웨이퍼 백그라인딩

웨이퍼 백그라인딩(wafer backgrinding)은 반도체 제조 단계 중 하나로, 집적 회로(IC)의 스태킹 및 고밀도 패키징을 위해 웨이퍼 두께를 줄이는 공정이다.

IC는 수많은 공정 단계를 거치는 반도체 웨이퍼 위에서 생산된다. 오늘날 주로 사용되는 규소 웨이퍼는 직경이 200mm 또는 300mm이다. 이 웨이퍼는 최소한의 기계적 안정성을 보장하고 고온 공정 중 휘어짐을 방지하기 위해 약 750 μm 두께를 가진다.

스마트카드, USB 메모리 스틱, 스마트폰, 휴대용 음악 플레이어 및 기타 초소형 전자 제품은 모든 차원에서 다양한 구성 요소의 크기를 최소화하지 않으면 현재 형태로 구현할 수 없다. 따라서 웨이퍼 뒷면은 웨이퍼 다이싱(개별 마이크로칩 분리) 전에 그라인딩된다. 오늘날 75~50μm까지 얇아진 웨이퍼가 일반적이다.International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 edition, page 12-53.

그라인딩 전에 웨이퍼는 일반적으로 UV 경화형 백그라인딩 테이프로 라미네이팅되는데, 이는 백그라인딩 중 웨이퍼 표면 손상을 방지하고 그라인딩 유체 및 잔해물의 침투로 인한 웨이퍼 표면 오염을 방지한다.BG Tape , by Lintec of America. 또한 웨이퍼는 공정 전반에 걸쳐 정제수로 세척되어 오염을 방지한다.Wafer Preparation, by Syagrus Systems.

이 공정은 "백랩"(backlap),Introduction to Semiconductor Technology, by STMicroelectronics, page 6. "백피니시"(backfinish), "백사이드 그라인딩"(back side grinding) 또는 "웨이퍼 시닝"(wafer thinning)으로도 알려져 있다.Wafer Backgrind at Silicon Far East.

백그라인딩 후, 완성된 웨이퍼는 다이 분리라고 불리는 공정에서 개별 칩으로 절단된다.

 같이 보기 
 이면조사 센서

 각주 

분류:반도체 제조