반도체 규모 예시 목록

아래는 다양한 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET, 또는 MOS 트랜지스터) 반도체 제조 공정 노드에 대한 많은 반도체 스케일 예시를 나열한 것이다.

 MOSFET 시연 타임라인 

 PMOS 및 NMOS 
+ MOSFET (PMOS 및 NMOS) 시연 날짜 채널 길이 산화막 두께 MOSFET 논리 연구자 조직   20,000 nm 100 nmPMOS 마틴 아탈라, 강대원 벨 전화 연구소 NMOS 10,000 nm  nmPMOS 마틴 아탈라, 강대원 벨 전화 연구소 NMOS 8,000 nm150 nmNMOS 치탕 사, 오토 레이스티코, A.S. 그로브 페어차일드 반도체 5,000 nm170 nmPMOS1,000 nmPMOS로버트 H. 데나드, 프리츠 H. 간슬렌, 화니엔 유IBM T.J. 왓슨 연구 센터 19737,500 nmNMOS스즈키 소이치NEC6,000 nmPMOS도시바 1,000 nm  nm NMOS 로버트 H. 데나드, 프리츠 H. 간슬렌, 화니엔 유 IBM T.J. 왓슨 연구 센터 500 nm1,500 nm nmNMOS호리 료이치, 마스다 히로오, 미나토 오사무히타치 제작소3,000 nmNMOS인텔1,000 nm25 nmNMOS윌리엄 R. 헌터, L. M. 에프라스, 앨리스 크라머IBM T.J. 왓슨 연구 센터100 nm5 nmNMOS고바야시 도시요, 호리구치 세이지, K. 키우치일본전신전화 150 nm2.5 nmNMOS고바야시 도시요, 호리구치 세이지, M. 미야케, M. 오다일본전신전화75 nmNMOS스티븐 Y. 추, 헨리 I. 스미스, 디미트리 A. 안토니아디스MIT60 nmNMOS스티븐 Y. 추, 헨리 I. 스미스, 디미트리 A. 안토니아디스MIT200 nm3.5 nmPMOS고바야시 도시요, M. 미야케, K. 데구치일본전신전화40 nmNMOS오노 미즈키, 사이토 마사노부, 요시토미 다카시도시바16 nmPMOS가와우라 히사오, 사카모토 도시쓰구, 바바 도시요NEC50 nm1.3 nmNMOS칼레드 Z. 아메드, 에피옹 E. 이보크, 미리영 송AMD6 nmPMOS브루스 도리스, 오머 도쿠마치, 메이케이 이옹IBM  3 nmPMOS 와카바야시 히토시, 야마가미 시게하루 NEC NMOS

 CMOS (단일 게이트) 
+ 상보형 MOSFET (CMOS) 시연 (단일 게이트) 날짜 채널 길이 산화막 두께 연구자 조직 치탕 사, 프랭크 완라스페어차일드 반도체196820,000 nm nmRCA 연구소197010,000 nm nmRCA 연구소2,000 nmA. 에이킨, R.G. 폴센, A.T.P. 맥아더, J.J. 화이트미텔 반도체3,000 nm마스하라 도시아키, 미나토 오사무, 사사키 도시요, 사카이 요시오히타치 중앙 연구소 1,200 nm nmR.J.C. 추앙, M. 초이, D. 크리크, S. 스턴, P.H. 펠리인텔900 nm nm마노 쓰네오, J. 야마다, 이노우에 준이치, S. 나카지마일본전신전화 (NTT)1,000 nm nmG.J. 후, 위안 타우르, 로버트 H. 데나드, 팅 충위IBM T.J. 왓슨 연구 센터 800 nm17 nm스미 T., 타니구치 쓰네오, 키시모토 미키오, 히라노 히로시게마쓰시타700 nm12 nm마노 쓰네오, J. 야마다, 이노우에 준이치, S. 나카지마일본전신전화 (NTT)500 nm12.5 nm후세인 I. 하나피, 로버트 H. 데나드, 위안 타우르, 나딤 F. 하닷IBM T.J. 왓슨 연구 센터250 nm가사이 나오키, 엔도 노부히로, 기타지마 히로시NEC400 nm nm이노우에 M., 고타니 H., 야마다 T., 야마우치 히로유키마쓰시타100 nm가밤 G. 샤히디, 비잔 다바리, 위안 타우르, 제임스 D. 워녹IBM T.J. 왓슨 연구 센터1993350 nm소니그룹 1996150 nm미쓰비시 전기1998180 nmTSMC5 nm와카바야시 히토시, 야마가미 시게하루, 이케자와 노부유키NEC

 멀티게이트 MOSFET (MuGFET) 
+ 멀티게이트 MOSFET (MuGFET) 시연 날짜 채널 길이MuGFET 유형 연구자 조직 DGMOS세키가와 도시히로, 하야시 유타카전기기술연구소 (ETL)19872,000 nmDGMOS세키가와 도시히로전기기술연구소 (ETL) 250 nm DGMOS 비잔 다바리, 창원싱, 매튜 R. 워드먼, C.S. 오 IBM T.J. 왓슨 연구 센터 180 nmGAAFET마스오카 후지오, 다카토 히로시, 스노우치 카즈마사, N. 오카베도시바200 nmFinFET히사모토 디그, 카가 토루, 카와모토 요시후미, 타케다 에이지히타치 중앙 연구소17 nmFinFET히사모토 디그, 후젠밍, 류쓰제, 제프리 보코르캘리포니아 대학교 버클리200115 nmFinFET후젠밍, 최양규, 닉 린더트, 류쓰제캘리포니아 대학교 버클리10 nmFinFET쉬블리 아메드, 스콧 벨, 사이러스 태베리, 제프리 보코르캘리포니아 대학교 버클리3 nmGAAFET이현진, 최양규, 유이은, 류성완한국과학기술원

 기타 유형의 MOSFET 
+ MOSFET 시연 (기타 유형) 날짜 채널길이(nm) 산화막두께(nm) MOSFET유형 연구자 조직 TFT폴 K. 와이머RCA 연구소GaAsH. 베케, R. 홀, J. 화이트RCA 연구소100,000TFTT.P. 브로디, H.E. 쿠니그웨스팅하우스 일렉트릭FGMOS강대원, 사이먼 민 스제벨 전화 연구소MNOSH.A. 리처드 베게너, A.J. 링컨, H.C. 파오스페리 코퍼레이션BiMOS훙창 린, 라마찬드라 R. 아이어웨스팅하우스 일렉트릭BiCMOS훙창 린, 라마찬드라 R. 아이어, C.T. 호웨스팅하우스 일렉트릭1969VMOS히타치 제작소DMOS타루이 Y., 하야시 Y., 세키가와 도시히로전기기술연구소 (ETL)ISFET피트 베르그벨드트벤테 대학교1000DMOS타루이 Y., 하야시 Y., 세키가와 도시히로전기기술연구소 (ETL) 1977VDMOS존 루이스 몰HP 랩스LDMOS히타치IGBT반트발 자얀트 발리가, 마가렛 라제리제너럴 일렉트릭2000BiCMOS히구치 H., 키츠카와 고로, 이케다 타카히데, 니시오 Y.히타치300데구치 K., 고마쓰 카즈히코, 미야케 M., 나마쓰 H.일본전신전화1000BiCMOS모모세 H., 시바타 히데키, 사이토 S., 미야모토 준이치도시바908.3한성 리, L.C. 푸치오제너럴 모터스60가밤 G. 샤히디, 디미트리 A. 안토니아디스, 헨리 I. 스미스MIT10비잔 다바리, 팅 충위, 키 Y. 안, S. 바사바이아IBM T.J. 왓슨 연구 센터800BiCMOS로버트 H. 해브먼, R. E. 에클룬드, 히엡 V. 트란텍사스 인스트루먼트30EJ-MOSFET가와우라 히사오, 사카모토 도시쓰구, 바바 도시요NEC199832 NEC 199988EJ-MOSFET가와우라 히사오, 사카모토 도시쓰구, 바바 도시요NEC 

 마이크로 스케일 MOSFET를 사용하는 상업용 제품 
 20 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 
 RCA의 집적 회로 (IC) CD4000 시리즈 (1968년부터).

 10 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1971년에 출시된 최초의 단일 칩 마이크로프로세서 CPU, 인텔 4004.
 1972년에 출시된 인텔 8008 CPU.

 8 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 
 1970년에 출시된 초기 동적 램 (DRAM) 칩인 인텔 1103.
 1975년에 출시된 MOS 6502 1 MHz CPU.

 6 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1973년 포드 EEC (전자 엔진 제어) 시스템용으로 개발된 마이크로프로세서, 도시바 TLCS-12.
 1974년에 출시된 인텔 8080 CPU는 이 공정을 사용하여 제조되었다.
 1977년 아타리 2600용으로 개발된 맞춤형 그래픽 및 오디오 칩인 텔레비전 인터페이스 어댑터.
 1982년 코모도어 64용으로 개발된 프로그래머블 사운드 제너레이터인 MOS 테크놀로지 SID.
 1982년 코모도어 64용으로 개발된 비디오 디스플레이 컨트롤러인 MOS 테크놀로지 VIC-II (5 µm).

 3 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1976년에 출시된 인텔 8085 CPU.
 1978년에 출시된 인텔 8086 CPU.
 1979년에 출시된 인텔 8088 CPU.
 1979년에 출시된 모토로라 68000 8 MHz CPU (3.5 µm).

 1.5 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1981년 NEC의 64 kb SRAM 메모리 칩.
 1982년에 출시된 인텔 80286 CPU.
 1992년에 처음 판매된 아미가 어드밴스드 그래픽스 아키텍처에는 1.5 µm CMOS 공정을 사용하여 제조된 앨리스와 같은 칩이 포함되어 있었다.

 1 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 NTT의 DRAM 메모리 칩, 1979년 64 kb 칩과 1980년 256 kb 칩 포함.
 1984년 NEC의 1 Mb DRAM 메모리 칩.
 1985년에 출시된 인텔 80386 CPU.

 800 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1984년 NTT의 1 Mb DRAM 메모리 칩.
 NEC와 도시바는 1986년에 4 Mb DRAM 메모리 칩에 이 공정을 사용했다.
 히타치 제작소, IBM, 마쓰시타 및 미쓰비시 전기는 1987년에 4 Mb DRAM 메모리 칩에 이 공정을 사용했다.
 1987년 도시바의 4 Mb EPROM 메모리 칩.
 히타치, 미쓰비시, 도시바는 1987년에 1 Mb SRAM 메모리 칩에 이 공정을 사용했다.
 1989년에 출시된 인텔 486 CPU.
 1992년에 출시된 마이크로스팍 I.
 1993년에 출시된 최초의 인텔 P5 펜티엄 CPU (60 MHz 및 66 MHz).

 600 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 미쓰비시 전기, 도시바, NEC는 1989년에 600 nm 공정으로 제조된 16 Mb DRAM 메모리 칩을 선보였다.
 1990년 NEC의 16 Mb EPROM 메모리 칩.
 1991년 미쓰비시의 16 Mb 플래시 메모리 칩.
 1994년에 출시된 인텔 80486DX4 CPU.
 IBM/모토로라 파워PC 601, 최초의 파워PC 칩은 0.6 µm로 생산되었다.
 인텔 펜티엄 CPU (75 MHz, 90 MHz, 100 MHz).

 350 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1994년 소니그룹의 16 Mb SRAM 메모리 칩.
 NEC VR4300 (1995), 닌텐도 64 게임 콘솔에 사용.
 인텔 펜티엄 프로 (1995), 펜티엄 (P54CS, 1995), 및 초기 펜티엄 II CPU (클라마스, 1997).
 AMD K5 (1996) 및 오리지널 AMD K6 (모델 6, 1997) CPU.
 패럴랙스 프로펠러, 8코어 마이크로컨트롤러.

 250 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품 

 1993년 히타치 제작소의 16 Mb SRAM 메모리 칩.
 히타치 제작소와 NEC는 1993년에 이 공정으로 제조된 256 Mb DRAM 메모리 칩을 선보였고, 이어서 마쓰시타, 미쓰비시 전기 및 오키가 1994년에 선보였다.
 1995년 NEC의 1 Gb DRAM 메모리 칩.
 1996년 히타치의 128 Mb 낸드 플래시 메모리 칩.
 DEC 알파 21264A, 1999년에 상용화되었다.
 AMD K6-2 촘퍼 및 촘퍼 익스텐디드. 촘퍼는 1998년 5월 28일에 출시되었다.
 AMD K6-III "샤프투스"는 250 nm를 사용했다.
 모바일 펜티엄 MMX 틸라묵, 1997년 8월 출시.
 펜티엄 II 데슈츠.
 드림캐스트 콘솔의 히타치 SH-4 CPU와 파워VR2 GPU, 1998년 출시.
 펜티엄 III 카트마이.
 초기 플레이스테이션 2의 이모션 엔진 CPU.

 180 nm 제조 기술을 사용하는 프로세서 

 인텔 코퍼마인 E - 1999년 10월
 소니 플레이스테이션 2 콘솔의 이모션 엔진 및 그래픽스 신시사이저 – 2000년 3월
 ATI 라데온 R100 및 RV100 라데온 7000 – 2000년
 AMD 애슬론 썬더버드 – 2000년 6월
 인텔 셀러론 (윌라메트) – 2002년 5월
 모토로라 파워PC 7445 및 7455 (아폴로 6) – 2002년 1월

 130 nm 제조 기술을 사용하는 프로세서 

 후지쯔 SPARC64 V – 2001년Krewell, Kevin (21 October 2002). "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal". 마이크로프로세서 리포트.
 IBM 및 닌텐도의 게코 (닌텐도 게임큐브 콘솔) – 2001년
 모토로라 파워PC 7447 및 7457 – 2002년
 IBM 파워PC G5 970 – 2002년 10월 ~ 2003년 6월
 인텔 펜티엄 III 튜알라틴 및 코퍼마인 – 2001년 4월
 인텔 셀러론 튜알라틴-256 – 2001년 10월 2일
 인텔 펜티엄 M 바니아스 – 2003년 3월 12일
 인텔 펜티엄 4 노스우드 – 2002년 1월 7일
 인텔 셀러론 노스우드-128 – 2002년 9월 18일
 인텔 제온 프레스토니아 및 갈라틴 – 2002년 2월 25일
 비아 C3 – 2001년
 AMD 애슬론 XP 스루브레드, 소튼, 바르톤
 AMD 애슬론 MP 스루브레드 – 2002년 8월 27일
 AMD 애슬론 XP-M 스루브레드, 바르톤, 더블린
 AMD 듀론 애플브레드 – 2003년 8월 21일
 AMD K7 셈프론 스루브레드-B, 소튼, 바르톤 – 2004년 7월 28일
 AMD K8 셈프론 파리 – 2004년 7월 28일
 AMD 애슬론 64 클로해머 및 뉴캐슬 – 2003년 9월 23일
 AMD 옵테론 슬레지해머 – 2003년 6월 30일
 엘브루스 2000 1891ВМ4Я (1891VM4YA) – 2008년 4월 27일 
 MCST-R500S 1891BM3 – 2008년 7월 27일 
 Vortex 86SX – 

 나노 스케일 MOSFET를 사용하는 상업용 제품 

 90 nm 제조 기술을 사용하는 칩 

 소니–도시바 이모션 엔진+그래픽스 신시사이저 (플레이스테이션 2) – 2003년
 IBM 파워PC G5 970FX – 2004년
 엘피다 메모리의 90 nm DDR2 SDRAM 공정 – 2005년
 IBM 파워PC G5 970MP – 2005년
 IBM 파워PC G5 970GX – 2005년
 IBM 워터누스 Xbox 360 프로세서 – 2005년
 IBM–소니–도시바 셀 프로세서 – 2005년
 인텔 펜티엄 4 프레스캇 – 2004년 2월
 인텔 셀러론 D 프레스캇-256 – 2004년 5월
 인텔 펜티엄 M 도산 – 2004년 5월
 인텔 셀러론 M 도산-1024 – 2004년 8월
 인텔 제온 노코나, 어윈데일, 크랜포드, 포토맥, 팍스빌 – 2004년 6월
 인텔 펜티엄 D 스미스필드 – 2005년 5월
 AMD 애슬론 64 윈체스터, 베니스, 샌디에이고, 올리언스 – 2004년 10월
 AMD 애슬론 64 X2 맨체스터, 톨레도, 윈저 – 2005년 5월
 AMD 셈프론 팔레르모 및 마닐라 – 2004년 8월
 AMD 튜리온 64 랭커스터 및 리치몬드 – 2005년 3월
 AMD 튜리온 64 X2 테일러 및 트리니다드 – 2006년 5월
 AMD 옵테론 비너스, 트로이, 아테네 – 2005년 8월
 AMD 듀얼 코어 옵테론 덴마크, 이탈리아, 이집트, 산타 아나, 산타 로사
 비아 C7 – 2005년 5월
 룽손 (Godson) 2Е STLS2E02 – 2007년 4월
 룽손 (Godson) 2F STLS2F02 – 2008년 7월
 MCST-4R – 2010년 12월
 엘브루스-2C+ – 2011년 11월

 65 nm 제조 기술을 사용하는 프로세서 

 소니–도시바 EE+GS (PStwo) – 2005년
 인텔 펜티엄 4 (시더 밀) – 2006년 1월 16일
 인텔 펜티엄 D 900 시리즈 – 2006년 1월 16일
 인텔 셀러론 D (시더 밀 코어) – 2006년 5월 28일
 인텔 코어 – 2006년 1월 5일
 인텔 코어 2 – 2006년 7월 27일
 인텔 제온 (소사만) – 2006년 3월 14일
 AMD 애슬론 64 시리즈 (리마부터 시작) – 2007년 2월 20일
 AMD 튜리온 64 X2 시리즈 (타일러부터 시작) – 2007년 5월 7일
 AMD 페넘 시리즈
 IBM의 셀 프로세서 – 플레이스테이션 3 – 2007년 11월 17일
 IBM의 z10
 마이크로소프트 Xbox 360 "팔콘" CPU – 2007년 9월
 마이크로소프트 Xbox 360 "오푸스" CPU – 2008년
 마이크로소프트 Xbox 360 "재스퍼" CPU – 2008년 10월
 마이크로소프트 Xbox 360 "재스퍼" GPU – 2008년 10월
 Sun 울트라스팍 T2 – 2007년 10월
 AMD 튜리온 울트라 – 2008년 6월TG Daily – AMD preps 65 nm Turion X2 processors 
 TI OMAP 3 제품군 – 2008년 2월
 비아 나노 – 2008년 5월
 룽손 – 2009년
 엔비디아 지포스 8800GT GPU – 2007년

 45 nm 기술을 사용하는 프로세서 

 마쓰시타는 2007년에 45 nm 유니피어를 출시했다.
 울프데일, 요크필드, 요크필드 XE 및 페닌은 코어 2 브랜드로 판매되는 인텔 코어이다.
 인텔 코어 i7 시리즈 프로세서, i5 750 (린필드 및 클락스필드)
 펜티엄 듀얼 코어 울프데일-3M은 펜티엄 브랜드로 판매되는 현재 인텔 주류 듀얼 코어이다.
 다이아몬드빌, 파인뷰는 하이퍼스레딩이 적용되어 인텔 아톰 브랜드로 판매되는 현재 인텔 코어이다.
 AMD 데넵 (페넘 II) 및 상하이 (옵테론) 쿼드 코어 프로세서, 레고르 (애슬론 II) 듀얼 코어 프로세서 , 카스피안 (튜리온 II) 모바일 듀얼 코어 프로세서.
 AMD (페넘 II) "튜반" 헥사 코어 프로세서 (1055T)
 엑스박스 360 S 모델의 제논.
 소니–도시바 셀 브로드밴드 엔진 (플레이스테이션 3 슬림 모델) – 2009년 9월.
 삼성 S5PC110, 허밍버드로도 알려져 있다.
 텍사스 인스트루먼트 OMAP 36xx.
 IBM 파워7 및 z196
 후지쯔 SPARC64 VIIIfx 시리즈
 에스프레소 (마이크로프로세서) Wii U CPU

 32 nm 기술을 사용하는 칩 

 도시바는 2009년에 32 nm 공정으로 상업용 32 Gb 낸드 플래시 메모리 칩을 생산했다.
 인텔 코어 i3 및 i5 프로세서, 2010년 1월 출시"인텔, 32nm 웨스트미어 데스크톱 프로세서 출시". 인포메이션위크, 2010년 1월 7일. 2011년 12월 17일 확인.
 인텔 6코어 프로세서, 코드명 걸프타운
 인텔 i7-970, 2010년 7월 말 출시, 약 US$900
 AMD FX 시리즈 프로세서, 코드명 잠베지이며 AMD의 불도저 아키텍처 기반으로 2011년 10월 출시. 이 기술은 32 nm SOI 공정, 모듈당 2개의 CPU 코어, 최대 4개의 모듈을 사용했으며, 약 US$130의 쿼드 코어 설계부터 $280의 8코어 설계까지 다양했다.
 암바렐라는 2011년 9월 1080p60 고화질 비디오 기능을 제공하는 디지털 스틸 카메라용 A7L 시스템 온 칩 회로의 출시를 발표했다.

 24–28 nm 기술을 사용하는 칩 
 SK하이닉스는 64 Gb 용량의 26 nm 플래시 칩을 생산할 수 있다고 발표했다. 인텔과 마이크론 테크놀로지는 이미 자체적으로 이 기술을 개발했다. 2010년에 발표되었다.하이닉스 26 nm 기술 발표 보고 기사
 도시바는 2010년 8월 31일에 24 nm 플래시 메모리 낸드 장치를 출하하고 있다고 발표했다.도시바, 24nm 공정 낸드 플래시 메모리 출시
 2016년에 MCST의 28 nm 프로세서 엘브루스-8S가 양산에 들어갔다.

 22 nm 기술을 사용하는 칩 

 인텔의 아이비브리지 22 nm 기술을 기반으로 한 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서 (7 시리즈 칩셋용)는 2012년 4월 23일 전 세계에 판매되었다.인텔, 아이비브리지 출시...

 20 nm 기술을 사용하는 칩 
 삼성전자는 2010년에 20 nm 공정을 사용하여 64 Gb 낸드 플래시 메모리 칩을 양산하기 시작했다.
 엔비디아 테그라 X1 (닌텐도 스위치 및 엔비디아 실드 TV)

 16 nm 기술을 사용하는 칩 
 TSMC는 2013년에 16 nm FinFET 칩 생산을 처음 시작했다.
 엔비디아 테그라 X1+ (후기 닌텐도 스위치 및 엔비디아 실드 TV 모델)

 14 nm 기술을 사용하는 칩 

 인텔의 브로드웰 14 nm 기술을 기반으로 한 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서는 2015년 1월에 출시되었다.EETimes 인텔, 라스베이거스에서 14nm 브로드웰 출시
 AMD의 젠 또는 젠+ 아키텍처를 기반으로 하고 14 nm FinFET 기술을 사용하는 AMD 라이젠 프로세서.

 10 nm 기술을 사용하는 칩 

 삼성그룹은 2013년에 10 nm 공정을 사용하여 멀티 레벨 셀 (MLC) 플래시 메모리 칩의 대량생산을 시작했다고 발표했다. 2016년 10월 17일, 삼성전자는 10 nm에서 SoC 칩의 대량 생산을 발표했다.
 TSMC는 2016년 초에 10 nm 칩의 상업 생산을 시작했으며, 2017년 초에 대량 생산으로 전환했다.
 삼성은 2017년 4월에 회사의 10 nm 프로세서를 사용하여 갤럭시 S8 스마트폰을 출하하기 시작했다.
 애플은 2017년 6월에 TSMC에서 생산된 10 nm FinFET 공정을 사용하는 애플 A10X 칩으로 구동되는 2세대 아이패드 프로 태블릿을 출시했다.

 7 nm 기술을 사용하는 칩 

 TSMC는 2017년 4월에 7 nm 공정을 사용하여 256 Mbit SRAM 메모리 칩의 리스크 생산을 시작했다.
 삼성과 TSMC는 2018년에 7 nm 장치의 대량 생산을 시작했다.TSMC, 7nm 칩 생산 증대 모니카 첸, 신주; 제시 쉔, DIGITIMES 금요일 2018년 6월 22일
 2018년에 출시된 애플 A12 및 화웨이 기린 980 모바일 프로세서는 모두 TSMC에서 제조한 7 nm 칩을 사용한다.
 AMD는 2018년 11월 Vega 20 GPU부터 TSMC 7 nm를 사용하기 시작했으며, 2019년 7월부터 Zen 2 기반 CPU 및 APU를 사용했으며, 2020년 11월에 출시된 플레이스테이션 5 및 Xbox Series X/S 콘솔의 APU에도 사용되었다.

 5 nm 기술을 사용하는 칩 

 삼성은 2018년 후반에 5 nm 칩 (5LPE) 생산을 시작했다.
 TSMC는 2019년 4월에 5 nm 칩 (CLN5FF) 생산을 시작했다.

 3 nm 기술을 사용하는 칩 

 TSMC는 2021년~2022년 동안 3 nm 장치를 출시할 계획을 발표했다.
 삼성전자는 2022년 6월에 3 nm GAAFET 트랜지스터의 리스크 생산을 시작했다.
 애플 A17 Pro (아이폰 15 Pro)

 같이 보기 
 파운드리 모델
 MOSFET
 반도체 제조
 트랜지스터 수

 각주 

분류:국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드
분류:MOSFET