1 µm 공정

1 µm 공정(1 마이크로미터 공정)은 1984년~1986년경 NTT, NEC, 인텔, IBM과 같은 회사들이 상용화한 MOSFET 반도체 제조 기술 수준이다. NMOS와 달리 CMOS가 보편화된 최초의 공정이다.

1 µm 공정은 안정적으로 생산할 수 있는 최소 크기를 나타낸다. 이 공정으로 제작된 칩의 가장 작은 트랜지스터 및 기타 회로 요소는 약 1마이크로미터 너비였다.

1µm NMOS 채널 길이를 가진 최초의 MOSFET은 1974년 IBM T.J. 왓슨 연구 센터에서 로버트 H. 데나드, 화-니엔 유(Hwa-Nien Yu), F.H. 갠즐런(F.H. Gaensslen)이 이끄는 연구팀에 의해 제작되었다.

1.0 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
 NTT는 1979년 64k, 1980년 256k DRAM 메모리 칩에 1µm 공정을 도입했다.
 NEC의 1메비비트 DRAM 메모리 칩은 1984년에 1µm 공정으로 제조되었다.
 1985년에 출시된 인텔 80386 CPU는 이 공정을 사용하여 제조되었다.
 인텔은 CHMOS III-E 기술에 이 공정을 사용한다.Intel Corporation, "New Product Focus: Components: Two-and Four-Megabit EPROMs are High-Density Performers", Microcomputer Solutions, September/October 1989, page 14
 인텔은 CHMOS IV 기술에 이 공정을 사용한다.Intel Corporation, "New Product Focus: Components: New ASSP Suits Mobile Applications", Microcomputer Solutions, September/October 1990, page 11

 각주 

 외부 링크 
 마이크로프로세서 개발의 간략한 타임라인

분류:국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드