EEPROM

섬네일
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, E2PROM, )는 비휘발성 메모리(NVM)의 하나이다.

 역사 
Hughes Aircraft의 엘리 하라이(Eli Harari)는 1977년 얇은 부동 게이트를 통한 파울러 노드하임 터널링을 이용하여 EEPROM을 발명했다.http://www.freepatentsonline.com/4115914.pdf 그는 그 뒤 최초의 EEPROM 장치 개발에 착수하였고, 1983년 인텔의 George Perlegos가 인텔 2816이라는 제품을 처음 개발하였다.

 개요 
UVEPROM이 자외선을 쏘며 내용을 지우는 반면 EEPROM은 전기적으로만 지울 수 있는 PROM으로 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해줌으로써 내부 데이터가 지워지게 되어 있는 롬이다. 데이터를 삭제하기 위한 전용 이레이저가 따로 필요하지 않으며 하나의 롬 라이터를 사용해서 쓰고 지울 수 있다. 그러나 EEPROM은 전기를 노출시킴으로써 한 번에 1 바이트씩만 지울 수 있기 때문에 플래시 메모리와 비교하면 매우 느리며 반복 기록 횟수에 제한이 있는데 약 10만 번 정도이다.

EEPROM은 인터페이스에 따라 직렬 버스와 병렬 버스로 나뉜다.
 직렬 버스
 보통 SPI나 I²C, 1-Wire 인터페이스로 8핀 패키지로 구성된다.
 동작에 OP-Code, 주소, 데이터의 3 단계가 필요하다.
 병렬 버스
 보통 8비트 데이터 버스로 칩 셀렉트와 쓰기 방지 핀을 가지고 있다.
 단순하고 빠르게 작동되지만 크기가 크고 핀 수(32개 이상)가 많다.

EEPROM은 모뎀이나 비디오 카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 사용된다. 모뎀의 경우에는 내부에 사용자가 AT명령을 통해서 설정한 상태가 전원을 껐다 켠 후에도 그대로 유지되는데. 이것은 EEPROM에서 그 상태를 저장해 놓기 때문이다. 대부분의 비디오카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 EEPROM을 사용해 점퍼없이 설정상태를 저장한다.

 같이 보기 
 애벌랜치 항복
 EPROM
 플래시 메모리
 인텔 HEX
 소자 프로그래머
 터널 효과
 SREC

 각주 

 외부 링크 


분류:기억 장치
분류:비휘발성 메모리