Исаму Акасаки

Исаму Акасаки ( ) — јапонски научник и добитник на Нобелова награда за физика, познат по откривањето на галиум нитридната (GaN) p-n сврзна сина LED диода во 1989 и подледователно на високосјајната GaN-на сина LED диода.Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki:　"P-Type　Conduction　in　Mg-doped　GaN　Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28, No.12, December 1989, pp. L2112-L2114, (accepted for pub. Nov. 1989).I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu :”Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED” J. Cryst. Growth, Vol. 48&49 pp.666-670, 1991Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: “GaN-based UV/blue light emitting devices”, Inst. Phys. Conf. Ser. No.129, pp. 851-856, 1992

За оваа негова работа Акасаки е награден со Кјотската награда за напредна технологија во 2009 година и the Едисоновиот медал во 2011 година. Тој е исто така награден и со Нобеловата награда за физика во 2014 година, заедно со Хироши Амано и Шуџи Накамура.

Кариера

Роден во префектурата Кагошима, Акасаки дипломирал на Кјотскиот универзитет во 1952 година, и се стекнал со докторат за електроника од Нагојскиот универзитет во 1964 година. Тој започнал да работи на светелчките диоди засновани на GaN во доцните шесеети години на минатиот век. Чекор по чекор, тој го подобрувал квалитетот на кристалите на GaN и структурата на направитеY. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981). при Истражниот институт „Мацушита“ во Токио, каде тој одлучил да ја примени металоорганската епитаксна парејна фаза како погоден метод за раст на GaN.

Во 1981година тој започнува одново со растот на GaN пти Нагојскиот универзитет, и во 1985 година тој и неговата група успеале да создадат висококвалитетен GaN на сафирен супстрат со користење на пионерската нискотемпературна слојно нанесувачка технологија.H. Amano, N. Sawaki I. Akasaki and Y. Toyoda: "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer,"Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki: "Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE", J. Crystal Growth, Vol.98 (1989), pp.209-219

Овие висококвалитетни GaN-ни кристали им овозможиле да го откријат p-типот на GaN со примеси на магнезиум (Mg) и последователно активирање со електронско озрачување, за да се добие првиот GaN p-n сврзна сина/УВ светлечка диода, при што се постигнала проводничка контрола на n-типот GaNH. Amano and I. Akasaki: "Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED", Mater. Res. Soc. Extended Abstract (EA-21), pp.165-168, 1990, (Fall Meeting 1989) and related alloys (1991)Hiroshi Murakami, Tsunemori Asahi, Hiroshi Amano, Kazumasa Hiramatsu, Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki: "Growth of Si-doped AlxGa 1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy", J. Crystal Growth, Vol.115 (1991), pp. 648-651. со примеси на силициум (Si), што овозможило употреба на хетеро структури и повеќекратни квантни празнини при осмислувањето и создавањето на поефикасен p-n сврзни светлечко емитувачки структури.

Тие постигнале и стимулирана емисија од GaN првично на собна температура во 1990 година,H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: “Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 29, pp. L205-L206, 1990. и во 1995 година развиле стимулирана емисија на 388 nm со внесување на пулсирачка струја од висококвалитетна AlGaN/GaN/GaInN квантна јама.Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka and Masayoshi Koike: "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device" Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34 (1995) pp. L1517-1519, Part 2, No.11B, 15 November 1995 (accepted for pub. October 16, 1995). Тие го потврдиле квантно големинскиот ефект во 1991 година,K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: “Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N  Layered Structures” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 30, pp.1924-1927, 1991. и квантно ограничениот Старков ефект во 1997 годинаT. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: “Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN  Strained Quantum Wells” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36, Pt. 2, No. 4A, pp. L382-385, 1997. кај нитридните системи, а во 2000 година ја покажале теоретски ориентационата зависност на пиезоелектричното поле и постоењето на  не/полуполарни GaN-ни кристали,Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki: "Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, pp. 413-416, Part1, No.2A, Feb.2000. (accepted for pub., November 1, 1999). кои го поттикнале денешното движење за раст на овие кристали ширум светот, за примена како поефикасни светлиски извори.

Акасаки институтот при Нагојскиот универзитет

Патетнитите на професорот Акасаки биле создадени од овие негови откритија, и патентите биле  наградени со авторски хонорари. Акасаки институтот при Нагојскиот универзитет е отворен на 20 октомври 2006 година. Трошокот за изградбата на институтот била покриена со заработката од авторските хонорари  на универзитетот, кој бил користен за различни истражувања на Нагојскиот универзитет. Институтот се состои од LED галерија за историјата на сините светлечки диоди нивниот развој и примена, и канцеларија за истражувачка соработка, лаборатории за иноватовно истражување, каде е и канцеларијата на професорот Акасаки на последниот шести спрат. Институтот е сместен во центарот на истражувачката зона за соработка при Нагојскиот универзитет при кампусот Хигашијама.

Професионално досие
 1952-1959	Истражен научник при претпријатието „Кобе Кјого“ (денес, Fujitsu Ltd.)
 1959-1964  	Истражен сосработник, помошник професор и соработник професор,  при одделот за електроника на Нагојскиот универзитет
 1964-1974  	Раководител на основната истражна лабораторија 4, Истражен институт „Мацушита“ Токио.
 1974-1981     Генерален раководител на одделот за полупроводници при истиот институт
 1981-1992 	Професор на одделот за електроника на Нагојскиот универзитет
 1987-1990  	Проектен водач за „развој и создавање на GaN-ни светлечки диоди“ спонзориран од Јапонската агенција за наука и технологија
 1992–денес 	Професор во пензија на Нагојскиот универзитет, професор на универзитетот „Мејџо“ 
 1993-1999  	Проектен водач за „развој и создавање на GaN-ни краткобрановодолжински ласерски диоди  “ спонзориран од Јапонската агенција за наука и технологија
 1995-1996 	Посетител професор на Истражниот центар за гранична квантна електроника при Хокаидскиот Универзитет
 1996-2001 	Проектен водач на проектот на Јапонското друштво за промоција на науката “истражување за иднината“
 1996-2004  	Проектен водач на „Високотехнолошкиот центар за нитридни полупроводници“ при универзитетот „Мејџо“, спонзориран од MEXT
 2001–денес	Истражен член на Акасакиевиот Институт при Нагојскиот универзитет 
 2003-2006   	Раководител на „Стратегискиот комитет R&D за безжични направи засновани на нитридни полупроводници“ спонзориран од METI
 2004–денес   Директор на Истражувачкиот центар за нитридни полупроводници на универитетот „Мејџо“

Почести и награди
Научни и академски
 1989  Награда од Јапонското здружение за кристален раст (JACG)
 1991  Културната награда „Чуничи“http://www.chunichi.co.jp/info/award/culture/index.html
 1994  Награда за технолошки придонеси, Јапонското здружение за кристален раст по повод славењето на својата 20 годишнина
 1995  Хајнрих Велкеров златен медал, Меѓународен симпозиум за соединенски полуповодници
 1996  Награда за инженерски достигнувања, Институт за електрични и електронски инженери/Ласерско електро-оптичко друштво
 1998  наградата „Инуе Харушиге“, Јапонска научна и технолошка агенција 
 1998  Награда C и C , претпријатие „NippонElectric“ http://www.nec.co.jp/press/en/9811/0401.html 
 1998  Laudise Prize, Меѓународна организација за кристален раст 
 1998  Џек Мортонова награда, Институт за електрични и електронски инженери
 1998  Ранкова награда, Ранкова наградна фондација
 1999  Член на Институтот за електрични и електронски инженери
 1999  Гордон Мурова награда, Електрохемиско друштво http://www.electrochem.org/awards/ecs/recipients/ssst_recipients.htm
 1999  Почесен докторат, Универзитет во Монпелје II
 1999  Тореева научна и технолошка награда, Тореева научна фондација
 2001  Ашајова награда, Културна фондација „Ашаи Шинбун“ http://www.asahi.com/shimbun/award/asahi/english.html#winners2009
 2001  Почесен докторат, Линкопиншки универзитет 
 2002  Награда за извонредни достигнувања, Јапонско друштво за применета физика
 2002  Фуџихарина награда, Фуџихарина фондација за наука 
 2002  Такедова награда, Фондација „Такеда“http://www.takeda-foundation.jp/en/award/takeda/2002/recipient/01.html
 2003  Претседателска награда, Научен совет на Јапонија (SCJ)http://www.interacademies.net/About.aspx
 2003  Награда за цврсти направи и материјали (SSDM)
 2004  Културната награда на Токај ТВ
 2004  Универзитетски професор, Нагојски универзитет
 2006  Бардинова награда, Друштво за минерали метали и материјали  
 2006  Награда за инзворедни достигнувања, Јапонско здружение за кристален раст
 2007  Почесна награда за доживотни достигнувања, Јапонско друштво за промоција на науката (JSPS)
 2008  Странски член на Американската национална академија за инженерство http://www.nae.edu/MembersSection/Directory20412/31054.aspx
 2009  Кјотска награда за напредна технологија, Фондација „Инамори“
 2010  Доживотен професор, универзитет „Мејџо“
 2011  Едисонов медал,  Институт за електрични и електронски инженери
 2011  Специјална награда за дејност во полето на интелектуалната сопственост, Јапонска агенција за наука и технологија 
 2011 Минами-Нипонска културна награда-почесна награда
 2014  Нобелова награда за физика заедно со Хироши Амано и Шуџи Накамура
 2015  Драперова награда

Национални
 1997  Медал со виолетова лента, јапонската владаhttp://www8.cao.go.jp/shokun/en/types-of-medals.html
 2002  Орден на изгрејсонцето, златни зраци со околувратна лента, јапонската владаhttp://www8.cao.go.jp/shokun/en/orders-of-the-rising-sun.html
 2004  Лице со културни заслуги, јапонската влада
 2011  Орден на културата, јапонскиот царhttp://www8.cao.go.jp/shokun/en/order-of-culture.html

 Наводи 

Дополнителна литература

http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2014/
http://www.compoundsemiconductor.net/csc/adminpanel/uploads/magazine_images/CompoundSemiconductor_Issue1.pdf (pp. 17–19)
http://www.nature.com/naturejobs/2009/091008/full/nj0264.html#excellence-in-education-and-research
http://www.nature.com/naturejobs/2009/091008/full/nj0264.html#industrial academic-collaborations-going-global
Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA,54　November,2004
Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 639(2000)　xxiii－xxv,

Категорија:Јапонски научници
Категорија:Јапонски нобеловци
Категорија:Добитници на Нобеловата награда за физика
Категорија:Починати во 2021 година