GDDR6 SDRAM

GDDR6(graphics double data rate type six synchronous dynamic random-access memory)은 높은 대역폭을 가진 "더블 데이터 레이트" 인터페이스를 갖춘 동기식 그래픽 랜덤 액세스 메모리(SGRAM)의 한 종류로, 그래픽 카드, 비디오 게임 콘솔, 고성능 컴퓨팅 분야에서 사용하기 위해 설계되었다. GDDR SDRAM(그래픽 DDR SDRAM)의 일종이며, GDDR5의 후속작이다. GDDR5X와 마찬가지로 쓰기 명령 클럭(WCK)과 관련하여 QDR(quad data rate)을 사용하고, 명령 클럭(CK)과 관련하여 ODR(Octal Data Rate)을 사용한다.

 개요 
최종 사양은 2017년 7월 JEDEC에 의해 발표되었다. GDDR6는 핀당 대역폭이 증가(최대 16 Gbit/s)하였고 작동 전압은 낮아져(1.35 V), GDDR5X와 비교하여 성능이 향상되고 전력 소모가 줄어들었다.

 상용화 
Hot Chips 2016에서 삼성은 GDDR5X의 후속으로 GDDR6를 발표했다. 이후 삼성은 첫 제품이 16 Gbit/s, 1.35 V 칩이 될 것이라고 발표했다. 2018년 1월, 삼성은 10 nm급 공정에서 제조되고 핀당 데이터 전송 속도가 최대 18Gbit/s에 달하는 16Gb (2GB) GDDR6 칩의 양산을 시작했다.

2017년 2월, 마이크론 테크놀로지는 2018년 초까지 자체 GDDR6 제품을 출시할 것이라고 발표했다. 마이크론은 2018년 6월에 8Gb 칩의 양산을 시작했다.

SK하이닉스는 2018년 초에 GDDR6 제품을 출시할 것이라고 발표했다. SK하이닉스는 2017년 4월 자사의 GDDR6 칩이 21 nm 공정에서 생산되며 GDDR5보다 전압이 10% 낮을 것이라고 발표했다. SK하이닉스 칩은 1416 Gbit/s의 전송 속도를 가질 것으로 예상되었다. SK하이닉스의 GDDR6 RAM을 사용하는 첫 그래픽 카드는 384비트 메모리 버스와 12 GB RAM을 사용하여 768 GB/s의 대역폭을 낼 것으로 기대되었다. SK하이닉스는 2018년 2월에 핀당 14Gbit/s의 데이터 속도를 갖는 8Gbit 칩의 양산을 시작했다.

엔비디아는 2018년 8월 20일, GDDR6를 사용하는 첫 소비자용 그래픽 카드인 튜링 기반 지포스 RTX 2080 Ti, RTX 2080 및 RTX 2070을 공식 발표했으며, 2019년 1월 6일에는 RTX 2060을, 2019년 2월 22일에는 GTX 1660 Ti를 발표했다. 삼성전자의 GDDR6 메모리는 튜링 기반 쿼드로 RTX 시리즈에도 사용된다. RTX 20 시리즈는 처음에 마이크론 메모리 칩으로 출시되었으나, 2018년 11월까지 삼성 칩으로 교체되었다.

AMD는 2019년 June 10일 라데온 RX 5700, 5700 XT, 5700 XT 50주년 기념판을 공식 발표했다. 이 Navi 10 GPU들은 8GB의 GDDR6 메모리를 활용한다.

 GDDR6X 
섬네일|GDDR6X RAM을 탑재한 지포스 RTX 3090 커스텀 에디션
마이크론은 엔비디아와 긴밀히 협력하여 GDDR6X를 개발했다. GDDR6X SGRAM은 아직 JEDEC에 의해 표준화되지 않았다. 엔비디아는 마이크론의 유일한 GDDR6X 출시 파트너이다. GDDR6X는 PAM4 신호 방식을 통해 핀당 19–21 Gbit/s 사이의 향상된 대역폭을 제공하며, 심볼당 2비트를 전송할 수 있게 함으로써 심볼당 1비트만 제공하여 GDDR6의 핀당 대역폭을 16 Gbit/s로 제한했던 이전의 NRZ(PAM2) 코딩을 대체한다. GDDR6X를 사용하는 첫 그래픽 카드는 엔비디아 지포스 RTX 3080 및 3090 그래픽 카드이다. PAM4 신호 방식은 새로운 것은 아니지만, 칩 내에서 더 많은 공간을 요구하고 신호 대 잡음비(SNR) 문제에 더 취약하기 때문에 구현 비용이 더 많이 들어, 주로 고속 네트워킹(예: 200G 이더넷)으로 사용이 제한되어 왔다. GDDR6X는 전송된 비트당 GDDR6보다 전력을 15% 적게 소비하지만, GDDR6X가 GDDR6보다 빠르기 때문에 전체 전력 소비는 더 높다. 평균적으로 PAM4는 차동 신호 방식보다 전력을 적게 소모하고 핀을 적게 사용하면서도 NRZ보다 빠르다. GDDR6X는 고대역 메모리보다 저렴한 것으로 생각된다.

 GDDR6W 
삼성전자는 2022년 11월 29일에 GDDR6W의 개발을 발표했다.GDDR6 대비 개선 사항은 다음과 같다:
핀당 22 Gb/s의 더 높은 전송 속도
패키지당 용량을 16 Gb에서 32 Gb로 두 배 증대
I/O 핀을 32개에서 64개로 두 배 증대
FOWLP(Fan-Out Wafer-Level Packaging)를 사용하여 두께를 36% 감소 (1.1 mm에서 0.7 mm로)

 같이 보기 
 장치 대역폭 목록

 각주 

분류:SDRAM