인화 인듐

인화 인듐(, InP)은 인듐과 인으로 구성된 반도체이다. GaAs 및 대부분의 III-V 반도체와 동일한 면심 입방체("섬아연석") 결정 구조를 가진다.

 제조 
섬네일|left|전기화학적 에칭으로 얻은 인화 인듐 나노결정 표면을 주사 전자 현미경으로 본 모습. 이미지 후처리에서 인공적으로 채색됨.
인화 인듐은 400°C에서 백린과 아이오딘화 인듐의 반응으로 준비할 수 있으며,인화 인듐(Indium Phosphide) at HSDB. 미국 국립보건원 또한 고온 및 고압에서 정제된 원소를 직접 결합하거나, 트라이알킬 인듐 화합물과 포스핀의 혼합물을 열분해하여 얻을 수도 있다.InP 제조. 미국 국립보건원

 응용 분야 
InP의 응용 분야는 크게 세 가지 영역으로 나뉜다. 이는 광전자 부품, 고속 전자제품, 및 태양광 발전의 기반으로 사용된다.

 고속 광전자 공학 
InP는 인듐 갈륨 비소와 같은 다른 반도체를 기반으로 하는 에피택셜 광전자 소자의 기판으로 사용된다. 이 소자에는 604 GHz에서 작동할 수 있는 의사정합성 이종접합 양극성 트랜지스터가 포함된다.인화 인듐 및 인듐 갈륨 비소가 600GHz 속도 장벽을 돌파하는 데 도움. Azom. 2005년 4월

InP 자체는 직접 띠틈을 가지고 있어 광통신 산업의 파장 분할 다중 응용을 가능하게 하는 반도체 레이저 및 광 집적 회로와 같은 광전자 소자에 유용하다.The Light Brigade는 2002년 Red Herring에 실렸다.  규소 및 갈륨 비소와 같은 더 일반적인 반도체에 비해 우수한 전자 속도 때문에 고출력 및 고주파 전자 제품에 사용된다.

 광통신 
InP는 일반적으로 통신에 사용되는 1550 nm 파장 범위의 레이저, 민감한 광 검출기 및 변조기에 사용되는데, 이는 직접 띠틈을 가진 III-V 화합물 반도체 재료이기 때문이다. 약 1510 nm에서 1600 nm 사이의 파장은 광섬유에서 가장 낮은 감쇠(약 0.2 dB/km)를 제공한다. 또한 InP가 지원하는 O-대역 및 C-대역 파장은 단일 모드 작동을 용이하게 하여 모드 간 분산의 영향을 줄인다.

 태양광 발전 및 광학 감지 
InP는 레이저 광을 생성, 증폭, 제어 및 감지할 수 있는 광 집적 회로에 사용될 수 있다.

InP의 광학 감지 응용 분야는 다음과 같다.
가스(CO, CO2, NOX [또는 NO + NO2] 등)의 실시간 감지를 통한 대기 오염 제어.
수돗물을 포함한 가스 및 액체 내 유독 물질 또는 표면 오염 흔적의 신속한 확인.
식품과 같은 제품의 비파괴 검사를 위한 분광법. 에인트호번 공과대학교와 MantiSpectra의 연구원들은 이미 우유용 통합 근적외선 스펙트럼 센서의 응용을 시연했다. 또한 이 기술은 플라스틱과 불법 약물에도 적용될 수 있음이 입증되었다.

 각주 

 인용 출처 

 외부 링크 
 Extensive site on the physical properties of indium phosphide (Ioffe institute)
 Band structure and carrier concentration of InP.
 InP conference series at IEEE
 Indium Phosphide: Transcending frequency and integration limits. Semiconductor TODAY Compounds&AdvancedSilicon • Vol. 1 • Issue 3 • September 2006

분류:인화물
분류:인듐 화합물
분류:IARC 2A군 발암 물질
분류:광전자공학
분류:III-V 반도체