EPROM

Princíp 

Princíp pamäte spočíva v elektrickom náboji zachytenom v izolovanom („plávajúcom“) hradle pamäťového MOS tranzistora. Náboj sa do hradla dostane tunelovaním cez mimoriadne tenký oxid kremíka pri pripojení väčšieho než bežne používaného napätia medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť ionizujúce žiarenie (ultrafialové svetlo). 

Aby bolo možné čip osvetliť UV svetlom, v puzdre je nad priestorom čipu zabudované okienko z kremičitého skla, a kvôli tepelnej rozťažnosti okienka je aj samotné puzdro keramické. Niekedy sa EPROM puzdria do podstatne lacnejších bežných plastových puzdier a nie je možné ich vymazať, sú teda určené na jednorazové naprogramovanie (tzv. OTP EPROM - One Time Programmable EPROM).

Na zmenu obsahu EPROM je potrebné pamäť najprv vymazať v tzv. mazačke, ktorá osvetlí čip ultrafialovým svetlom po dobu 5 až 10 minút, potom je obsah pamäte vymazaný a je možné ju v špecializovanom programátore preprogramovať (naplniť iným obsahom). Programuje sa naraz celé dátové slovo (obvykle 8 bitov, zriedkavo 16 bitov), čo trvá typicky niekoľko milisekúnd. Staršie EPROM používali programovacie napätie okolo 21 V, novšie sú programované napätím okolo 12.5 V.

Čas prístupu pri čítaní je typicky 120 až 150 ns.

 Použitie 
Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou Intel počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - BIOS, dnes sú obvykle nahradené FLASH).

Podobne boli EPROM používané ako programová pamäť mikrokontrolérov (až po príchod EEPROM/FLASH). Mikrokontroléry s takouto pamäťou boli puzdrené podobne ako samostatné pamäte do keramických puzdier s okienkom pre vývojové účely, a pre produkciu vo forme OTP do lacných plastových puzdier.

Kategória:Polovodičové pamäte
Kategória:Integrované obvody
Kategória:Počítačová pamäť