Fäild-Effekt-Transistore

Die Fäild-Effekt-Transistor (dt. Feldeffekttransistor) is n Bauelement, dät ne elektriske Sponnenge ferstäärkje kon.

 Prinzip 

Wan me ne PN-Barriere in ju Speergjuchte sät, dan äntstoant in dät Hoolichlaiter-Materioal ne Loage sunner Leedengsdreegere, ju sonaamde Speerloage (feräärmde Loage). In sun Loage is also neen Laitenge.

 FET 
Die Effekt wäd ferwoand in dän Fäild-Effekt-Transistor (FET). Die FET is faktisk n gjucht tänne Steeuwe Hoolichlaiter-Materioal, mäd ap älke Eende n Kontakt: ju Source (Wälle) (S) un die Drain (Ouflus) (D) naamd. Hoolwais twiske do Kontakte sit ap älke Siede n PN-barriere mäd n Ansluutenge: dät Gate (ju Poute) (G). 

Gewöönelk läite do Speerloagen (gries in ju Bielde) fon dät Gate ne fräie Ruumte (gräin), sodät twiske Source un Drain n Stroom loope kon. Wäd oawers ap dät Gate ne Sponnenge in de Speergjuchte sät, dan wäide do Speerloagen tjukker, uum sik bie ne bestimde Sponnenge tou berüürjen. Dan kon twiske Source un Drain also naan Stroom moor loope. Ap ju Wiese kon die Drain-Stroom gjucht stäärk truch ju Gate-Sponnenge be-ienflouded wäide.

 Naan Stroom 

Gans wichtich is, dät ap ju Gate-Barriere altied ne Sponnenge in ju Speergjuchte stoant, wiertruch dät Gate in Prinzip neen Stroom houget. Dät is fuul gunstiger as bie dän gewöönelken Transistor, deeruum dät ju Basis deer altied wät Stroom nöödich häd.

 IGFET 
Deeruum dät bie disse "Speerloage-FET" af JFET (ängelsk "junction FET") altied noch wät Speerstroom truch ju Gate-Barriere lapt, is uk noch n uur Soarte FET uutfuunen. Deer sit twiske ju Gate-Ansluutenge un ju Gate-Barriere ne tänne Isolations-Platte, mäd as Foulge dät wuddelk goarnaan Gliekstroom lapt. Dät is die "isolierde Gate-FET" af IGFET, in ne bestimde Uutfierenge uk wäil MOSFET (Metall-Oxyd-FET).

Foar do Schaltbielden kiekje bie Transistore.

Kategorie:Physik