트랜지스터 카운트

트랜지스터 카운트(transistor count)는 전자 장치(일반적으로 단일 기판 또는 실리콘 다이)에 있는 트랜지스터 수이다. 이는 집적 회로 복잡성의 가장 일반적인 측정값이다(현대 마이크로프로세서의 대부분의 트랜지스터는 캐시 메모리에 포함되어 있지만, 캐시 메모리는 대부분 동일한 메모리 셀 회로를 여러 번 복제하여 구성된다). MOS 트랜지스터 수의 증가율은 일반적으로 약 2년마다 트랜지스터 수가 두 배로 증가한다는 무어의 법칙을 따른다. 그러나 다이 면적에 직접 비례하므로 트랜지스터 수는 해당 제조 기술의 발전도를 나타내지 않는다. 이에 대한 더 나은 지표는 반도체의 트랜지스터 수를 다이 면적으로 나눈 값인 트랜지스터 밀도이다.

 기록 
, 플래시 메모리에서 가장 높은 트랜지스터 수는 마이크론의 2테라바이트 (3D-스택) 16개 다이, 232층 V-NAND 플래시 메모리 칩으로, 5.3조 개의 플로팅 게이트 MOSFET을 가지고 있다(트랜지스터당 3비트).

 기준으로 단일 칩 프로세서에서 가장 높은 트랜지스터 수는 세레브라스의 딥 러닝 프로세서 웨이퍼 스케일 엔진 2이다. 이 프로세서는 TSMC의 7 nm 공정 핀펫 공정으로 제조된 웨이퍼에 84개의 노출된 필드(다이)에 2.6조 개의 MOSFET이 들어있다.

, 가장 높은 트랜지스터 수를 가진 그래픽 처리 장치는 엔비디아의 블랙웰 기반 B100 가속기로, TSMC의 맞춤형 4NP 공정 노드로 제작되었으며 총 2080억 개의 MOSFET을 포함한다.

 기준으로 소비자 마이크로프로세서에서 가장 높은 트랜지스터 수는 애플의 ARM 아키텍처 기반 듀얼 다이 M3 울트라 SoC에 있는 1840억 개의 트랜지스터이며, 이는 TSMC의 3 nm 반도체 제조 공정으로 제조된다.

 연도 부품 이름 MOSFET 수 (조 단위) 비고 2022 플래시 메모리 마이크론의 V-NAND 모듈 5.3 16개의 232층 3D NAND 다이로 구성된 스택 패키지 2020 모든 프로세서 웨이퍼 스케일 엔진 2 2.6 84개의 노출된 필드(다이)로 구성된 웨이퍼 스케일 디자인 2024 GPU 엔비디아 B100 0.208 각각 1040억 개의 트랜지스터를 가진 두 개의 리티클 한계 다이를 사용하며, 하나의 거대한 단일 실리콘 조각처럼 결합되어 작동한다. 2025 마이크로프로세서  (소비자용) 애플 M3 울트라 0.184 고속 브리지로 연결된 두 개의 다이를 사용하는 SoC 2020 DLP 콜로서스 Mk2 GC200 0.059 CPU 및 GPU와 대조되는 IPU (지능형 처리 장치)

수많은 집적 회로로 구성된 컴퓨터 시스템 측면에서,  가장 많은 트랜지스터 수를 가진 슈퍼컴퓨터는 중국이 설계한 선웨이 타이후라이트였는데, 이 슈퍼컴퓨터는 모든 CPU/노드를 합쳐 "하드웨어 처리 부분에 약 400조 개의 트랜지스터"를 가지고 있었고, "DRAM에는 약 12경 개의 트랜지스터가 포함되어 있으며, 이는 전체 트랜지스터의 약 97%에 해당한다." 비교하자면,  쌀알보다 훨씬 작은 가장 작은 컴퓨터는 약 10만 개의 트랜지스터를 가지고 있었다. 초기 실험적인 고체 컴퓨터는 130개 정도의 트랜지스터를 가졌지만 많은 양의 다이오드 논리를 사용했다. 최초의 탄소 나노튜브 컴퓨터는 178개의 트랜지스터를 가졌고 1비트 단일 명령어 집합 컴퓨터였으며, 이후의 컴퓨터는 16비트이다(그 명령어 집합은 32비트 RISC-V이지만).

이온 트랜지스터 칩("물 기반" 아날로그 제한 프로세서)은 최대 수백 개의 트랜지스터를 가지고 있다.

제조된 총 트랜지스터 수 추정치:
2014년까지: 
2018년까지: 

 트랜지스터 수 
섬네일|upright=1.9|마이크로프로세서의 MOS 트랜지스터 수 대 도입 날짜를 나타낸 그래프. 곡선은 무어의 법칙에 따라 2년마다 수가 두 배로 증가함을 보여준다.

 마이크로프로세서 

마이크로프로세서는 컴퓨터의 중앙 처리 장치 기능을 단일 집적 회로에 통합한다. 이는 디지털 데이터를 입력으로 받아 메모리에 저장된 지침에 따라 처리하고 결과를 출력으로 제공하는 다목적 프로그래밍 가능 장치이다.

1960년대의 MOS 집적회로 기술 개발은 최초의 마이크로프로세서 개발로 이어졌다. 1970년 미국 해군의 F-14 톰캣 전투기를 위해 개럿 에어리서치가 개발한 20비트 MP944는 디자이너 레이 홀트에 의해 최초의 마이크로프로세서로 여겨진다. 이는 6개의 MOS 칩으로 제작된 다중 칩 마이크로프로세서였다. 그러나 1998년까지 해군에 의해 기밀로 분류되었다. 1971년에 출시된 4비트 인텔 4004는 최초의 단일 칩 마이크로프로세서였다.

현대 마이크로프로세서는 일반적으로 온칩 캐시 메모리를 포함한다. 이러한 캐시 메모리에 사용되는 트랜지스터 수는 일반적으로 마이크로프로세서의 논리(즉, 캐시 제외)를 구현하는 데 사용되는 트랜지스터 수를 훨씬 초과한다. 예를 들어, 마지막 DEC 알파 칩은 트랜지스터의 90%를 캐시에 사용한다.

프로세서 트랜지스터 수 연도 설계자 공정(nm) 면적 (mm2) 트랜지스터밀도(tr./mm2)MP944 (20비트, 6개 칩, 총 28개 칩)74,442 (ROM 및 RAM 제외 5,360)1970개럿 에어리서치인텔 4004 (4비트, 16핀)2,250 1971인텔10,000 nm12 mm2188TMX 1795 (8비트, 24핀)3,078Ken Shirriff. "The Texas Instruments TMX 1795: the (almost) first, forgotten microprocessor". 2015.1971텍사스 인스트루먼트 30.64 mm2 100.5인텔 8008 (8비트, 18핀)3,5001972인텔10,000 nm14 mm2250NEC μCOM-4 (4비트, 42핀) 2,5001973NEC7,500 nmToshiba TLCS-12 (12비트) 11,000+1973도시바6,000 nm32.45 mm2340+인텔 4040 (4비트, 16핀)3,0001974인텔10,000 nm12 mm2250모토로라 6800 (8비트, 40핀)4,1001974모토로라6,000 nm16 mm2256인텔 8080 (8비트, 40핀)6,000 1974인텔6,000 nm20 mm2300TMS 1000 (4비트, 28핀)8,0001974텍사스 인스트루먼트8,000 nm11 mm2730HP 나노프로세서 (8비트, 40핀)4639Ken Shirriff.
"Inside the HP Nanoprocessor: a high-speed processor that can't even add".
2020.
quote: "By my count, the Nanoprocessor has 4639 transistors. ... 3829 unique transistors. Of these, 1061 act as pull-ups, while 2668 are active. In comparison, the 6502 has 4237 transistors, of which 3218 are active. The 8008 has 3500 transistors and the Motorola 6800 has 4100 transistors."1974휴렛 팩커드19 mm2MOS 테크놀로지 6502 (8비트, 40핀)4,528 1975모스 테크놀로지8,000 nm21 mm2216인터실 IM6100 (12비트, 40핀; PDP-8 클론) 4,000 1975 인터실  CDP 1801 (8비트, 2개 칩, 40핀)5,0001975RCARCA 1802 (8비트, 40핀) 5,0001976RCA5,000 nm27 mm2185자일로그 Z80 (8비트, 4비트 ALU, 40핀) 8,5001976자일로그4,000 nm18 mm2470인텔 8085 (8비트, 40핀)6,5001976인텔3,000 nm20 mm2325TMS9900 (16비트) 8,0001976텍사스 인스트루먼트벨맥-8 (8비트)7,0001977벨 연구소5,000 nmMotorola 6809 (8비트 일부 16비트 기능 포함, 40핀)9,0001978모토로라5,000 nm21 mm2430인텔 8086 (16비트, 40핀)29,0001978인텔3,000 nm33 mm2880자일로그 Z8000 (16비트)17,5001979자일로그5,000-6,000 nm (설계 규칙)39.31 mm2 (238x256 mil2)445인텔 8088 (16비트, 8비트 데이터 버스)29,0001979인텔3,000 nm33 mm2880모토로라 68000 (16/32비트, 32비트 레지스터, 16비트  ALU)68,0001979모토로라3,500 nm44 mm21,550인텔 8051 (8비트, 40핀) 50,0001980인텔WDC 65C0211,500Microprocessors: 1971 to 1976  Christiansen1981WDC3,000 nm6 mm21,920ROMP (32비트) 45,0001981IBM2,000 nm58.52 mm2770인텔 80186 (16비트, 68핀)55,000 1982인텔3,000 nm60 mm2920인텔 80286 (16비트, 68핀)134,0001982인텔1,500 nm49 mm22,730WDC 65C816 (8/16비트)22,0001983WDC3,000 nm9 mm22,400NEC V2063,0001984NEC모토로라 68020 (32비트; 114핀 사용) 190,0001984모토로라2,000 nm85 mm22,200인텔 80386 (32비트, 132핀; 캐시 없음) 275,0001985인텔1,500 nm104 mm22,640ARM 1 (32비트; 캐시 없음)25,0001985아콘3,000 nm50 mm2500Novix NC4016 (16비트) 16,0001985 해리스 코퍼레이션3,000 nmSPARC MB86900 (32비트; 캐시 없음)110,0001986후지쯔1,200 nmNEC V60 (32비트; 캐시 없음)375,0001986NEC1,500 nmARM 2 (32비트, 84핀; 캐시 없음) 27,0001986아콘2,000 nm30.25 mm2 890Z80000 (32비트; 아주 작은 캐시)91,0001986자일로그NEC V70 (32비트; 캐시 없음)385,0001987NEC1,500 nm히타치 Gmicro/200730,0001987히타치1,000 nm모토로라 68030 (32비트, 아주 작은 캐시)273,0001987모토로라800 nm102 mm22,680TI 익스플로러의 32비트 리스프 머신 칩553,0001987텍사스 인스트루먼트2,000 nmDEC WRL MultiTitan180,0001988DEC WRL1,500 nm61 mm22,950인텔 i960 (32비트, 33비트 메모리 서브시스템, 캐시 없음)250,0001988인텔1,500 nm인텔 i960CA (32비트, 캐시)600,0001989인텔800 nm143 mm24,200인텔 i860 (32/64비트, 128비트 SIMD, 캐시, VLIW)1,000,0001989인텔인텔 80486 (32비트, 8 KB 캐시)1,180,2351989인텔1,000 nm173 mm26,822ARM 3 (32비트, 4 KB 캐시)310,0001989아콘1,500 nm87 mm23,600POWER1 (9개 칩 모듈, 72 kB 캐시)6,900,000Bakoglu, Grohoski, and Montoye. "The IBM RISC System/6000 processor: Hardware overview." IBM J. Research and Development. Vol. 34 No. 1, January 1990, pp. 12-22.1990IBM1,000 nm1,283.61 mm25,375모토로라 68040 (32비트, 8 KB 캐시)1,200,0001990모토로라650 nm152 mm27,900R4000 (64비트, 16 KB 캐시)1,350,0001991MIPS1,000 nm213 mm26,340ARM 6 (32비트, 이 60 변형에는 캐시 없음)35,0001991ARM800 nm히타치 SH-1 (32비트, 캐시 없음)600,0001992히타치800 nm100 mm26,000인텔 i960CF (32비트, 캐시)900,0001992인텔125 mm27,200Alpha 21064 (64비트, 290핀; 16 KB 캐시) 1,680,0001992DEC750 nm233.52 mm27,190히타치 HARP-1 (32비트, 캐시) 2,800,0001993히타치500 nm267 mm210,500펜티엄 (32비트, 16 KB 캐시)3,100,0001993인텔800 nm294 mm210,500POWER2 (8개 칩 모듈, 288 kB 캐시)23,037,000White and Dhawan. "POWER2: next generation of the RISC System/6000 family" IBM J. Research and Development. Vol. 38 No. 5, September 1994, pp. 493-502.1993IBM720 nm1,217.39 mm218,923ARM700 (32비트; 8 KB 캐시)578,9771994ARM700 nm68.51 mm28,451MuP21 (21비트, 40핀; 비디오 포함) 7,0001994Offete Enterprises1,200 nm 모토로라 68060 (32비트, 16 KB 캐시)2,500,0001994모토로라600 nm218 mm211,500파워PC 601 (32비트, 32 KB 캐시)2,800,0001994애플, IBM, 모토로라600 nm121 mm223,000파워PC 603 (32비트, 16 KB 캐시)1,600,000Gary et al. (1994). "The PowerPC 603 microprocessor: a low-power design for portable applications." Proceedings of COMPCON 94. DOI: 10.1109/CMPCON.1994.2828941994애플, IBM, 모토로라500 nm84.76 mm218,900파워PC 603e (32비트, 32 KB 캐시)2,600,000Slaton et al. (1995). "The PowerPC 603e microprocessor: an enhanced, low-power, superscalar microprocessor." Proceedings of ICCD '95 International Conference on Computer Design. DOI: 10.1109/ICCD.1995.5288101995애플, IBM, 모토로라500 nm98 mm226,500Alpha 21164 EV5 (64비트, 112 kB 캐시)9,300,000Bowhill, William J. et al. (1995). "Circuit Implementation of a 300-MHz 64-bit Second-generation CMOS Alpha CPU". Digital Technical Journal, Volume 7, Number 1, pp. 100–118.1995DEC500 nm298.65 mm231,140SA-110 (32비트, 32 KB 캐시)2,500,0001995아콘, DEC, 애플350 nm50 mm250,000펜티엄 프로 (32비트, 16 KB 캐시; L2 캐시는 온패키지이지만 별도의 다이에 있음) 5,500,0001995인텔500 nm307 mm218,000PA-8000 64비트, 캐시 없음3,800,000Gaddis, N.; Lotz, J. (November 1996). "A 64-b quad-issue CMOS RISC microprocessor". IEEE Journal of Solid-State Circuits 31 (11): pp. 1697–1702.1995HP500 nm337.69 mm211,300알파 21164A EV56 (64비트, 112 kB 캐시)9,660,000Bouchard, Gregg. "Design objectives of the 0.35 μm Alpha 21164 Microprocessor". IEEE Hot Chips Symposium, August 1996, IEEE Computer Society.1996DEC350 nm208.8 mm246,260AMD K5 (32비트, 캐시)4,300,0001996AMD500 nm251 mm217,000펜티엄 II 클라마스 (32비트, 64비트 SIMD, 캐시)7,500,0001997인텔350 nm195 mm239,000AMD K6 (32비트, 캐시)8,800,0001997AMD350 nm162 mm254,000F21 (21비트; 예: 비디오 포함) 15,0001997 Offete EnterprisesAVR (8비트, 40핀; 메모리 포함)140,000 (48,000 메모리 제외)1997노르딕 VLSI/아트멜펜티엄 II 데슈츠 (32비트, 대용량 캐시)7,500,0001998인텔250 nm113 mm266,000Alpha 21264 EV6 (64비트)15,200,000Gronowski, Paul E. et al. (May 1998). "High-performance microprocessor design". IEEE Journal of Solid-State Circuits 33 (5): pp. 676–686.1998DEC350 nm313.96 mm248,400Alpha 21164PC PCA57 (64비트, 48 kB 캐시)5,700,0001998삼성280 nm100.5 mm256,700히타치 SH-4 (32비트, 캐시)3,200,0001998히타치250 nm57.76 mm255,400ARM 9TDMI (32비트, 캐시 없음)111,0001999아콘350 nm4.8 mm223,100펜티엄 III 카트마이 (32비트, 128비트 SIMD, 캐시)9,500,0001999인텔250 nm128 mm274,000이모션 엔진 (64비트, 128비트 SIMD, 캐시)10,500,000– 13,500,0001999소니, 도시바250 nm239.7 mm243,800 – 56,300펜티엄 II 모바일 딕슨 (32비트, 캐시)27,400,0001999인텔180 nm180 mm2152,000AMD K6-III (32비트, 캐시)21,300,0001999AMD250 nm118 mm2181,000AMD K7 (32비트, 캐시)22,000,0001999AMD250 nm184 mm2120,000게코 (32비트, 대용량 캐시)21,000,0002000IBM, 닌텐도180 nm43 mm2490,000 (확인)펜티엄 III 코퍼마인 (32비트, 대용량 캐시)21,000,0002000인텔180 nm80 mm2263,000펜티엄 4 윌라메트 (32비트, 대용량 캐시)42,000,0002000인텔180 nm217 mm2194,000SPARC64 V (64비트, 대용량 캐시)191,000,0002001후지쯔130 nmKrewell, Kevin (21 October 2002). "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal". Microprocessor Report.290 mm2659,000펜티엄 III 투알라틴 (32비트, 대용량 캐시)45,000,0002001인텔130 nm81 mm2556,000펜티엄 4 노스우드 (32비트, 대용량 캐시)55,000,0002002인텔130 nm145 mm2379,000아이테니엄 2 맥킨리 (64비트, 대용량 캐시)220,000,0002002인텔180 nm421 mm2523,000Alpha 21364 (64비트, 946핀, SIMD, 매우 큰 캐시) 152,000,0002003DEC180 nm397 mm2383,000AMD K7 바튼 (32비트, 대용량 캐시)54,300,0002003AMD130 nm101 mm2538,000AMD K8 (64비트, 대용량 캐시)105,900,0002003AMD130 nm193 mm2548,700펜티엄 M 바니아스 (32비트)77,000,0002003인텔130 nm83 mm2928,000아이테니엄 2 매디슨 6M (64비트)410,000,0002003인텔130 nm374 mm21,096,000플레이스테이션 2 단일 칩 (CPU + GPU)53,500,0002003소니, 도시바90 nm130 nm86 mm2622,100펜티엄 4 프레스콧 (32비트, 대용량 캐시)112,000,0002004인텔90 nm110 mm21,018,000펜티엄 M 도선 (32비트)144,000,0002004인텔90 nm87 mm21,655,000SPARC64 V+ (64비트, 대용량 캐시)400,000,000후지쯔 (August 2004). SPARC64 V Processor For UNIX Server.2004후지쯔90 nm294 mm21,360,000아이테니엄 2 (64비트; 9 MB 캐시)592,000,0002004인텔130 nm432 mm21,370,000펜티엄 4 프레스콧-2M (32비트, 대용량 캐시)169,000,0002005인텔90 nm143 mm21,182,000펜티엄 D 스미스필드 (64비트, 대용량 캐시)228,000,0002005인텔90 nm206 mm21,107,000제논 (64비트, 128비트 SIMD, 대용량 캐시)165,000,0002005IBM90 nm셀 (32비트, 캐시)250,000,0002005소니, IBM, 도시바90 nm221 mm21,131,000펜티엄 4 시더밀 (32비트, 대용량 캐시)184,000,0002006인텔65 nm90 mm22,044,000펜티엄 D 프레슬러 (64비트, 대용량 캐시)362,000,0002006인텔65 nm162 mm22,235,000Core 2 Duo 콘로 (듀얼코어 64비트, 대용량 캐시)291,000,0002006인텔65 nm143 mm22,035,000듀얼 코어 아이테니엄 2 (64비트, SIMD, 대용량 캐시)1,700,000,0002006인텔90 nm596 mm22,852,000AMD K10 쿼드코어 2M L3 (64비트, 대용량 캐시)463,000,0002007AMD65 nm283 mm21,636,000ARM Cortex-A9 (32비트, (선택 사항) SIMD, 캐시)26,000,0002007ARM45 nm31 mm2839,000Core 2 Duo 울프데일 (듀얼 코어 64비트, SIMD, 캐시)411,000,0002007인텔45 nm107 mm23,841,000POWER6 (64비트, 대용량 캐시)789,000,0002007IBM65 nm341 mm22,314,000Core 2 Duo 알렌데일 (듀얼 코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)169,000,0002007인텔65 nm111 mm21,523,000유니피어250,000,0002007마쓰시타45 nmSPARC64 VI (64비트, SIMD, 대용량 캐시)540,000,0002007"SPARC64 VI Extensions" page 56, Fujitsu Limited, Release 1.3, 27 March 2007후지쯔90 nm421 mm21,283,000Core 2 Duo 울프데일 3M (듀얼 코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)230,000,0002008인텔45 nm83 mm22,771,000코어 i7 (쿼드 코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)731,000,0002008인텔45 nm263 mm22,779,000AMD K10 쿼드 코어 6M L3 (64비트, SIMD, 대용량 캐시)758,000,0002008AMD45 nm258 mm22,938,000아톰 (32비트, 대용량 캐시)47,000,0002008인텔45 nm24 mm21,958,000SPARC64 VII (64비트, SIMD, 대용량 캐시)600,000,0002008Morgan, Timothy Prickett (17 July 2008). "Fujitsu and Sun Flex Their Quads with New Sparc Server Lineup". The Unix Guardian, Vol. 8, No. 27.후지쯔65 nm445 mm21,348,0006코어 제온 7400 (64비트, SIMD, 대용량 캐시)1,900,000,0002008인텔45 nm503 mm23,777,0006코어 옵테론 2400 (64비트, SIMD, 대용량 캐시)904,000,0002009AMD45 nm346 mm22,613,000SPARC64 VIIIfx (64비트, SIMD, 대용량 캐시)760,000,0002009후지쯔45 nm513 mm21,481,000아톰 (파인뷰) 64비트, 1코어, 512 kB L2 캐시123,000,0002010인텔45 nm66 mm21,864,000아톰 (파인뷰) 64비트, 2코어, 1 MB L2 캐시176,000,0002010인텔45 nm87 mm22,023,000SPARC T3 (16코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)1,000,000,0002010썬/오라클40 nm377 mm22,653,0006코어 코어 i7 (걸프타운)1,170,000,0002010인텔32 nm240 mm24,875,000POWER7 32M L3 (8코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)1,200,000,0002010IBM45 nm567 mm22,116,000쿼드 코어 z196 (64비트, 매우 큰 캐시)1,400,000,0002010IBM45 nm512 mm22,734,000쿼드 코어 아이테니엄 투킬라 (64비트, SIMD, 대용량 캐시)2,000,000,0002010인텔65 nm699 mm22,861,000제온 네할렘-EX (8코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)2,300,000,000"Intel Previews Intel Xeon 'Nehalem-EX' Processor." May 26, 2009. Retrieved on May 28, 2009.2010인텔45 nm684 mm23,363,000SPARC64 IXfx (64비트, SIMD, 대용량 캐시)1,870,000,0002011후지쯔40 nm484 mm23,864,000쿼드 코어 + GPU 코어 i7 (샌디브리지) (64비트, SIMD, 대용량 캐시)1,160,000,0002011인텔32 nm216 mm25,370,0006코어 코어 i7/8코어 제온 E5 (샌디브리지-E/EP) (64비트, SIMD, 대용량 캐시)2,270,000,0002011인텔32 nm434 mm25,230,000제온 Westmere-EX (10코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)2,600,000,0002011인텔32 nm512 mm25,078,000아톰 "메드필드" (64비트)432,000,0002012인텔32 nm64 mm26,750,000SPARC64 X (64비트, SIMD, 캐시)2,990,000,0002012후지쯔28 nm600 mm24,983,000AMD 불도저 (8코어 64비트, SIMD, 캐시)1,200,000,0002012AMD32 nm315 mm23,810,000쿼드 코어 + GPU AMD 트리니티 (64비트, SIMD, 캐시)1,303,000,0002012AMD32 nm246 mm25,297,000쿼드 코어 + GPU 코어 i7 아이비브리지 (64비트, SIMD, 캐시)1,400,000,0002012인텔22 nm160 mm28,750,000POWER7+ (8코어 64비트, SIMD, 80 MB L3 캐시)2,100,000,0002012IBM32 nm567 mm23,704,0006코어 zEC12 (64비트, SIMD, 대용량 캐시)2,750,000,0002012IBM32 nm597 mm24,606,000아이테니엄 폴슨 (8코어 64비트, SIMD, 캐시)3,100,000,0002012인텔32 nm544 mm25,699,000제온 파이 (61코어 32비트, 512비트 SIMD, 캐시) 5,000,000,0002012인텔22 nm720 mm26,944,000애플 A7 (듀얼 코어 64/32비트 ARM64, "모바일 SoC", SIMD, 캐시)1,000,000,0002013애플28 nm102 mm29,804,0006코어 코어 i7 아이비브리지 E (64비트, SIMD, 캐시)1,860,000,0002013인텔22 nm256 mm27,266,000POWER8 (12코어 64비트, SIMD, 캐시)4,200,000,0002013IBM22 nm650 mm26,462,000엑스박스 원 메인 SoC (64비트, SIMD, 캐시)5,000,000,0002013마이크로소프트, AMD28 nm363 mm213,770,000쿼드 코어 + GPU 코어 i7 하스웰 (64비트, SIMD, 캐시)1,400,000,0002014인텔22 nm177 mm27,910,000애플 A8 (듀얼 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)2,000,000,0002014애플20 nm89 mm222,470,000코어 i7 하스웰-E (8코어 64비트, SIMD, 캐시)2,600,000,000"2014인텔22 nm355 mm27,324,000애플 A8X (트리플 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)3,000,000,0002014애플20 nm128 mm223,440,000제온 아이비브리지-EX (15코어 64비트, SIMD, 캐시)4,310,000,0002014인텔22 nm541 mm27,967,000제온 하스웰-E5 (18코어 64비트, SIMD, 캐시)5,560,000,0002014인텔22 nm661 mm28,411,000쿼드 코어 + GPU GT2 코어 i7 스카이레이크 K (64비트, SIMD, 캐시)1,750,000,0002015인텔14 nm122 mm214,340,000듀얼 코어 + GPU 아이리스 코어 i7 브로드웰-U (64비트, SIMD, 캐시)1,900,000,0002015인텔14 nm133 mm214,290,000 애플 A9 (듀얼 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) 2,000,000,000+ 2015 애플14 nm(삼성)96 mm2(삼성)20,800,000+16 nm(TSMC)104.5 mm2(TSMC)19,100,000+애플 A9X (듀얼 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)3,000,000,000+2015애플16 nm143.9 mm220,800,000+IBM z13 (64비트, 캐시)3,990,000,0002015IBM22 nm678 mm25,885,000IBM z13 스토리지 컨트롤러7,100,000,0002015IBM22 nm678 mm210,472,000SPARC M7 (32코어 64비트, SIMD, 캐시)10,000,000,0002015오라클20 nm코어 i7 브로드웰-E (10코어 64비트, SIMD, 캐시)3,200,000,0002016인텔14 nm246 mm213,010,000애플 A10 퓨전 (쿼드 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)3,300,000,0002016애플16 nm125 mm226,400,000하이실리콘 기린 960 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)4,000,000,0002016화웨이16 nm110.00 mm236,360,000제온 브로드웰-E5 (22코어 64비트, SIMD, 캐시)7,200,000,0002016인텔14 nm456 mm215,790,000제온 파이 (72코어 64비트, 512비트 SIMD, 캐시) 8,000,000,0002016인텔14 nm683 mm211,710,000Zip CPU (32비트, FPGA용)1,286 6-LUTs2016Gisselquist Technology퀄컴 스냅드래곤 835 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)3,000,000,0002016퀄컴10 nm72.3 mm241,490,000애플 A11 바이오닉 (헥사 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)4,300,000,0002017애플10 nm89.23 mm248,190,000AMD 젠 CCX (코어 컴플렉스 유닛: 4코어, 8 MB L3 캐시)1,400,000,0002017AMD14 nm(GF 14LPP)44 mm231,800,000AMD 제플린 SoC 라이젠 (64비트, SIMD, 캐시)4,800,000,0002017AMD14 nm192 mm225,000,000AMD 라이젠 5 1600 라이젠 (64비트, SIMD, 캐시)4,800,000,0002017AMD14 nm213 mm222,530,000IBM z14 (64비트, SIMD, 캐시)6,100,000,0002017IBM14 nm696 mm28,764,000IBM z14 스토리지 컨트롤러 (64비트)9,700,000,0002017IBM14 nm696 mm213,940,000하이실리콘 기린 970 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)5,500,000,0002017하이실리콘10 nm96.72 mm256,900,000엑스박스 원 X (프로젝트 스콜피오) 메인 SoC (64비트, SIMD, 캐시)7,000,000,0002017마이크로소프트, AMD16 nm360 mm219,440,000제온 플래티넘 8180 (28코어 64비트, SIMD, 캐시)8,000,000,0002017인텔14 nm제온 (미지정)7,100,000,0002017인텔14 nm672 mm210,570,000POWER9 (64비트, SIMD, 캐시)8,000,000,0002017IBM14 nm695 mm211,500,000프리덤 U500 베이스 플랫폼 칩 (E51, 4×U54) RISC-V (64비트, 캐시)250,000,0002017SiFive28 nm~30 mm28,330,000SPARC64 XII (12코어 64비트, SIMD, 캐시)5,450,000,0002017후지쯔20 nm795 mm26,850,000애플 A10X 퓨전 (헥사 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)4,300,000,0002017애플10 nm96.40 mm244,600,000센트릭 2400 (64/32비트, SIMD, 캐시)18,000,000,0002017퀄컴10 nm398 mm245,200,000AMD Epyc (32코어 64비트, SIMD, 캐시)19,200,000,0002017AMD14 nm768 mm225,000,000퀄컴 스냅드래곤 845 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)5,300,000,0002017퀄컴10 nm94 mm256,400,000퀄컴 스냅드래곤 850 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)5,300,000,0002017퀄컴10 nm94 mm256,400,000하이실리콘 기린 710 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)5,500,000,0002018화웨이12 nm애플 A12 바이오닉 (헥사 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)6,900,000,0002018애플7 nm83.27 mm282,900,000하이실리콘 기린 980 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)6,900,000,0002018하이실리콘7 nm74.13 mm293,100,000퀄컴 스냅드래곤 8cx / SCX8180 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)8,500,000,0002018퀄컴7 nm112 mm275,900,000애플 A12X 바이오닉 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)10,000,000,0002018애플7 nm122 mm282,000,000후지쯔 A64FX (64/32비트, SIMD, 캐시)8,786,000,0002018후지쯔7 nm테그라 자비에르 SoC (64/32비트)9,000,000,0002018엔비디아12 nm350 mm225,700,000퀄컴 스냅드래곤 855 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)6,700,000,0002018퀄컴7 nm73 mm291,800,000AMD 젠 2 코어 (0.5 MB L2 + 4 MB L3 캐시)475,000,0002019AMD7 nm7.83 mm260,664,000AMD 젠 2 CCX (코어 컴플렉스: 4코어, 16 MB L3 캐시)1,900,000,0002019AMD7 nm31.32 mm260,664,000AMD 젠 2 CCD (코어 컴플렉스 다이: 8코어, 32 MB L3 캐시)3,800,000,0002019AMD7 nm74 mm251,350,000AMD 젠 2 클라이언트 I/O 다이2,090,000,0002019AMD12 nm125 mm216,720,000AMD 젠 2 서버 I/O 다이8,340,000,0002019AMD12 nm416 mm220,050,000AMD 젠 2 르누아르 다이9,800,000,0002019AMD7 nm156 mm262,820,000AMD 라이젠 7 3700X (64비트, SIMD, 캐시, I/O 다이)5,990,000,0002019AMD7 & 12 nm(TSMC)199 (74+125) mm230,100,000하이실리콘 기린 990 4G8,000,000,0002019화웨이7 nm90.00 mm289,000,000애플 A13 (헥사 코어 64비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)8,500,000,0002019애플7 nm98.48 mm286,300,000IBM z15 CP 칩 (12코어, 256 MB L3 캐시)9,200,000,0002019IBM14 nm696 mm213,220,000IBM z15 SC 칩 (960 MB L4 캐시)12,200,000,0002019IBM14 nm696 mm217,530,000AMD 라이젠 9 3900X (64비트, SIMD, 캐시, I/O 다이)9,890,000,0002019AMD7 & 12 nm(TSMC)273 mm236,230,000하이실리콘 기린 990 5G10,300,000,0002019화웨이7 nm113.31 mm290,900,000AWS 그라비톤2 (64비트, 64코어 ARM 기반, SIMD, 캐시)30,000,000,0002019아마존7 nmAMD Epyc 로마 (64비트, SIMD, 캐시)39,540,000,0002019AMD7 & 12 nm(TSMC)1,008 mm239,226,000퀄컴 스냅드래곤 865 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)10,300,000,0002019퀄컴7 nm83.54 mm2123,300,000TI 자신토 TDA4VM (ARM A72, DSP, SRAM)3,500,000,0002020텍사스 인스트루먼트16 nm애플 A14 바이오닉 (헥사 코어 64비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)11,800,000,0002020애플5 nm88 mm2134,100,000애플 M1 (옥타 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)16,000,000,0002020애플5 nm119 mm2134,500,000하이실리콘 기린 900015,300,000,0002020화웨이5 nm114 mm2134,200,000AMD 젠 3 CCX (코어 컴플렉스 유닛: 8코어, 32 MB L3 캐시)4,080,000,0002020AMD7 nm68 mm260,000,000AMD 젠 3 CCD (코어 컴플렉스 다이)4,150,000,0002020AMD7 nm81 mm251,230,000코어 11세대 로켓레이크 (8코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시)6,000,000,000+2021인텔14 nm +++ 14 nm276 mm237,500,000 or 21,800,000+AMD 라이젠 7 5800H (64비트, SIMD, 캐시, I/O 및 GPU)10,700,000,0002021AMD7 nm180 mm259,440,000AMD Epyc 7763 (밀란) (64코어, 64비트)?2021AMD7 & 12 nm(TSMC)1,064 mm2(8×81+416)애플 A1515,000,000,0002021애플5 nm107.68 mm2139,300,000애플 M1 프로 (10코어, 64비트)33,700,000,0002021애플5 nm245 mm2137,600,000애플 M1 맥스 (10코어, 64비트)57,000,000,0002021애플5 nm420.2 mm2135,600,000Power10 듀얼 칩 모듈 (30 SMT8 코어 또는 60 SMT4 코어)36,000,000,0002021IBM7 nm1,204 mm229,900,000디멘시티 9000 (ARM64 SoC)15,300,000,0002021미디어텍4 nm(TSMC N4)애플 A16 (ARM64 SoC)16,000,000,0002022애플4 nm애플 M1 울트라 (듀얼 칩 모듈, 2×10 코어)114,000,000,0002022애플5 nm840.5 mm2135,600,000AMD Epyc 7773X (밀란-X) (멀티 칩 모듈, 64코어, 768 MB L3 캐시)26,000,000,000 + 밀란2022AMD7 & 12 nm(TSMC)1,352 mm2(밀란 + 8×36)IBM 텔룸 듀얼 칩 모듈 (2×8 코어, 2×256 MB 캐시)45,000,000,0002022IBM7 nm (삼성)1,060 mm242,450,000애플 M2 (옥타 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)20,000,000,0002022애플5 nm디멘시티 9200 (ARM64 SoC)17,000,000,0002022미디어텍4 nm(TSMC N4P)퀄컴 스냅드래곤 8 Gen 2 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시)16,000,000,0002022퀄컴4 nm268 mm259,701,492AMD EPYC 제노아 (4세대/9004 시리즈) 13개 칩 모듈 (최대 96코어 및 384 MB (L3) + 96 MB (L2) 캐시)90,000,000,0002022AMD5 nm (CCD)6 nm (IOD)1,263.34 mm212×72.225 (CCD)396.64 (IOD)71,240,000하이실리콘 기린 9000s9,510,000,0002023화웨이7 nm107 mm2107,690,000애플 M4 (데카 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)28,000,000,0002024애플3 nm애플 M3 (옥타 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)25,000,000,0002023애플3 nm애플 M3 프로 (도데카 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)37,000,000,0002023애플3 nm애플 M3 맥스 (16코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)92,000,000,0002023애플3 nm애플 A1719,000,000,0002023애플3 nm103.8 mm2183,044,315사파이어 래피즈 쿼드 칩 모듈 (최대 60코어 및 112.5 MB 캐시)44,000,000,000–48,000,000,0002023인텔10 nm ESF (Intel 7)1,600 mm227,500,000–30,000,000애플 M2 프로 (12코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)40,000,000,0002023애플5 nm애플 M2 맥스 (12코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시)67,000,000,0002023애플5 nm애플 M2 울트라 (두 개의 M2 맥스 다이)134,000,000,0002023애플5 nmAMD EPYC 베르가모 (4세대/97X4 시리즈) 9개 칩 모듈 (최대 128코어 및 256 MB (L3) + 128 MB (L2) 캐시)82,000,000,0002023AMD5 nm (CCD)6 nm (IOD)AMD 인스팅트 MI300A (멀티 칩 모듈, 24코어, 128 GB GPU 메모리 + 256 MB (LLC/L3) 캐시)146,000,000,0002023AMD5 nm (CCD, GCD)6 nm (IOD)1,017 mm2144,000,000 RV32-WUJI: 사파이어 위의 3원자 두께 이황화 몰리브덴; RISC-V 아키텍처 5931"China creates world's thinnest chip with 5931 transistors".
2025. 2025  3000 nm   Processor 트랜지스터 수 연도 설계자 공정(nm) 면적 (mm2) 트랜지스터밀도(tr./mm2)

 GPU 
그래픽 처리 장치 (GPU)는 디스플레이로 출력하기 위한 프레임 버퍼에 이미지를 구축하는 속도를 높이기 위해 메모리를 빠르게 조작하고 변경하도록 설계된 특수 전자 회로이다.

설계자는 엔비디아 및 AMD와 같은 기술 기업을 의미하며, 집적 회로 칩의 논리를 설계한다. 제조사("Fab.")는 TSMC 및 삼성 반도체와 같은 파운드리에서 반도체 제조 공정을 사용하여 칩을 제작하는 반도체 회사를 의미한다. 칩의 트랜지스터 수는 제조사의 제조 공정에 따라 달라지며, 더 작은 반도체 노드는 일반적으로 더 높은 트랜지스터 밀도를 가능하게 하여 더 높은 트랜지스터 수를 허용한다.

GPU와 함께 제공되는 램 (VRAM, SGRAM 또는 HBM 등)은 총 트랜지스터 수를 크게 증가시키며, 메모리는 일반적으로 그래픽 카드의 트랜지스터 대부분을 차지한다. 예를 들어, 엔비디아의 테슬라 P100은 16 GB의 HBM2 메모리 외에 GPU에 150억 개의 핀펫 (16 nm)이 있어 그래픽 카드에 총 약 1500억 개의 MOSFET이 있다. 다음 표에는 메모리가 포함되지 않는다. 메모리 트랜지스터 수는 아래 메모리 섹션을 참조하십시오.

 프로세서 트랜지스터 수 연도 설계자 제조사 공정 면적 트랜지스터밀도(tr./mm2) μPD7220 GDC40,0001982NECNEC5,000 nmARTC HD6348460,0001984히타치히타치CBM 아그누스21,0001985코모도어CSG5,000 nmYM7101 VDP100,0001988야마하, 세가야마하톰 & 제리750,0001993플레어IBMVDP11,000,0001994세가히타치500 nm소니 GPU1,000,0001994도시바LSI500 nmNV11,000,0001995엔비디아, 세가SGS500 nm90 mm211,000리얼리티 코프로세서2,600,0001996SGINEC350 nm81 mm232,100PowerVR1,200,0001996VideoLogicNEC350 nm부두 그래픽스1,000,00019963dfxTSMC500 nmVoodoo Rush1,000,00019973dfxTSMC500 nmNV33,500,0001997엔비디아SGS, TSMC350 nm90 mm238,900i7403,500,0001998인텔, Real3DReal3D350 nm부두 24,000,00019983dfxTSMC350 nmVoodoo Rush4,000,00019983dfxTSMC350 nmNV47,000,0001998엔비디아TSMC350 nm90 mm278,000PowerVR2 CLX210,000,0001998VideoLogicNEC250 nm116 mm286,200PowerVR2 PMX16,000,0001999VideoLogicNEC250 nmRage 1288,000,0001999ATITSMC, UMC250 nm70 mm2114,000부두 38,100,00019993dfxTSMC250 nm그래픽스 신시사이저43,000,0001999소니, 도시바소니, 도시바180 nm279 mm2154,000NV515,000,0001999엔비디아TSMC250 nm90 mm2167,000NV1017,000,0001999엔비디아TSMC220 nm111 mm2153,000NV1120,000,0002000엔비디아TSMC180 nm65 mm2308,000NV1525,000,0002000엔비디아TSMC180 nm81 mm2309,000부두 414,000,00020003dfxTSMC220 nm부두 528,000,00020003dfxTSMC220 nmR10030,000,0002000ATITSMC180 nm97 mm2309,000플리퍼51,000,0002000ArtXNEC180 nm106 mm2481,000PowerVR3 KYRO14,000,0002001이미지네이션ST250 nm  PowerVR3 KYRO II15,000,0002001이미지네이션ST180 nmNV2A60,000,0002001엔비디아TSMC150 nmNV2057,000,0002001엔비디아TSMC150 nm128 mm2445,000NV2563,000,0002002엔비디아TSMC150 nm142 mm2444,000NV2836,000,0002002엔비디아TSMC150 nm101 mm2356,000NV17/1829,000,0002002엔비디아TSMC150 nm65 mm2446,000R20060,000,0002001ATITSMC150 nm68 mm2882,000R300107,000,0002002ATITSMC150 nm218 mm2490,800R360117,000,0002003ATITSMC150 nm218 mm2536,700NV3445,000,0002003엔비디아TSMC150 nm124 mm2363,000NV34b45,000,0002004엔비디아TSMC140 nm91 mm2495,000NV30125,000,0002003엔비디아TSMC130 nm199 mm2628,000NV3180,000,0002003엔비디아TSMC130 nm121 mm2661,000NV35/38135,000,0002003엔비디아TSMC130 nm207 mm2652,000NV3682,000,0002003엔비디아IBM130 nm133 mm2617,000R480160,000,0002004ATITSMC130 nm297 mm2538,700NV40222,000,0002004엔비디아IBM130 nm305 mm2727,900NV4475,000,0002004엔비디아IBM130 nm110 mm2681,800NV41222,000,0002005엔비디아TSMC110 nm225 mm2986,700NV42198,000,0002005엔비디아TSMC110 nm222 mm2891,900NV43146,000,0002005엔비디아TSMC110 nm154 mm2948,100G70303,000,0002005엔비디아TSMC, 차터드110 nm333 mm2909,900제노스232,000,0002005ATITSMC90 nm182 mm21,275,000RSX 리얼리티 신시사이저300,000,0002005엔비디아, 소니소니90 nm186 mm21,613,000R520321,000,0002005ATITSMC90 nm288 mm21,115,000RV530157,000,0002005ATITSMC90 nm150 mm21,047,000RV515107,000,0002005ATITSMC90 nm100 mm21,070,000R580384,000,0002006ATITSMC90 nm352 mm21,091,000G71278,000,0002006엔비디아TSMC90 nm196 mm21,418,000G72112,000,0002006엔비디아TSMC90 nm81 mm21,383,000G73177,000,0002006엔비디아TSMC90 nm125 mm21,416,000G80681,000,0002006엔비디아TSMC90 nm480 mm21,419,000G86 테슬라210,000,0002007엔비디아TSMC80 nm127 mm21,654,000G84 테슬라289,000,0002007엔비디아TSMC80 nm169 mm21,710,000RV560330,000,0002006ATITSMC80 nm230 mm21,435,000R600700,000,0002007ATITSMC80 nm420 mm21,667,000RV610180,000,0002007ATITSMC65 nm85 mm22,118,000RV630390,000,0002007ATITSMC65 nm153 mm22,549,000G92754,000,0002007엔비디아TSMC, UMC65 nm324 mm22,327,000G94 테슬라505,000,0002008엔비디아TSMC65 nm240 mm22,104,000G96 테슬라314,000,0002008엔비디아TSMC65 nm144 mm22,181,000G98 테슬라210,000,0002008엔비디아TSMC65 nm86 mm22,442,000GT2001,400,000,0002008엔비디아TSMC65 nm576 mm22,431,000RV620181,000,0002008ATITSMC55 nm67 mm22,701,000RV635378,000,0002008ATITSMC55 nm135 mm22,800,000RV710242,000,0002008ATITSMC55 nm73 mm23,315,000RV730514,000,0002008ATITSMC55 nm146 mm23,521,000RV670666,000,0002008ATITSMC55 nm192 mm23,469,000RV770956,000,0002008ATITSMC55 nm256 mm23,734,000RV790959,000,0002008ATITSMC55 nm282 mm23,401,000G92b 테슬라754,000,0002008엔비디아TSMC, UMC55 nm260 mm22,900,000G94b 테슬라505,000,0002008엔비디아TSMC, UMC55 nm196 mm22,577,000G96b 테슬라314,000,0002008엔비디아TSMC, UMC55 nm121 mm22,595,000GT200b 테슬라1,400,000,0002008엔비디아TSMC, UMC55 nm470 mm22,979,000GT218 테슬라260,000,0002009엔비디아TSMC40 nm57 mm24,561,000GT216 테슬라486,000,0002009엔비디아TSMC40 nm100 mm24,860,000GT215 테슬라727,000,0002009엔비디아TSMC40 nm144 mm25,049,000RV740826,000,0002009ATITSMC40 nm137 mm26,029,000사이프러스 RV8702,154,000,0002009ATITSMC40 nm334 mm26,449,000주니퍼 RV8401,040,000,0002009ATITSMC40 nm166 mm26,265,000레드우드 RV830627,000,0002010AMD (ATI)TSMC40 nm104 mm26,029,000시더 RV810292,000,0002010AMDTSMC40 nm59 mm24,949,000케이먼 RV9702,640,000,0002010AMDTSMC40 nm389 mm26,789,000바르츠 RV9401,700,000,0002010AMDTSMC40 nm255 mm26,667,000터크스 RV930716,000,0002011AMDTSMC40 nm118 mm26,068,000카이코스 RV910370,000,0002011AMDTSMC40 nm67 mm25,522,000GF100 페르미3,200,000,0002010엔비디아TSMC40 nm526 mm26,084,000GF110 페르미3,000,000,0002010엔비디아TSMC40 nm520 mm25,769,000GF104 페르미1,950,000,0002011엔비디아TSMC40 nm332 mm25,873,000GF106 페르미1,170,000,0002010엔비디아TSMC40 nm238 mm24,916,000GF108 페르미585,000,0002011엔비디아TSMC40 nm116 mm25,043,000GF119 페르미292,000,0002011엔비디아TSMC40 nm79 mm23,696,000타히티 GCN14,312,711,8732011AMDTSMC28 nm365 mm211,820,000케이프 베르데 GCN11,500,000,0002012AMDTSMC28 nm123 mm212,200,000피트케언 GCN12,800,000,0002012AMDTSMC28 nm212 mm213,210,000GK110 케플러7,080,000,0002012엔비디아TSMC28 nm561 mm212,620,000GK104 케플러3,540,000,0002012엔비디아TSMC28 nm294 mm212,040,000GK106 케플러2,540,000,0002012엔비디아TSMC28 nm221 mm211,490,000GK107 케플러1,270,000,0002012엔비디아TSMC28 nm118 mm210,760,000GK208 케플러1,020,000,0002013엔비디아TSMC28 nm79 mm212,910,000올랜드 GCN11,040,000,0002013AMDTSMC28 nm90 mm211,560,000보네르 GCN22,080,000,0002013AMDTSMC28 nm160 mm213,000,000듀랑고 (엑스박스 원)4,800,000,0002013AMDTSMC28 nm375 mm212,800,000리버풀 (플레이스테이션 4)2013AMDTSMC28 nm348 mm2하와이 GCN26,300,000,0002013AMDTSMC28 nm438 mm214,380,000GM200 맥스웰8,000,000,0002015엔비디아TSMC28 nm601 mm213,310,000GM204 맥스웰5,200,000,0002014엔비디아TSMC28 nm398 mm213,070,000GM206 맥스웰2,940,000,0002014엔비디아TSMC28 nm228 mm212,890,000GM107 맥스웰1,870,000,0002014엔비디아TSMC28 nm148 mm212,640,000통가 GCN35,000,000,0002014AMDTSMC, 글로벌파운더리스28 nm366 mm213,660,000피지 GCN38,900,000,0002015AMDTSMC28 nm596 mm214,930,000듀랑고 2 (엑스박스 원 S)5,000,000,0002016AMDTSMC16 nm240 mm220,830,000네오 (플레이스테이션 4 프로)5,700,000,0002016AMDTSMC16 nm325 mm217,540,000엘레스미어/폴라리스 10 GCN45,700,000,0002016AMD삼성, 글로벌파운더리스14 nm232 mm224,570,000바핀/폴라리스 11 GCN43,000,000,0002016AMD삼성, 글로벌파운더리스14 nm123 mm224,390,000렉사/폴라리스 12 GCN42,200,000,0002017AMD삼성, 글로벌파운더리스14 nm101 mm221,780,000GP100 파스칼15,300,000,0002016엔비디아TSMC, 삼성16 nm610 mm225,080,000GP102 파스칼11,800,000,0002016엔비디아TSMC, 삼성16 nm471 mm225,050,000GP104 파스칼7,200,000,0002016엔비디아TSMC16 nm314 mm222,930,000GP106 파스칼4,400,000,0002016엔비디아TSMC16 nm200 mm222,000,000GP107 파스칼3,300,000,0002016엔비디아삼성14 nm132 mm225,000,000GP108 파스칼1,850,000,0002017엔비디아삼성14 nm74 mm225,000,000스콜피오 (엑스박스 원 X)6,600,000,0002017AMDTSMC16 nm367 mm217,980,000베가 10 GCN512,500,000,0002017AMD삼성, 글로벌파운더리스14 nm484 mm225,830,000GV100 볼타21,100,000,0002017엔비디아TSMC12 nm815 mm225,890,000TU102 튜링18,600,000,0002018엔비디아TSMC12 nm754 mm224,670,000TU104 튜링13,600,000,0002018엔비디아TSMC12 nm545 mm224,950,000TU106 튜링10,800,000,0002018엔비디아TSMC12 nm445 mm224,270,000TU116 튜링6,600,000,0002019엔비디아TSMC12 nm284 mm223,240,000TU117 튜링4,700,000,0002019엔비디아TSMC12 nm200 mm223,500,000베가 20 GCN513,230,000,0002018AMDTSMC7 nm331 mm239,970,000나비 10 RDNA10,300,000,0002019AMDTSMC7 nm251 mm241,040,000 나비 12 RDNA2020AMDTSMC7 nm나비 14 RDNA6,400,000,0002019AMDTSMC7 nm158 mm240,510,000아크투루스 CDNA25,600,000,0002020AMDTSMC7 nm750 mm234,100,000GA100 암페어54,200,000,0002020엔비디아TSMC7 nm826 mm265,620,000GA102 암페어28,300,000,0002020엔비디아삼성그룹8 nm628 mm245,035,000GA103 암페어22,000,000,0002022엔비디아삼성그룹8 nm496 mm244,400,000GA104 암페어17,400,000,0002020엔비디아삼성그룹8 nm392 mm244,390,000GA106 암페어12,000,000,0002021엔비디아삼성그룹8 nm276 mm243,480,000GA107 암페어8,700,000,0002021엔비디아삼성그룹8 nm200 mm243,500,000나비 21 RDNA226,800,000,0002020AMDTSMC7 nm520 mm251,540,000나비 22 RDNA217,200,000,0002021AMDTSMC7 nm335 mm251,340,000나비 23 RDNA211,060,000,0002021AMDTSMC7 nm237 mm246,670,000나비 24 RDNA25,400,000,0002022AMDTSMC6 nm107 mm250,470,000알데바란 CDNA258,200,000,000 (MCM)2021AMDTSMC6 nm1448–1474 mm21480 mm21490–1580 mm239,500,000–40,200,00039,200,00036,800,000–39,100,000GH100 호퍼80,000,000,0002022엔비디아TSMC4 nm814 mm298,280,000AD102 에이다 러브레이스76,300,000,0002022엔비디아TSMC4 nm608.4 mm2125,411,000AD103 에이다 러브레이스45,900,000,0002022엔비디아TSMC4 nm378.6 mm2121,240,000AD104 에이다 러브레이스35,800,000,0002022엔비디아TSMC4 nm294.5 mm2121,560,000AD106 에이다 러브레이스2023엔비디아TSMC4 nm190 mm2AD107 에이다 러브레이스2023엔비디아TSMC4 nm146 mm2나비 31 RDNA357,700,000,000 (MCM)45,400,000,000 (GCD)6×2,050,000,000 (MCD)2022AMDTSMC5 nm (GCD)6 nm (MCD)531 mm2 (MCM)306 mm2 (GCD)6×37.5 mm2 (MCD)109,200,000 (MCM)132,400,000 (GCD)54,640,000 (MCD)나비 32 RDNA328,100,000,000 (MCM)2023AMDTSMC5 nm (GCD)6 nm (MCD)350 mm2 (MCM)200 mm2 (GCD)4×37.5 mm2 (MCD)80,200,000 (MCM)나비 33 RDNA313,300,000,0002023AMDTSMC6 nm204 mm265,200,000아쿠아 반자람 CDNA3153,000,000,000 (MCM)2023AMDTSMC5 nm (GCD)6 nm (MCD)GB200 그레이스 블랙웰208,000,000,000 (MCM)2024엔비디아TSMC4 nm GB202 블랙웰92,200,000,0002025엔비디아TSMC4 nm 750 mm2122,600,000GB203 블랙웰45,600,000,0002025엔비디아TSMC4 nm 378 mm2120,600,000GB205 블랙웰31,100,000,0002025엔비디아TSMC4 nm 263 mm2118,300,000GB206 블랙웰21,900,000,0002025엔비디아TSMC4 nm 181 mm2121,000,000GB207 블랙웰16,900,000,0002025엔비디아TSMC4 nm 149 mm2113,400,000나비 44 RDNA429,700,000,0002025AMDTSMC4 nm 199 mm2149,200,000나비 48 RDNA453,900,000,0002025AMDTSMC4 nm 357 mm2151,000,000 프로세서 트랜지스터 개수 연도 설계자 제조사 MOS 공정 면적 트랜지스터밀도(tr./mm2) 

 FPGA 
FPGA는 제조 후 고객 또는 설계자가 구성하도록 설계된 집적 회로이다.

 FPGA 트랜지스터 개수 출시일 설계자 제조사 공정 면적 트랜지스터 밀도, tr./mm2 버텍스70,000,0001997자일링스버텍스-E200,000,0001998자일링스버텍스-II350,000,0002000자일링스130 nm버텍스-II 프로430,000,0002002자일링스버텍스-41,000,000,0002004자일링스90 nm버텍스-51,100,000,0002006자일링스TSMC65 nm"Taiwan Company UMC Delivers 65nm FPGAs to Xilinx." SDA-ASIA Thursday, November 9, 2006.스트라틱스 IV2,500,000,0002008알테라TSMC40 nm"스트라틱스 V3,800,000,0002011알테라TSMC28 nm아리아 105,300,000,0002014알테라TSMC20 nm버텍스-7 2000T6,800,000,0002011자일링스TSMC28 nm스트라틱스 10 SX 280017,000,000,000TBD인텔인텔14 nm560 mm230,400,000버텍스-울트라스케일 VU44020,000,000,0002015년 1분기자일링스TSMC20 nm버텍스-울트라스케일+ VU19P35,000,000,0002020자일링스TSMC16 nm900 mm238,900,000버설 VC190237,000,000,0002019년 하반기자일링스TSMC7 nm스트라틱스 10 GX 10M43,300,000,0002019년 4분기인텔인텔14 nm1,400 mm230,930,000버설 VP180292,000,000,0002021 자일링스TSMC7 nm

 메모리 

반도체 메모리는 일반적으로 컴퓨터 메모리로 사용되는 집적 회로에 구현된 전자 데이터 저장 장치이다. 1970년대 이후 거의 모든 반도체 메모리는 접합형 트랜지스터를 대체하여 MOSFET(MOS 트랜지스터)을 사용했다. 반도체 메모리에는 크게 두 가지 유형이 있다. 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 비휘발성 메모리(NVM)가 있다. RAM 유형에는 동적 램(DRAM)과 정적 램(SRAM)이 있으며, NVM 유형에는 플래시 메모리와 고정 기억 장치(ROM)가 있다.

일반적인 CMOS SRAM은 셀당 6개의 트랜지스터로 구성된다. DRAM의 경우 1T1C, 즉 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터 구조가 일반적이다. 충전 여부에 따라 1 또는 0을 저장하는 데 사용된다. 플래시 메모리에서는 데이터가 플로팅 게이트에 저장되며, 트랜지스터의 저항을 감지하여 저장된 데이터를 해석한다. 저항을 얼마나 미세하게 분리할 수 있는지에 따라 하나의 트랜지스터는 최대 3비트를 저장할 수 있으며, 이는 트랜지스터당 8개의 고유한 저항 수준이 가능하다는 의미이다. 그러나 미세한 규모는 반복성 문제와 그로 인한 신뢰성 문제를 수반한다. 일반적으로 낮은 등급의 2비트 MLC 플래시는 플래시 드라이브에 사용되므로 16 GB 플래시 드라이브에는 약 640억 개의 트랜지스터가 포함된다.

SRAM 칩의 경우 6개 트랜지스터 셀(비트당 6개 트랜지스터)이 표준이었다. 1970년대 초 DRAM 칩은 3개 트랜지스터 셀(비트당 3개 트랜지스터)을 사용했지만, 1970년대 중반 4Kb DRAM 시대부터 단일 트랜지스터 셀(비트당 1개 트랜지스터)이 표준이 되었다. 단일 레벨 플래시 메모리에서는 각 셀에 하나의 플로팅 게이트 MOSFET(비트당 하나의 트랜지스터)이 포함되어 있으며, 반면 멀티 레벨 플래시에는 트랜지스터당 2, 3 또는 4비트가 포함된다.

플래시 메모리 칩은 일반적으로 최대 128층으로 적층되어 생산되며, 136층은 관리되고, 최종 사용자 장치에는 제조업체로부터 최대 69층까지 제공된다.

+ 랜덤 액세스 메모리 (RAM) 칩 이름 용량 (비트) RAM 유형 트랜지스터 개수 출시일 제조사 공정 면적 트랜지스터밀도(tr./mm2) 1비트SRAM (셀)61963페어차일드1비트DRAM (셀)11965도시바8비트SRAM (바이폴라)481965SDS, 시그네틱스SP9516비트SRAM (바이폴라)801965IBMTMC316216비트SRAM (TTL)961966TransitronSRAM (MOS)1966NEC256비트DRAM (IC)2561968페어차일드64비트SRAM (PMOS)3841968페어차일드  144비트SRAM (NMOS)8641968NEC1101256비트SRAM (PMOS)1,5361969인텔12,000 nm11021 KbDRAM (PMOS)3,0721970인텔, 허니웰11031 KbDRAM (PMOS)3,0721970인텔8,000 nm10 mm2307The DRAM memory of Robert Dennard history-computer.comμPD4031 KbDRAM (NMOS)3,0721971NEC2 KbDRAM (PMOS)6,1441971제너럴 인스트루먼트12.7 mm248421021 KbSRAM (NMOS)6,1441972인텔8 KbDRAM (PMOS)8,1921973IBM18.8 mm243651011 KbSRAM (CMOS)6,1441974인텔211616 KbDRAM (NMOS)16,3841975인텔21144 KbSRAM (NMOS)24,5761976인텔4 KbSRAM (CMOS)24,5761977도시바 64 KbDRAM (NMOS)65,5361977NTT35.4 mm21851DRAM (VMOS)65,5361979지멘스25.2 mm2260116 KbSRAM (CMOS)98,3041980히타치, 도시바 256 Kb DRAM (NMOS) 262,144 1980NEC1,500 nm41.6 mm26302NTT1,000 nm34.4 mm2762064 KbSRAM (CMOS)393,2161980마쓰시타288 KbDRAM294,9121981IBM25 mm211,80064 KbSRAM (NMOS)393,2161982인텔1,500 nm256 KbSRAM (CMOS)1,572,8641984도시바1,200 nm8 MbDRAM8,388,608히타치16 MbDRAM (CMOS)16,777,2161987NTT700 nm148 mm2113,4004 MbSRAM (CMOS)25,165,8241990NEC, 도시바, 히타치, 미쓰비시  64 MbDRAM (CMOS)67,108,8641991마쓰시타, 미쓰비시, 후지쯔, 도시바400 nmKM48SL200016 MbSDRAM16,777,2161992삼성16 MbSRAM (CMOS)100,663,2961992후지쯔, NEC400 nm  256 MbDRAM (CMOS)268,435,4561993히타치, NEC250 nm 1 Gb DRAM 1,073,741,824 NEC250 nmBreaking the gigabit barrier, DRAMs at ISSCC portend major system-design impact. (dynamic random access memory; International Solid-State Circuits Conference; Hitachi Ltd. and NEC Corp. research and development), January 9, 1995히타치160 nmSDRAM1,073,741,8241996미쓰비시150 nmSDRAM (SOI)1,073,741,8241997현대 4 GbDRAM (4비트)1,073,741,8241997NEC150 nmDRAM4,294,967,2961998현대8 GbSDRAM (DDR3)8,589,934,592삼성그룹50 nm16 GbSDRAM (DDR3)17,179,869,184200832 GbSDRAM (HBM2)34,359,738,3682016삼성그룹20 nm64 GbSDRAM (HBM2)68,719,476,7362017128 GbSDRAM (DDR4)137,438,953,4722018삼성그룹10 nmRRAM (3DSoC) 2019SkyWater Technology90 nm

+ 플래시 메모리 칩 이름 용량 (비트) 플래시 유형 FGMOS 트랜지스터 개수 출시일 제조사 공정 면적 트랜지스터밀도(tr./mm2) 256 KbNOR262,1441985도시바2,000 nm  1 MbNOR1,048,5761989Seeq, 인텔4 MbNAND4,194,3041989도시바1,000 nm16 MbNOR16,777,2161991미쓰비시600 nmDD28F032SA32 MbNOR33,554,4321993인텔280 mm2120,000  64 MbNOR67,108,8641994NEC 400 nm  NAND67,108,8641996히타치128 MbNAND134,217,7281996삼성, 히타치256 MbNAND268,435,4561999히타치, 도시바250 nm512 MbNAND536,870,9122000도시바1 Gb2비트 NAND536,870,9122001삼성그룹도시바, 샌디스크160 nm2 GbNAND2,147,483,6482002삼성그룹, 도시바8 GbNAND8,589,934,5922004삼성그룹60 nm16 GbNAND17,179,869,1842005삼성그룹50 nm  32 GbNAND34,359,738,3682006삼성그룹40 nmTHGAM128 Gb스택형 NAND128,000,000,000도시바56 nm252 mm2507,900,000THGBM256 Gb스택형 NAND256,000,000,0002008도시바43 nm353 mm2725,200,000THGBM21 Tb스택형 4비트 NAND256,000,000,0002010도시바32 nm374 mm2684,500,000KLMCG8GE4A512 Gb스택형 2비트 NAND256,000,000,0002011삼성그룹192 mm21,333,000,000KLUFG8R1EM4 Tb스택형 3비트 V-NAND1,365,333,333,5042017삼성그룹150 mm29,102,000,000eUFS (1TB)8 Tb스택형 4비트 V-NAND2,048,000,000,0002019삼성그룹150 mm213,650,000,0001 Tb232L TLC NAND 다이333,333,333,3332022마이크론 테크놀로지68.5 mm2(메모리 어레이)4,870,000,000(14.6 Gbit/mm2)16 Tb232L 패키지5,333,333,333,3332022마이크론 테크놀로지68.5 mm2(메모리 어레이)77,900,000,000(16×14.6 Gbit/mm2)

+ 고정 기억 장치 (ROM) 칩 이름 용량 (비트) ROM 유형 트랜지스터 개수 출시일 제조사 공정 면적 PROM1956아르마1 KbROM (MOS)1,0241965General Microelectronics33011 KbROM (바이폴라)1,0241969인텔17022 KbEPROM (MOS)2,0481971인텔15 mm24 KbROM (MOS)4,0961974AMD, 제너럴 인스트루먼트27088 KbEPROM (MOS)8,1921975인텔2 KbEEPROM (MOS)2,0481976도시바μCOM-43 ROM16 KbPROM (PMOS)16,0001977NEC271616 KbEPROM (TTL)16,3841977인텔EA8316F16 KbROM (NMOS)16,3841978일렉트로닉 어레이436 mm2273232 KbEPROM32,7681978인텔236464 KbROM65,5361978인텔276464 KbEPROM65,5361981인텔3,500 nm 27128128 KbEPROM131,0721982인텔27256256 KbEPROM (HMOS)262,1441983인텔256 KbEPROM (CMOS)262,1441983후지쯔512 KbEPROM (NMOS)524,2881984AMD1,700 nm27512512 KbEPROM (HMOS)524,2881984인텔1 MbEPROM (CMOS)1,048,5761984NEC1,200 nm 4 MbEPROM (CMOS)4,194,3041987도시바800 nm 16 MbEPROM (CMOS)16,777,2161990NEC600 nmMROM16,777,2161995AKM, 히타치

 트랜지스터 컴퓨터 

섬네일|upright|IBM 7070 카드 케이지의 일부에 표준 모듈형 시스템 카드가 채워져 있다.
트랜지스터가 발명되기 전에는 상업용 천공 카드 기계와 실험용 초기 컴퓨터에 전자계전기가 사용되었다. 세계 최초의 작동 가능한 프로그래밍 가능하고 완전 자동 디지털 컴퓨터인 1941년 Z3 22-비트 워드 길이 컴퓨터는 2,600개의 릴레이를 가지고 있었고 약 4–5 Hz의 클럭 속도로 작동했다. 1940년 복소수 컴퓨터(Complex Number Computer, 나중에 Model 1로 개명)는 500개 미만의 릴레이를 가지고 있었지만, 완전한 프로그래밍이 불가능했다. 초기 실용 컴퓨터는 진공관과 솔리드 스테이트 다이오드 논리를 사용했다. 에니악은 18,000개의 진공관, 7,200개의 크리스털 다이오드, 1,500개의 릴레이를 가지고 있었고, 많은 진공관에는 두 개의 3극 진공관 요소가 포함되어 있었다.

2세대 컴퓨터는 개별 트랜지스터, 솔리드 스테이트 다이오드 및 자기 메모리 코어로 채워진 보드를 특징으로 하는 트랜지스터 컴퓨터였다. 맨체스터 대학교에서 개발된 실험적인 1953년 48비트 트랜지스터 컴퓨터는 전 세계에서 처음으로 작동한 트랜지스터 컴퓨터로 널리 알려져 있다(프로토타입은 92개의 점 접촉 트랜지스터와 550개의 다이오드를 가지고 있었다). 이후 1955년 버전은 총 250개의 접합형 트랜지스터와 1,300개의 점 접촉 다이오드를 사용했다. 이 컴퓨터는 또한 클럭 생성기에 소수의 진공관을 사용했기 때문에 최초의 완전 트랜지스터화된 컴퓨터는 아니었다. 일본전기시험소에서 1956년에 개발된 ETL Mark III는 프로그램 내장 방식을 사용한 최초의 트랜지스터 기반 전자 컴퓨터였을 수 있다. 이 컴퓨터는 "약 130개의 점 접촉 트랜지스터와 약 1,800개의 저마늄 다이오드가 논리 요소로 사용되었으며, 이들은 꽂고 뺄 수 있는 300개의 플러그인 패키지에 보관되었다." 1958년 십진 아키텍처 IBM 7070은 완전한 프로그래밍이 가능한 최초의 트랜지스터 컴퓨터였다. 이 컴퓨터는 약 14,000개의 표준 모듈형 시스템(SMS) 카드에 약 30,000개의 합금 접합 저마늄 트랜지스터와 22,000개의 저마늄 다이오드를 가지고 있었다. 1959년 "MOBIle DIgital Computer"의 약자인 MOBIDIC은 12,000파운드(약 5,443kg)의 무게로 세미 트레일러 트럭의 트레일러에 장착되었으며, 전장 데이터용 트랜지스터 컴퓨터였다.

3세대 컴퓨터는 집적 회로(IC)를 사용했다. 1962년 15비트 (패리티 포함 16비트) 아폴로 가이던스 컴퓨터는 약 12,000개의 트랜지스터와 32,000개의 저항을 위해 "약 4,000개의 '타입-G'(3입력 NOR 게이트) 회로"를 사용했다.

1964년 출시된 IBM 시스템/360은 하이브리드 회로 팩에 개별 트랜지스터를 사용했다. 1965년 12비트 PDP-8 CPU는 많은 카드에 1409개의 개별 트랜지스터와 10,000개 이상의 다이오드를 가지고 있었다. 1968년 PDP-8/I부터 시작된 이후 버전은 집적 회로를 사용했다. PDP-8은 나중에 마이크로프로세서인 인터실 6100으로 재구현되었다(아래 참조).

다음 세대 컴퓨터는 1971년 인텔 4004를 시작으로 MOS 트랜지스터를 사용한 마이크로컴퓨터였다. 이들은 가정용 컴퓨터 또는 개인용 컴퓨터(PC)에 사용되었다.

이 목록에는 1950년대와 1960년대의 초기 트랜지스터 컴퓨터(2세대) 및 IC 기반 컴퓨터(3세대)가 포함된다.

 컴퓨터 트랜지스터 개수 연도 제조사 비고 트랜지스터 컴퓨터92 1953맨체스터 대학교점 접촉 트랜지스터, 550개의 다이오드. 프로그램 내장 기능이 없었다.트래딕7001954벨 연구소점 접촉 트랜지스터트랜지스터 컴퓨터 (풀 사이즈)250 1955맨체스터 대학교개별 점 접촉 트랜지스터, 1,300개의 다이오드IBM 6083,0001955IBM저마늄 트랜지스터ETL Mark III1301956일본전기시험소점 접촉 트랜지스터, 1,800개의 다이오드, 프로그램 내장 기능메트로빅 9502001956메트로폴리탄-비커스개별 접합형 트랜지스터NEC NEAC-22016001958NEC저마늄 트랜지스터히타치 MARS-11,0001958히타치IBM 707030,0001958IBM합금 접합 저마늄 트랜지스터, 22,000개의 다이오드The IBM 7070 Data Processing System. Avery et al. (page 167)마쓰시타 MADIC-I4001959마쓰시타바이폴라 트랜지스터NEC NEAC-22032,5791959NEC도시바 TOSBAC-21005,0001959도시바IBM 709050,0001959IBM개별 저마늄 트랜지스터7090 Data Processing SystemPDP-12,7001959디지털 이큅먼트 코퍼레이션개별 트랜지스터 올리베티 일레아 9003 ? 1959 올리베티 300,000 (?) 개별 트랜지스터 및 다이오드Luigi Logrippo.
"My first two computers: Elea 9003 and Elea 6001: Memories of a 'bare-metal' programmer".미쓰비시 MELCOM 11013,5001960미쓰비시저마늄 트랜지스터M18 FADAC1,6001960Autonetics개별 트랜지스터 IBM 7030 스트레치의 CPU169,1001961IBM1961년부터 1964년까지 세계에서 가장 빠른 컴퓨터D-17B1,5211962Autonetics개별 트랜지스터 NEC NEAC-L216,0001964NEC저마늄 트랜지스터CDC 6600 (전체 컴퓨터)400,0001964컨트롤 데이터 코퍼레이션1964년부터 1969년까지 세계에서 가장 빠른 컴퓨터IBM 시스템/360?1964IBM하이브리드 회로PDP-8 "스트레이트-8"1,409 1965디지털 이큅먼트 코퍼레이션개별 트랜지스터, 10,000개의 다이오드PDP-8/S1,001"Digital Equipment PDP-8/S"."The PDP-8/S - an exercise in cost reduction""PDP-8/S"1966디지털 이큅먼트 코퍼레이션개별 트랜지스터, 다이오드PDP-8/I1,409 1968"The Digital Equipment Corporation PDP-8: Models and Options: The PDP-8/I".디지털 이큅먼트 코퍼레이션74 시리즈 TTL 회로James F. O'Loughlin.
"PDP-8/I: bigger on the inside yet smaller on the outside".아폴로 가이던스 컴퓨터 블록 I12,3001966레이시온 / MIT 계측 연구소4,100개의 IC, 각 IC는 3개의 트랜지스터와 3개의 입력 NOR 게이트를 포함한다. (블록 II는 2,800개의 듀얼 3입력 NOR 게이트 IC를 가졌다.)

 논리 함수 
일반적인 논리 함수의 트랜지스터 개수는 정적 CMOS 구현을 기준으로 한다.Jan M. Rabaey, Digital Integrated Circuits, Fall 2001: Course Notes, Chapter 6: Designing Combinatorial Logic Gates in CMOS, retrieved October 27, 2012.

 함수 트랜지스터 개수 NOT2버퍼4NAND 2-입력4NOR 2-입력4AND 2-입력6OR 2-입력6NAND 3-입력6NOR 3-입력6XOR 2-입력6XNOR 2-입력8MUX 2-입력 TG 포함6MUX 4-입력 TG 포함18NOT MUX 2-입력8MUX 4-입력241비트 전가산기241비트 가산기-감산기48AND-OR-INVERT6래치, D 게이트형8플립플롭, 리셋 포함 에지 트리거 동적 D128비트 곱셈기3,00016비트 곱셈기9,00032비트 곱셈기21,000소규모 집적2–100중규모 집적100–500대규모 집적500–20,000초고밀도 집적20,000–1,000,000초대규모 집적>1,000,000

 병렬 시스템 
역사적으로 초기 병렬 시스템의 각 처리 요소는 —당시 모든 CPU와 마찬가지로— 여러 칩으로 구성된 직렬 컴퓨터였다. 칩당 트랜지스터 개수가 증가함에 따라 각 처리 요소는 더 적은 수의 칩으로 구성될 수 있었고, 나중에는 각 멀티 코어 칩에 더 많은 처리 요소가 포함될 수 있었다.

굿이어 MPP: (1983?) 칩당 8개의 픽셀 프로세서, 칩당 3,000 ~ 8,000개의 트랜지스터.

브루넬 대학교 스케이프 (단일 칩 어레이 처리 요소): (1983) 칩당 256개의 픽셀 프로세서, 칩당 120,000 ~ 140,000개의 트랜지스터.

셀 브로드밴드 엔진: (2006) 칩당 9개의 코어를 가졌고, 칩당 2억 3,400만 개의 트랜지스터를 가졌다.

 기타 장치 
 장치 유형 장치 이름 트랜지스터 개수 출시일 설계자 제조사 MOS 공정 면적 트랜지스터 밀도, tr./mm2 딥 러닝 엔진 / IPU콜로서스 GC223,600,000,0002018그라프코어TSMC16 nm~800 mm229,500,000딥 러닝 엔진 / IPU웨이퍼 스케일 엔진1,200,000,000,0002019세레브라스TSMC16 nm46,225 mm225,960,000딥 러닝 엔진 / IPU웨이퍼 스케일 엔진 22,600,000,000,0002020세레브라스TSMC7 nm46,225 mm256,250,000네트워크 스위치NV링크4 NVSwitch25,100,000,0002022엔비디아TSMCN4 (4 nm)294 mm285,370,000

 트랜지스터 밀도 
트랜지스터 밀도는 단위 면적당 제조되는 트랜지스터의 수로, 일반적으로 제곱 밀리미터(mm2)당 트랜지스터 수로 측정된다. 트랜지스터 밀도는 일반적으로 게이트 길이에 비례하며, 반도체 공정(반도체 제조 공정이라고도 함)은 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 측정된다. 2019년 10월 기준, 가장 높은 트랜지스터 밀도를 가진 반도체 공정은 TSMC의 5나노미터 공정으로, 제곱 밀리미터당 1억 7,130만 개의 트랜지스터를 가지고 있다(이는 트랜지스터 간 거리가 76.4 nm임을 의미하며, 상대적으로 무의미한 "5nm"보다 훨씬 크다).

 MOSFET 노드 

+ 반도체 공정 노드 이름 트랜지스터 밀도 (트랜지스터/mm2) 생산 연도 공정 MOSFET 제조사    1960 20,000 nm PMOS 벨 연구소   1960 20,000 nm NMOS   1963  CMOS 페어차일드   1964  PMOS General Microelectronics   1968 20,000 nm CMOS RCA   1969 12,000 nm PMOS 인텔   1970 10,000 nm CMOS RCA   1970 8,000 nm PMOS 인텔   1971 10,000 nm PMOS 인텔   1971  PMOS 제너럴 인스트루먼트   1973  NMOS 텍사스 인스트루먼트   1973  NMOS Mostek   1973 7,500 nm NMOS NEC   1973 6,000 nm PMOS 도시바   1976 5,000 nm NMOS 히타치, 인텔   1976 5,000 nm CMOS RCA   1976 4,000 nm NMOS 자일로그   1976 3,000 nm NMOS 인텔   1977  NMOS NTT   1978 3,000 nm CMOS 히타치   1978 2,500 nm NMOS 텍사스 인스트루먼트   1978 2,000 nm NMOS NEC, NTT   1979  VMOS 지멘스   1979 1,000 nm NMOS NTT   1980 1,000 nm NMOS NTT   1983 2,000 nm CMOS 도시바   1983 1,500 nm CMOS 인텔   1983 1,200 nm CMOS 인텔   1984 800 nm CMOS NTT   1987 700 nm CMOS 후지쯔   1989 600 nm CMOS 미쓰비시, NEC, 도시바   1989 500 nm CMOS 히타치, 미쓰비시, NEC, 도시바   1991 400 nm CMOS 마쓰시타, 미쓰비시, 후지쯔, 도시바   1993 350 nm CMOS 소니   1993 250 nm CMOS 히타치, NEC 3LM 32,000 1994 350 nm CMOS NEC   1995 160 nm CMOS 히타치   1996 150 nm CMOS 미쓰비시 TSMC 180nm  1998 180 nm CMOS TSMC CS80  1999 180 nm CMOS 후지쯔65nm CMOS Process Technology   1999 180 nm CMOS 인텔, 소니, 도시바 CS85  1999 170 nm CMOS 후지쯔디펜도프, 키스 (1999년 11월 15일). "할은 스파크스를 날게 한다". 마이크로프로세서 리포트, Volume 13, Number 5. 삼성 140nm  1999 140 nm CMOS 삼성   2001 130 nm CMOS 후지쯔, 인텔 삼성 100nm  2001 100 nm CMOS 삼성그룹   2002 90 nm CMOS 소니, 도시바, 삼성그룹 CS100  2003 90 nm CMOS 후지쯔 인텔 90nm 1,450,000 2004 90 nm CMOS 인텔 삼성 80nm  2004 80 nm CMOS 삼성그룹   2004 65 nm CMOS 후지쯔, 도시바 삼성 60nm  2004 60 nm CMOS 삼성그룹 TSMC 45nm  2004 45 nm CMOS TSMC 엘피다 90nm  2005 90 nm CMOS 엘피다 메모리Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report CS200  2005 65 nm CMOS 후지쯔 삼성 50nm  2005 50 nm CMOS 삼성그룹 인텔 65nm 2,080,000 2006 65 nm CMOS 인텔 삼성 40nm  2006 40 nm CMOS 삼성그룹 도시바 56nm  2007 56 nm CMOS 도시바 마쓰시타 45nm  2007 45 nm CMOS 마쓰시타 인텔 45nm 3,300,000 2008 45 nm CMOS 인텔 도시바 43nm  2008 43 nm CMOS 도시바 TSMC 40nm  2008 40 nm CMOS TSMC 도시바 32nm  2009 32 nm CMOS 도시바 인텔 32nm 7,500,000 2010 32 nm CMOS 인텔   2010 20 nm CMOS 하이닉스, 삼성그룹 인텔 22nm 15,300,000 2012 22 nm CMOS 인텔 IMFT 20nm  2012 20 nm CMOS IMFT 도시바 19nm  2012 19 nm CMOS 도시바 하이닉스 16nm  2013 16 nm 핀펫 SK하이닉스 TSMC 16nm 28,880,000 2013 16 nm 핀펫 TSMC 삼성 10nm 51,820,000 2013 10 nm 핀펫 삼성그룹 인텔 14nm 37,500,000 2014 14 nm 핀펫 인텔 14LP 32,940,000 2015 14 nm 핀펫 삼성그룹 TSMC 10nm 52,510,000 2016 10 nm 핀펫 TSMC 12LP 36,710,000 2017 12 nm 핀펫 글로벌파운드리스, 삼성그룹 N7FF 96,500,000
101,850,000 2017 7 nm 핀펫 TSMC 8LPP 61,180,000 2018 8 nm 핀펫 삼성그룹 7LPE 95,300,000 2018 7 nm 핀펫 삼성그룹 인텔 10nm 100,760,000
106,100,000 2018 10 nm 핀펫 인텔 5LPE 126,530,000
133,560,000
134,900,000 2018 5 nm 핀펫 삼성그룹 N7FF+ 113,900,000 2019 7 nm 핀펫 TSMC CLN5FF 171,300,000
185,460,000 2019 5 nm 핀펫 TSMC 인텔 7 100,760,000
106,100,000 2021 7 nm 핀펫 인텔 4LPE 145,700,000 2021 4 nm 핀펫 삼성그룹 N4 196,600,000 2021 4 nm 핀펫 TSMC N4P 196,600,000 2022 4 nm 핀펫 TSMC 3GAE 202,850,000 2022 3 nm MBCFET 삼성그룹 N3 314,730,000 2022 3nm 핀펫 TSMC N4X  2023 4nm 핀펫 TSMC N3E  2023 3nm 핀펫 TSMC 3GAP  2023 3 nm MBCFET 삼성그룹 인텔 4 160,000,000 2023 4 nm 핀펫 인텔 인텔 3  2023 3 nm 핀펫 인텔 인텔 20A  2024 2 nm 리본펫 인텔 인텔 18A  2025 서브-2 nm 리본펫 인텔 2GAP  2025 2 nm MBCFET 삼성그룹 N2  2025 2 nm GAAFET TSMC 삼성 1.4 nm  2027 1.4 nm  삼성그룹

 게이트 수 
특정 응용 분야에서는 트랜지스터 수 대신 게이트 수라는 용어가 선호된다. 이는 설계를 구현하는 데 필요한 트랜지스터 및 기타 전자 장치로 구성된 논리 회로의 수를 나타낸다.Does gate count matter? Hardware efficiency of logic-minimization techniques for cryptographic primitives

 같이 보기 

 데너드 스케일링
 전자공업
 집적 회로
 베스트셀러 전자 장치 목록
 반도체 스케일 예시 목록
 MOSFET
 반도체
 반도체 소자
 반도체 제조
 반도체 산업
 트랜지스터
 세레브라스 시스템즈

 내용주 

 각주 

 외부 링크 
 인텔 프로세서의 트랜지스터 수
 FPGA 아키텍처의 진화

분류:트랜지스터
분류:집적 회로
분류:MOSFET