LVCMOS

LVCMOS(저전압 상보성 금속 산화물 반도체, Low voltage complementary metal oxide semiconductor)는 CMOS 기술 디지털 집적 회로의 저전압 등급이다.

 개요 
더 나은 성능과 더 낮은 비용을 얻기 위해 반도체 제조업체는 집적 회로의 장치 기하학을 줄인다. 각 감소와 함께 관련된 작동 전압도 트랜지스터의 동일한 기본 작동 특성을 유지하기 위해 감소해야 한다. 반도체 기술이 발전함에 따라, 5 볼트보다 낮은 디지털 논리 수준에 대한 LVCMOS 전원 전압 및 감소 전압에 대한 인터페이스 표준이 합동 전자장치 엔지니어링 평의회에 의해 정의되었다.

 논리볼트  허용 오차볼트  허용 오차퍼센트  참조및 노트 5.0 V  +/-0.5 V  +/-10.0%  TTL 논리, LVCMOS 아님 3.3 V  +/-0.3 V  +/-9.09%  JESD8C.01 2.5 V  +/-0.2 V  +/-8.00%  JESD8-5A.01 JESD80 1.8 V  +/-0.15 V  +/-8.33%  JESD8-7A JESD76 1.5 V  +/-0.1 V  +/-8.33%  JESD8-11A.01 JESD76-3 1.2 V  +/-0.1 V  +/-8.33%  JESD8-12A.01 JESD76-2 1.0 V  +/-0.1 V  +/-8.33%  JESD8-14A.01 0.9 V  +/-0.045 V  +/-5.00%  0.8 V  +/-0.04 V  +/-5.00%  0.7 V  +/-0.05 V  +/-7.14% 

 각주 

분류:논리 계열