10 µm 공정

10 µm 공정(마이크로미터 공정)은 RCA와 인텔 같은 회사들에 의해 1971년경에 상업적으로 도달한 MOSFET 반도체 공정 기술 수준이다.

10 µm 공정은 신뢰성 있게 생산될 수 있는 최소 크기를 나타낸다. 즉, 두 개의 1-금속 레인 간의 중심 간 거리인 하프 피치와 트랜지스터의 게이트 길이가 그것이며, 이 두 값은 초기 노드에서 동일했다. 이 공정으로 제작된 칩의 가장 작은 트랜지스터 및 기타 회로 요소는 폭이 약 10 마이크로미터였다.

10 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
 RCA의 CD4000 시리즈 집적 회로는 1968년 20μm 공정으로 시작하여 점차 축소되어 몇 년 후 10μm에 도달했다.
 1970년에 출시된 초기 동적 램 (DRAM) 칩인 인텔 1103은 8μm 공정을 사용했다.
 1971년에 출시된 인텔 4004 CPU는 10μm 공정으로 제조되었다.
 1972년에 출시된 인텔 8008 CPU는 이 공정으로 제조되었다.

 각주 

 외부 링크 
 마이크로프로세서 개발의 간략한 타임라인

분류:1971년 도입
분류:국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드