Pamäťový jav

Pamäťový jav je čiastočné zníženie kapacity NiCd akumulátorov po mnohonásobne opakovaných presne regulovaných nabíjaco-vybíjacích cykloch. 

Aby sa dosiahol pamäťový efekt, tieto cykly musia zabezpečiť nabitie aj vybitie na rovnakú úroveň približne konštantným, nie príliš veľkým, prúdom, pričom nesmie nastať úplné nabitie ani hlboké vybitie článku.

 Princíp 

Pamäťový jav bol pozorovaný na akumulátoroch použitých v kozmických družiciach, kde nabitie aj vybitie je periodicky opakovaný (v rytme obehu družice okolo Zeme) a elektronikou družice presne regulovaný dej, pričom družica má takmer konštantný odber prúdu. Fyzikálnou podstatou pamäťového javu je rast veľkých kryštálov na elektródach, čo zmenšuje plochu elektród. Ide o reverzibilný dej, po niekoľkých cykloch hlbokého vybitia a úplného nabitia (až mierneho prebitia) sa obnoví pôvodná štruktúra elektród a tým aj pôvodná kapacita článku. 

 Prax 

Keďže výskyt pamäťového javu je podmienený dodržaním množstva podmienok, v podmienkach bežnej spotrebnej elektroniky nastáva len zriedkavo. Napriek tomu mu bola venovaná v nedávnej minulosti, keď NiCd predstavovali dominantný typ akumulátorov, veľká publicita najmä zo strany koncových predajcov, a bol mu pripisovaný významný podiel na znižovaní kapacity akumulátorov. V skutočnosti však v prevažnej väčšine prípadov išlo o degradáciu článkov následkom použitia lacných a tým nevhodných spôsobov nabíjania, ktoré často viedli k rozsiahlemu prebíjaniu a ohrievaniu článkov. Pamäťový jav bol takto zneužitý aj pri komercionalizovaní NiMH článkov (ktoré týmto javom skutočne netrpia).

Kategória:Elektronika
Kategória:Elektrochémia