역방향 다이오드

섬네일|IEEE 315에 따른 역방향 다이오드 기호

반도체 소자에서 역방향 다이오드(, 또는 )는 순방향 바이어스 전압보다 작은 역방향 바이어스(예: –0.1 ~ –0.6 V)에서 더 나은 전도성을 갖는 제너 다이오드 또는 터널 다이오드의 변형이다.

이러한 다이오드의 역방향 전류는 터널 효과라고도 알려진 터널링에 의해 발생한다.

 역방향 다이오드의 전류-전압 특성 
섬네일|right|400px|역방향 다이오드의 에너지 띠 다이어그램. 수직축은 전자 에너지, 수평축은 소자 내부의 위치를 나타낸다. 역방향 다이오드는 이른바 역방향 바이어스 방향이 순방향 바이어스보다 실제로 더 많은 전류가 흐르는 독특한 특성을 갖는다.

순방향 I-V 특성은 일반적인 PN 다이오드와 동일하다. 항복(Breakdown)은 역방향 전압이 인가될 때 시작된다. 제너 항복의 경우 특정 전압에서 시작된다. 이 다이오드에서는 역방향 바이어스로 연결될 때 전압이 (전류와 무관하게) 비교적 일정하게 유지된다. 역방향 다이오드는 터널링 현상이 이제 막 시작되는 단계에 있고 부저항 영역이 사실상 사라진 터널 다이오드의 특수한 형태이다. 순방향 전류는 매우 작으며 기존 다이오드의 역방향 전류와 동등해진다.

 역방향 다이오드의 응용 
검파기 정전 용량이 낮고 전하 저장 효과가 없으며, 강한 비선형 소신호 특성을 가지므로 역방향 다이오드는 최대 40 GHz까지의 검파기로 사용할 수 있다.

정류기 역방향 다이오드는 피크 진폭이 0.1 ~ 0.7 V인 약한 신호를 정류하는 데 사용할 수 있다.

스위치 역방향 다이오드는 고속 스위칭 응용 분야에 사용할 수 있다.

 각주 

분류:다이오드