Беттик иондошуу

Беттик иондошуу – катуу заттын бетинен оң жана терс иондордун жылуулуктан бууланышы. 

Тийиштүү атомдордун, молекулалардын нерсенин бетине келип түшкөн ылдамдыгы иондор менен бейтарап бөлүкчөлөрдүн бууланган ылдамдыгына барабар болсо, анда Беттик иондошуудагы иондордун эмиссиясы туруктуу болот. Беттик иондошуу катуу заттардын өздүк бууланышынан да пайда болот. Беттик иондошуунун сандык мүнөздөмөсүн Беттик иондошуунун даражасы d = ni/n0 аткарат, мында ni жана n0 – химиялык курамы бирдей учурдагы буулануучу иондор менен бейтарап бө-лүкчөлөрдүн агымы. Бөлүкчөлөр менен беттин өз ара аракеттешүү мүнөзү катуу нерсенин – бөлүкчөнүн беттик системасынын потенциалдык ийри сызык формасында сүрөттөлөт. Мындай ийри сызыктар схема түрүндө бейтарап бөлүкчө А жана оң ион Аi үчүн жогорку чиймеде көрсөтүлгөн. хP аралыгы бөлүкчөнүн беттин жанындагы теңсалмактуулук абалына туура келет, ал эми «потенциалдык чуңкурлардын» тереңдиктери жана оң иондун жана бейтарап бөлүкчөнүн буулануу жылуулуктарына барабар. Төмөнкү температурада буулануу кубулушу li жана l0 электр талаасы менен иондордун бууланышы Беттик иондошуу катары каралат. Беттик иондошуу ион булагында, бөлүкчөлөрдүн сезгич детекторлорунда, термоэлектрондук өзгөрткүчтөрдө колдонулат.

 Колдонулган адабияттар 
 Мамлекеттик тил жана энциклопедия борбору.  Физика. Энциклопедиялык окуу куралы. 2004 Бишкек.  ISBN 9967-14-010-0
Категория:Физика