800 nm 공정

800 nm 공정 (800 나노미터 공정)은 1987년에서 1990년 사이에 인텔, ATI 테크놀로지스, IBM과 같은 회사들이 도달한 반도체 제조 공정 기술 수준이다.

800 nm 공정은 안정적으로 생산할 수 있는 최소 크기를 의미한다. 이 공정으로 만들어진 칩의 가장 작은 트랜지스터 및 기타 회로 요소는 약 800 나노미터 너비였다.

800 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
 1991년에 출시된 50MHz i486DX CPU는 이 공정을 사용하여 제조되었다.Chen, Allan, "The 50-MHz Intel486 Microprocessor", Intel Corporation, Microcomputer Solutions, September/October 1991, page 2
 25/50 및 33/66 MHz Intel486 DX2 CPU는 모두 이 공정을 사용했다.Intel Corporation, "Coming Attractions: Clock-Doubling Technology", Microcomputer Solutions, January/February 1992, page 6
 Intel486 SX2의 초기 버전은 이 공정을 사용했다.Intel Corporation, "Coming Attractions: Clock-Doubling Technology", Microcomputer Solutions, January/February 1992, page 6
 인텔은 이 ETOX-III (EPROM Tunnel Oxide) 공정 기술을 플래시 메모리 모듈에 사용한다.Intel Corporation, "New Product Focus: OEM: Intel Extends Boot Block Flash Memory Line to Two- Four-Mbits", Microcomputer Solutions, September/October 1992, page 16
 3.3볼트 25 MHz 버전의 Intel486 SL은 이 3층 CHMOS V 공정을 사용한다.Chen, Allan, "On the Air and on the Road", Intel Corporation, Microcomputer Solutions, January/February 1993. page 2
 1992년에 출시된 microSPARC I
 1993년에 출시된 60 MHz 및 66 MHz의 첫 인텔 P5 펜티엄 CPU는 BiCMOS 기술 공정을 사용했다.Hodson, Gerri, "Anatomy of Intel's Pentium Processor", Intel Corporation, Solutions, May/June 1993, Page 9

 각주 

분류:국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드