얕은 트렌치 격리

얕은 트렌치 절연(, STI, 박스 절연 기술(box isolation technique)로도 알려져 있음)은 인접한 반도체 소자 구성 요소들 사이의 전류 누설을 방지하는 집적 회로의 기능이다. STI는 일반적으로 250 나노미터 이하의 CMOS 공정 기술 노드에 사용된다. 구형 CMOS 기술 및 비-MOS 기술은 일반적으로 LOCOS 기반의 절연을 사용한다.Quirk, Michael & Julian Serda (2001). Semiconductor Manufacturing Technology: Instructor's Manual , p. 25.

STI는 트랜지스터가 형성되기 전, 반도체 제조 공정의 초기에 생성된다. STI 공정의 주요 단계는 실리콘에 트렌치 패턴을 에칭하고, 하나 이상의 유전체 재료(예: 이산화 규소)를 증착하여 트렌치를 채운 다음, 화학기계적 연마와 같은 기술을 사용하여 과도한 유전체를 제거하는 것을 포함한다.

특정 반도체 제조 기술에는 딥 트렌치 절연도 포함되는데, 이는 종종 아날로그 집적 회로에서 발견되는 관련 기능이다.

트렌치 모서리의 효과는 최근 "역 좁은 채널 효과" 또는 "역 좁은 폭 효과"A. Chatterjee et al., IEDM 1996.(conference announcement) 라고 불리는 현상을 발생시켰다. 기본적으로 모서리에서 전기장 강화로 인해 더 낮은 전압에서 (반전으로) 전도 채널을 형성하기가 더 쉬워진다. 더 좁은 트랜지스터 너비에 대해 문턱 전압이 효과적으로 감소한다. 전자 장치에 대한 주요 우려는 문턱 전압 감소 후 실질적으로 더 커지는 결과적인 서브스레시홀드 누설 전류이다.

 공정 흐름 
스택 증착 (산화물 + 보호 질화물)
 리소그래피 프린트
건식 에칭 (반응성 이온 에칭)
산화물로 트렌치 채우기
산화물의 화학기계적 연마
보호 질화물 제거
Si에 대한 산화물 높이 조정

 같이 보기 
 FEOL

 각주 

 외부 링크 
 Clarycon: Shallow trench isolation
 N and K Technologies: Shallow trench isolation
 Dow Corning: Spin on Dielectrics - Spin-on Shallow Trench Isolation

분류:반도체 제조
분류:반도체 구조