Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore

Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore   (ang. Dynamic Random Access Memory, shkurt DRAM), është një lloj kujtesë kompjuterike RAM që ruan çdo bit të dhënash në një kondensator të veçuar me një qark të brendësuar. Ngaqë kondensatorëve u mungon ngarkesa elektrike, informacioni humbet, vetëm nëse ngarkesa e kondensatorëve rifreskohet herë-pas-here informacioni mund të ruhet. Për shkak të këtij rifreskimi, kjo lloj kujtese quhet e fuqishme apo dinamike, e kundërt me kujtesën SRAM dhe kujtesa të tjera ndenjëse. Prandaj kujtesa DRAM ka përparësi ndaj asaj SRAM, për shkak të thjeshtësisë së saj ndërtimore: vetëm një tranzistor dhe një kondensator nevojiten për bitin, në krahasim me gjashtë tranzistorët që përdor kujtesa SRAM. Kjo e lejon kujtesën DRAM të arrijë një dendësi mbajtëse shumë të lartë. Ashtu si kujtesa SRAM, edhe ajo DRAM bën pjesë në pajisjet e kujtesave avulluese, sepse ato i humbasin të dhënat kur ushqimi elektrik ndërpritet.
 Historia 

 Parimi i punimit 
Llojet
 Shiko edhe 
 DIMM
 Kujtesa rrufe
 SRAM
 RAM
 Lidhje të jashtme 
 Parimi i punimit të kujtesës DRAM

Kategoria:Kujtesë kompjuterike

el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM