메모리 모듈

컴퓨팅에서 메모리 모듈(memory module) 또는 RAM 스틱은 메모리 집적 회로가 실장된 인쇄 회로 기판이다.Bruce Jacob, Spencer W. Ng, David T. Wang (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 417–418.

메모리 모듈은 전자 시스템, 특히 개인용 컴퓨터, 워크스테이션, 서버와 같은 컴퓨터에서 간편한 설치 및 교체를 가능하게 한다. 초기 메모리 모듈은 특정 제조사의 특정 컴퓨터 모델에만 적용되는 독자적인 설계였다. 이후 메모리 모듈은 JEDEC과 같은 단체에 의해 표준화되었으며, 해당 표준을 사용하도록 설계된 모든 시스템에서 사용할 수 있게 되었다.

컴퓨터 메모리 모듈을 구분하는 특성으로는 전압, 용량, 속도(즉, 비트레이트), 폼 팩터 등이 있다.

 개요 
메모리 모듈의 유형은 다음과 같다.
 트랜스플래시 메모리 모듈
 SIMM, 단일 직렬 메모리 모듈
 DIMM, 이중 직렬 메모리 모듈
 램버스 메모리 모듈은 DIMM의 하위 집합이지만, 보통 RIMM으로 불린다.
 SO-DIMM, 소형 DIMM으로 노트북에서 사용되는 DIMM의 축소판이다.
 CAMM(Compression Attached Memory Module), SO-DIMM보다 얇다.

개인용 컴퓨터, 워크스테이션, 비휴대용 게임기에서 볼 수 있는 대용량 메모리는 보통 동적 램(DRAM)으로 구성된다. 캐시 메모리와 같은 컴퓨터의 다른 부분은 보통 정적 램(SRAM)을 사용한다. 소량의 SRAM이 DRAM과 동일한 패키지에 사용되기도 한다. 그러나 SRAM은 누설 전력이 높고 밀도가 낮기 때문에, 최근에는 멀티 메가바이트 크기의 프로세서 캐시를 설계하기 위해 다이 적층형 DRAM이 사용되고 있다.S. Mittal et al.,  "A Survey Of Techniques for Architecting DRAM Caches", IEEE TPDS, 2015

물리적으로 대부분의 DRAM은 검은색 에폭시 수지로 패키징된다.

 일반적인 DRAM 형식 
섬네일|초기 PC 메모리 카드(보통 ISA 버스)에 장착된  Kibit 20핀 DIP DRAM
섬네일|일반적인 DRAM 패키지. 위에서 아래로: DIP, SIPP, SIMM(30핀), SIMM(72핀), DIMM(168핀), DDR DIMM(184핀).
섬네일|16 GiB DDR4-2666 288핀 1.2 V UDIMM
동적 램은 제어 신호 및 버스와의 연결을 위해 금속 핀이 달린 플라스틱 패키지에 본딩 및 실장된 집적 회로(IC)로 생산된다. 초기에는 개별 DRAM IC를 보통 메인보드에 직접 설치하거나 ISA 버스 확장 카드에 설치했으나, 나중에는 여러 칩을 결합한 플러그인 모듈(DIMM, SIMM 등)로 조립되었다. 일부 표준 모듈 유형은 다음과 같다.
 DRAM 칩 (집적 회로 또는 IC)
 이중 직렬 패키지(DIP/DIL)
 지그재그 직렬 패키지(ZIP)
 DRAM (메모리) 모듈
 단일 직렬 핀 패키지(SIPP)
 단일 직렬 메모리 모듈(SIMM)
 이중 직렬 메모리 모듈(DIMM)
 램버스 직렬 메모리 모듈(RIMM), 기술적으로는 DIMM이지만 독자적인 슬롯 때문에 RIMM으로 불린다.
 소형 DIMM(SO-DIMM), 일반 DIMM 크기의 약 절반으로 주로 노트북, 소형 PC(미니 ITX 메인보드 등), 업그레이드 가능한 사무용 프린터 및 라우터와 같은 네트워킹 하드웨어에 사용된다.
 소형 RIMM (SO-RIMM). RIMM의 소형 버전으로 노트북에서 사용된다. 기술적으로는 SO-DIMM이지만 독자적인 슬롯 때문에 SO-RIMM으로 불린다.
 CAMM (Compression Attached Memory Module, CAMM), 델에서 개발한 표준으로, 일반적인 에지 커넥터 대신 랜드 그리드 배열을 사용한다.
 적층형 vs 비적층형 RAM 모듈
 적층형 RAM 모듈은 두 개 이상의 RAM 칩을 서로 위에 쌓아 올린 형태이다. 이를 통해 저렴한 저밀도 웨이퍼를 사용하여 대용량 모듈을 제조할 수 있다. 적층형 칩 모듈은 비적층형 모듈보다 전력을 더 많이 소비하고 더 뜨거워지는 경향이 있다. 적층형 모듈은 구형 TSOP 또는 신형 BGA 방식의 IC 칩을 사용하여 패키징할 수 있다. 실리콘 다이는 구형 와이어 본딩 또는 신형 TSV로 연결된다.
 TSV와 훨씬 넓은 인터페이스를 갖춘 여러 적층형 RAM 접근 방식이 제안되었으며, 여기에는 Wide I/O, Wide I/O 2, Hybrid Memory Cube, 고대역 메모리 등이 포함된다.

 일반적인 DRAM 모듈 
오른쪽 그림에 설명된 일반적인 DRAM 패키지는 위에서 아래로 다음과 같으며(마지막 세 가지 유형은 그룹 사진에 없으며, 마지막 유형은 별도의 사진으로 확인 가능), 대략적인 연대순 목록이다.
 DIP 16핀 (DRAM 칩, 보통 패스트 페이지 모드 DRAM(FPRAM) 이전)
 SIPP 30핀 (보통 FPRAM)
 SIMM 30핀 (보통 FPRAM)
 SIMM 72핀 (종종 확장 데이터 출력 DRAM(EDO DRAM)이지만 FPRAM인 경우도 흔함)
 DIMM 168핀 (대부분 SDRAM이지만 일부는 확장 데이터 출력 DRAM(EDO DRAM)임)
 DIMM 184핀 (DDR SDRAM)
 RIMM 184핀 (RDRAM)
 DIMM 240핀 (DDR2 SDRAM 및 DDR3 SDRAM)
 DIMM 288핀 (DDR4 SDRAM 및 DDR5 SDRAM)

일반적인 SO-DIMM DRAM 모듈:
 72핀 (32비트)
 144핀 (64비트), SO-DIMM SDRAM에 사용
 200핀 (72비트), SO-DIMM DDR SDRAM 및 SO-DIMM DDR2 SDRAM에 사용
 204핀 (64비트), SO-DIMM DDR3 SDRAM에 사용
 260핀, SO-DIMM DDR4 SDRAM에 사용
 262핀, SO-DIMM DDR5 SDRAM에 사용

 각주 

분류:컴퓨터 메모리