질화물 반도체

질화물 반도체(窒化物半導體)란, III-V족 반도체이며, V족 원소로 질소를 이용한 반도체이다. 질화 알루미늄(AIN), 질화 갈륨(GaN), 질화 인듐(InN)이 대표적이다. 질화 알루미늄은 절연체이지만, 같은 계열로 논의된다.

기존의 반도체에 비해 띠틈이 큰 와이드갭 반도체이며, 또한 갈륨, 인듐, 알루미늄의 농도를 변화시켜서, 띠틈을 크게 변화시킬 수 있다. 그렇기 때문에 가시광선 영역의 거의 대부분을 커버할 수 있어 발광재료로 유망시되고 있다.

그 외에도, 화학적으로 안정한 것, 물리적으로 단단한 것, 비소의 유독물질이 사용되지 않아서 환경적인 것 등 여러 특징을 가진다.

역사
1990년대, 니치아 화학의 나카무라 슈우지에 의하여 GaN을 이용한 파란색 발광 다이오드가 제작되어, 질화물 품이라고 말해지는 사태가 발생되었다.

2004년에, 질화물 반도체는 매우 활발하게 연구되고 있어, 일본응용물리학회, 한국물리학회에서 질화물 반도체의 세션은 다른부분에 비해서 큰 비중을 차지한다.

 같이 보기 
 아카사키 이사무()

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