핫 캐리어 주입

핫 캐리어 주입(Hot-carrier injection, HCI)은 전자 또는 양공이 인터페이스 상태를 깨는 데 필요한 잠재적 장벽을 극복하기 위해 충분한 운동 에너지를 얻는 고체 전자 소자의 현상이다. "핫"(hot)이라는 용어는 소자의 전체 온도가 아니라 캐리어 밀도를 모델링하는 데 사용되는 유효 온도를 나타낸다. 전하 입자가 MOS 트랜지스터의 게이트 유전체에 갇힐 수 있으므로 트랜지스터의 스위칭 특성이 영구적으로 변경될 수 있다. 핫 캐리어 주입은 고체 소자의 반도체 신뢰성에 악영향을 미치는 메커니즘 중 하나이다.

 같이 보기 
 일렉트로마이그레이션

 외부 링크 
 An article about hot carriers at www.siliconfareast.com
 IEEE International Reliability Physics Symposium, the primary academic and technical conference for semiconductor reliability involving HCI and other reliability phenomena

분류:집적 회로
분류:반도체
분류:전하 운반자