ഡിഡിആർ 3 എസ്ഡിറാം

ഇരട്ട ഡാറ്റാ നിരക്ക് 3 സിൻക്രണസ് ഡൈനാമിക് റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറി, ഔദ്യോഗികമായി ഡിഡിആർ 3 എസ്ഡിറാം(DDR3 SDRAM) എന്ന് ചുരുക്കിപ്പറയുന്നു, ഉയർന്ന ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത് ("ഇരട്ട ഡാറ്റ നിരക്ക്") ഇന്റർഫേസുള്ള ഒരു തരം സിൻക്രണസ് ഡൈനാമിക് റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറി (SDRAM) ആണ്, ഇത് 2007 മുതൽ ഉപയോഗത്തിലുണ്ട്. ഇത് ഡി‌ഡി‌ആർ, ഡി‌ഡി‌ആർ 2 എന്നിവയുടെ ഉയർന്ന വേഗതയുള്ള പിൻ‌ഗാമിയും ഡി‌ഡി‌ആർ 4 സിൻക്രണസ് ഡൈനാമിക് റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറി (എസ്‌ഡി‌ആർ‌എം) ചിപ്പുകളുടെ മുൻഗാമിയുമാണ്. വ്യത്യസ്ത സിഗ്നലിംഗ് വോൾട്ടേജുകൾ, സമയം, മറ്റ് ഘടകങ്ങൾ എന്നിവ കാരണം ഡി‌ഡി‌ആർ 3 എസ്‌ഡി‌ആർ‌എം മുമ്പത്തെ ഏതെങ്കിലും തരത്തിലുള്ള റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറിയുമായി (റാം) പൊരുത്തപ്പെടുന്നില്ല.

ഒരു ഡിറാം ഇന്റർഫേസ് സവിശേഷതയാണ് ഡിഡിആർ 3. ഡാറ്റ സംഭരിക്കുന്ന യഥാർത്ഥ ഡിറാം(DRAM) അറേകൾ സമാന പ്രകടനത്തോടെ മുമ്പത്തെ തരങ്ങൾക്ക് സമാനമാണ്.

ഡി‌ഡി‌ആർ 3 എസ്‌ഡി‌റാമിന്റെ പ്രാഥമിക നേട്ടം, അതിന്റെ മുൻ‌ഗാമിയായ ഡി‌ഡി‌ആർ 2 എസ്‌ഡി‌റാമിനെക്കാൾ ഇരട്ടി നിരക്കിൽ ഡാറ്റ കൈമാറാനുള്ള കഴിവാണ് (ആന്തരിക മെമ്മറി അറേകളുടെ വേഗതയുടെ എട്ടിരട്ടി), ഉയർന്ന ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത് അല്ലെങ്കിൽ പീക്ക് ഡാറ്റ നിരക്കുകൾ പ്രാപ്തമാക്കുന്നു. നാലിരട്ടി ക്ലോക്ക് സിഗ്നലിന്റെ ഓരോ സൈക്കിളിനും രണ്ട് ട്രാൻസ്ഫറുകൾ ഉപയോഗിച്ച്, 64-ബിറ്റ് വിഡ്ത് ഡിഡിആർ 3 മൊഡ്യൂളിന് മെമ്മറി ക്ലോക്ക് വേഗതയുടെ (മെഗാഹെർട്‌സിൽ) 64 മടങ്ങ് വരെ ട്രാൻസ്ഫർ നിരക്ക് (സെക്കൻഡിൽ മെഗാബൈറ്റിൽ, എംബി / സെ) നേടാം. ഒരു മെമ്മറി മൊഡ്യൂളിന് ഒരു സമയം 64 ബിറ്റുകൾ ഡാറ്റ കൈമാറ്റം ചെയ്യപ്പെടുന്നതോടെ, ഡി‌ഡി‌ആർ 3 എസ്‌ഡി‌റാം (മെമ്മറി ക്ലോക്ക് റേറ്റ്) × 4 (ബസ് ക്ലോക്ക് ഗുണിതത്തിന്) × 2 (ഡാറ്റാ നിരക്കിനായി) × 64 (കൈമാറ്റം ചെയ്ത ബിറ്റുകളുടെ എണ്ണം) / 8 (ബിറ്റുകളുടെ / ബൈറ്റിന്റെ എണ്ണം). അങ്ങനെ 100 മെഗാഹെർട്സ് മെമ്മറി ക്ലോക്ക് ഫ്രീക്വൻസി ഉപയോഗിച്ച്, ഡിഡിആർ 3 എസ്ഡിറാം പരമാവധി ട്രാൻസ്ഫർ നിരക്ക് 6400 എം‌ബി / സെ ആണ്.

ഡി‌ഡി‌ആർ‌3 സ്റ്റാൻ‌ഡേർഡ് 8 ജിബിബിറ്റുകൾ‌ വരെ ഡിറാം ചിപ്പ് കപ്പാസിറ്റി അനുവദിക്കുന്നു, കൂടാതെ 64 ബിറ്റുകൾ‌ വീതമുള്ള നാല് റാങ്കുകൾ‌ വരെ ഒരു ഡി‌ഡി‌ആർ‌3 ഡി‌എം‌എമ്മിന്‌ പരമാവധി 16 ജിബി വരെ അനുവദിക്കും. 2013 ൽ ഐവി ബ്രിഡ്ജ്-ഇ വരെ ഹാർഡ്‌വെയർ പരിധി നിശ്ചയിച്ചിട്ടില്ലാത്തതിനാൽ, മിക്ക പഴയ ഇന്റൽ സിപിയുകളും 8 ജിബി ഡിമ്മുകൾക്കായി 4-ജിബിബിറ്റ് ചിപ്പുകൾ വരെ മാത്രമേ പിന്തുണയ്ക്കൂ (ഇന്റലിന്റെ കോർ 2 ഡിഡിആർ 3 ചിപ്‌സെറ്റുകൾ 2 ജിബിബിറ്റുകൾ വരെ മാത്രമേ പിന്തുണയ്ക്കൂ). എല്ലാ എഎംഡി സിപിയുകളും 16 ജിബി ഡിഡിആർ 3 ഡിഐഎമ്മുകൾക്കായുള്ള പൂർണ്ണ സവിശേഷതയെ ശരിയായി പിന്തുണയ്ക്കുന്നു.
ചരിത്രം
2005 ഫെബ്രുവരിയിൽ സാംസങ് ആദ്യത്തെ പ്രോട്ടോടൈപ്പ് ഡിഡിആർ 3 മെമ്മറി ചിപ്പ് അവതരിപ്പിച്ചു. ഡിഡിആർ 3 വികസിപ്പിക്കുന്നതിലും സ്റ്റാൻഡേർ‌ഡൈസേഷനിലും സാംസങ് ഒരു പ്രധാന പങ്ക് വഹിച്ചു.  2005 മെയ് മാസത്തിൽ ജെഡെക് കമ്മിറ്റി ചെയർമാൻ ദേശി റോഡൻ, ഡിഡിആർ 3 “ഏകദേശം 3 വർഷമായി” വികസിപ്പിച്ചു കൊണ്ടിരിക്കുകയാണെന്ന് പ്രസ്താവിച്ചു.

2007 ലാണ് ഡിഡിആർ 3 ഔദ്യോഗികമായി സമാരംഭിച്ചത്, എന്നാൽ 2009 അവസാനം വരെ ഡി‌ഡി‌ആർ‌ 2 നെ മറികടക്കുമെന്ന് പ്രതീക്ഷിച്ചിരുന്നില്ല, അല്ലെങ്കിൽ 2010 ന്റെ തുടക്കത്തിൽ, ഇന്റൽ സ്ട്രാറ്റജിസ്റ്റ് കാർലോസ് വീസെൻബെർഗ് പറയുന്നതനുസരിച്ച്, 2008 ഓഗസ്റ്റിൽ അവരുടെ റോൾഔ ട്ടിന്റെ ആദ്യഭാഗത്ത് സംസാരിച്ചു.

അവലോകനം

ഡിഡിആർ 2 മെമ്മറിയുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, ഡിഡിആർ 3 മെമ്മറി കുറഞ്ഞ പവർ ഉപയോഗിക്കുന്നു. സപ്ലൈ വോൾട്ടേജുകളിലെ വ്യത്യാസത്തിൽ നിന്നാണ് ഈ കുറവ് സംഭവിക്കുന്നത്: ഡിഡിആർ 2 ന് 1.8 വോൾട്ട് അല്ലെങ്കിൽ 1.9 വോൾട്ട്, 1.35 വോൾട്ട് അല്ലെങ്കിൽ ഡിഡിആർ 3 ന് 1.5 വോൾട്ട്. ഒറിജിനൽ ഡിഡിആർ 3 ചിപ്പുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന 90 നാനോമീറ്റർ ഫാബ്രിക്കേഷൻ സാങ്കേതികവിദ്യയിൽ 1.5 വോൾട്ട് വിതരണ വോൾട്ടേജ് നന്നായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു. കറന്റ് ചോർച്ച കുറയ്ക്കുന്നതിന് "ഡ്യുവൽ-ഗേറ്റ്" ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഉപയോഗിക്കാൻ ചില നിർമ്മാതാക്കൾ നിർദ്ദേശിക്കുന്നു.

ജെഡെക് പറയുന്നതനുസരിച്ച്, [ 1.575 വോൾട്ടുകൾ സെർവറുകളിലോ മറ്റ് മിഷൻ-ക്രിട്ടിക്കൽ ഉപകരണങ്ങളിലോ പോലുള്ള മെമ്മറി സ്ഥിരതയാണ് ഏറ്റവും പ്രധാന പരിഗണന. കൂടാതെ, സ്ഥിരമായ കേടുപാടുകൾ സംഭവിക്കുന്നതിന് മുമ്പ് മെമ്മറി മൊഡ്യൂളുകൾ 1.80 വോൾട്ട് വരെ നേരിടേണ്ടിവരുമെന്ന് ജെഡെക് പറയുന്നു, എന്നിരുന്നാലും അവ ആ നിലയിൽ ശരിയായി പ്രവർത്തിക്കേണ്ടതില്ല.

അവലംബം

വർഗ്ഗം:SDRAM