல் வகை இல்லல்லது திடீர்நினைவகம் (NOR flash). இதில் நிரற்றொடர் செயற்பாடு (code execution) விரைவானது. ஆனால் அழிப்பு மந்தமானது. கடந்த ஆண்டுகளாக இந்த வகை திடீர் நினைவகம் பிரபலமாக இருந்து வந்தது. அண்மைக் காலங்களாக இல்லும்மை திடீர்நினைவகம் (NAND) மிகவும் புழக்கத்தில் பயன்பட்டு வருகிறது. இவ்வகை திடீர்நினைவகம் இல்லும்மை வகையை விட அதிகக் கொள்ளளவில் கிடைக்கிறது.

 வரலாறு 
டாக்டர் Fujio Masuoka 1980ஆம் ஆண்டு தோஷிபாவில் வேலை செய்யும் போது திடீர் நினைவகம் (இல்லல்லது திடீர்நினைவகம் மற்றும் இல்லும்மை திடீர்நினைவகம்)
கண்டுபிடிக்கப்பட்டது.

 அறுவை கொள்கைகளை 

 வரம்பெல்லைகள் 
 தொகுதி அழிப்பு 
திடீர் நினைவகம் பன் வழி முறையில்  திட்டமிடப்பட்ட ஒரு பைட்டை பயில முடியும் ஆனால் ஒரு பிட்டை அழிக்க முழு பகுதியை அழிக்க வேண்டியுள்ளது.
அழிவுபட்டபின் முழு பகுதியும் எண் ஒன்றால் அக்ரமிப்பு செய்யப்படுகிறது ,இதன் பிறகு திட்டமிடல் செய்துகொள்ளமுடிகிறது.ஒருபொழுது ஒரு பிட்டை ஒன்றனால் மறுபடியும் அதை புஜியம் ஆக மாற்ற ழூழு பகுதியையும் அழிக்கவேண்டியுள்ளது.

 நினைவக உடைகள் 
மற்றொரு வரையறை என்னவென்றால் கட்டுப்பாடான நிரல் அழித்தல் சுழற்சி, அதாவது 1,00,000 முறை மட்டுமே அழிக்கும் திறன் மிகுந்தால் நினைவக உடைகள் எற்படும். இன்று இது 10 லட்சமாக உயர்வு கண்டுள்ளது.

மேற்கோள்கள்

பகுப்பு:கணினி அறிவியல்
பகுப்பு:சப்பானியக் கண்டுபிடிப்புகள்
பகுப்பு:20-ஆம் நூற்றாண்டுக் கண்டுபிடிப்புகள்