نيم پسرائيندڙ

سيمي ڪنڊڪٽر (Semiconductor) يا نيم پسرائيندڙ، هڪ اهڙو مادو آهي جنهن جي بجليءَ کي گذارڻ جي صلاحيت (Electrical conductivity)، پسرائيندڙ (Conductor) ۽ غير پسرائيندڙ (Insulator) جي وچ واري هوندي آهي.Sze, S. M. (2006). Physics of Semiconductor Devices. Wiley.

 خاصيتون ۽ ڊوپنگ 
سيمي ڪنڊڪٽر جي ڪنڊڪٽيٽي کي ان جي قلمي بناوٽ ۾ ناپاڪيون شامل ڪري تبديل ڪري سگهجي ٿو، جنهن کي ڊوپنگ (Doping) چيو ويندو آهي. 

 ڊوپنگ جا قسم:
 n-type: جڏهن گروپ V جا عنصر (جهڙوڪ فاسفورس يا آرسينڪ) شامل ڪيا وڃن، ته اهي آزاد اليڪٽران فراهم ڪن ٿا.
 p-type: جڏهن گروپ III جا عنصر (جهڙوڪ بورون يا گيليم) شامل ڪيا وڃن، ته اهي "هولز" (Holes) پيدا ڪن ٿا جيڪي مثبت چارج وانگر عمل ڪن ٿا.

 اهم مادا ۽ استعمال 
 سليڪان (Silicon): اليڪٽرانڪ سرڪٽس ٺاهڻ لاءِ سڀ کان اهم عنصر.
 گيليم آرسينائيڊ (Gallium arsenide): ليزر ڊيوڊس ۽ سولر سيلز ۾ استعمال ٿئي ٿو.
 جيرمينيم (Germanium).

سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز جهڙوڪ ٽرانسسٽر، ڊيوڊ ۽ انٽيگريٽڊ سرڪٽس (ICs) جديد اليڪٽرانڪس جو بنياد آهن. اهي بجليءَ جي وهڪري کي ڪنٽرول ڪرڻ، ايمپليفڪيشن (Amplification) ۽ سوئچنگ لاءِ استعمال ٿين ٿا.Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (2000). Solid State Electronic Devices. Prentice Hall.

 گرمي پد جو اثر 
ڌاتن جي برعڪس، سيمي ڪنڊڪٽر جو گرمي پد وڌائڻ سان ان جي بجلي گذارڻ جي صلاحيت وڌي ويندي آهي. هي ورتاءُ ميٽل (Metal) جي بلڪل ابتڙ آهي، جتي گرمي پد وڌڻ سان ڪنڊڪٽيٽي گهٽجي ويندي آهي.Kittel, C. (2004). Introduction to Solid State Physics. Wiley.

 تاريخي پس منظر 
 1904ع: ڪيٽس-وسڪر ڊيٽيڪٽر (پهريون عملي استعمال).
 1947ع: ٽرانسسٽر جي ايجاد، جنهن اليڪٽرانڪس ۾ انقلاب آڻي ڇڏيو.
 1958ع: انٽيگريٽڊ سرڪٽ (IC) جي ايجاد.

 حوالا 

Category:سائنس
Category:فزڪس
Category:اليڪٽرانڪس
Category:سيمي ڪنڊڪٽرز