율리우스 에드가 릴리엔펠트

율리우스 에드가 릴리엔펠트(Julius Edgar Lilienfeld, 1882년 4월 18일 – 1963년 8월 28일)는 오스트리아-헝가리 출신이자 나중에 미국으로 이주한(1921년) 전기 공학자이자 물리학자로, 1925년에 장효과 트랜지스터에 대한 최초 특허를 받은 인물로 평가된다. 그는 자신의 개념을 기반으로 하는 작동 가능한 실용적인 반도체 소자를 만들지는 못했다. 또한, 그는 학술지에 논문을 발표하지 않았고 고순도 반도체 재료를 구할 수 없었기 때문에 그의 FET 특허는 결코 유명해지지 않아 후대 발명가들에게 혼란을 야기했다.American Dictionary of National Biography: Supplement 2 by Mark C. Carnes, 2005

 어린 시절 
릴리엔펠트는 오스트리아 제국의 오스트리아-헝가리 제국 내 렘베르크(현재의 르비우)에서 유대인 가족으로 태어났다. 릴리엔펠트의 아버지는 변호사 지그문트 릴리엔펠트였고, 어머니는 사라 잠폴러 릴리엔펠트였다.

교육
1899년에 고등학교를 졸업한 후, 릴리엔펠트는 1900년부터 1904년까지 프리드리히 빌헬름 대학교(1949년 훔볼트 대학교로 개명)에서 공부하여 1905년 2월 18일에 박사 학위를 받았다. 1905년에 그는 라이프치히 대학교 물리 연구소에서 비정년 교수로 일을 시작했다.

경력
릴리엔펠트의 초기 경력은 라이프치히 대학교에서 1910년경부터 금속 전극 사이의 "진공"에서 전기 방전에 대한 중요한 초기 연구를 수행했다. 그의 초기 열정은 진공 준비 기술이 향상됨에 따라 이 현상이 어떻게 변하는지 밝히는 것이었다. 그는 다른 어떤 과학자보다도 전계 전자 방출을 별개의 물리적 효과로 규명하는 데 중요한 역할을 했다. (그는 이를 "자가 전자 방출"이라고 불렀으며, 의료 분야에서 소형 엑스선관의 가능한 전자원으로 관심을 가졌다.) 릴리엔펠트는 1922년에 전계 전자 방출의 실험적 현상에 대한 영어로 된 최초의 신뢰할 수 있는 설명을 제시했다. 이 효과는 1928년에 파울러와 노르트하임에 의해 설명되었다.

릴리엔펠트는 1921년에 특허 청구를 위해 미국으로 이주했고, 1926년에는 라이프치히 대학교 교수직을 사임하고 영구적으로 미국에 머물렀다. 1928년에는 몰든 (매사추세츠주)의 암라드(Amrad)에서 일하기 시작했고, 이곳은 나중에 마그나복스(Magnavox) 소유의 에르곤 연구소(Ergon Research Laboratories)가 되었으나 1935년에 문을 닫았다.

미국에서 릴리엔펠트는 양극 알루미늄 산화물 필름에 대한 연구를 수행했으며, 1931년에는 전해 축전기 특허를 냈는데, 이 방법은 20세기 내내 계속 사용되었다. 그는 또한 "FET와 유사한" 트랜지스터를 발명했으며, 트랜지스터의 구조와 작동, 그리고 현대 트랜지스터의 많은 특징을 설명하는 여러 특허를 출원했다. (FET와 유사한 트랜지스터에 대한 미국 특허 #1,745,175 Method and apparatus for controlling electric currents는 1930년 1월 28일에 승인되었다.)Thomas H. Lee, The design of CMOS radio-frequency integrated circuits. Cambridge University Press, 2004 ,p.167ff 브래튼, 바딘, 그리고 동료 화학자 로버트 깁니가 자신들의 초기 소자에 대한 특허를 얻으려 했을 때, 그들의 대부분의 주장은 릴리엔펠트의 특허 때문에 기각되었다.

전자가 금속 표면에 부딪힐 때 방출되는 광학 방사는 엑스선관 애노드 근처에서 그가 처음 발견했기 때문에 "릴리엔펠트 복사"라고 명명되었다. 그 기원은 금속 표면의 플라스몬 여기(excitation)에 기인한다.

미국 물리학회는 릴리엔펠트의 이름을 따서 주요 상 중 하나를 명명했다.

개인 생활
릴리엔펠트는 독일어를 사용하는 아슈케나즈 유대인으로, 오스트리아-헝가리 시민이었고 나중에는 미국과 폴란드의 이중 국적을 가졌다. 그는 1926년 5월 2일 뉴욕시에서 미국인 베아트리스 긴스버그와 결혼했다. 그들은 윈체스터 (매사추세츠주)에 살았고, 릴리엔펠트는 몰든의 에르곤 연구소 소장이었으며 1934년에 미국 시민이 되었다. 1935년에 연구소가 문을 닫은 후, 그와 그의 아내는 밀 알레르기를 피하기 위해 미국령 세인트 토마스에 집을 지었다. 릴리엔펠트는 평생 동안 이 알레르기로 고통받았다. 릴리엔펠트는 세인트 토마스와 본토의 여러 장소를 자주 오가며 새로운 아이디어를 시험하고 그 결과물에 대한 특허를 계속 냈다.

특허







 같이 보기 
 트랜지스터의 역사
 존 버트란드 존슨
 오스카 하일

 각주 

 Christian Kleint, Julius Edgar Lilienfeld: Life and profession. In: Progress in Surface Science, Volume 57, Issue 4, April 1998, Pages 253–327.
 Chih-Tang Sag, Evolution of the MOS Transistor — From Conception to VLSI. In: Proceedings of the IEEE, Vol. 76, No. 10, October 1988, Paage 1280-1326.

 외부 링크 
 J. E. 릴리엔펠트 전기
 릴리엔펠트 전기

분류:1963년 사망
분류:1882년 출생
분류:미국의 전기공학자
분류:오스트리아-헝가리에서 미국으로 이민간 사람