Планарлы-эпитаксиалдық транзистор

Планарлы-эпитаксиалдық транзистор  — бір немесе бірнеше аймақтары эпитаксия
арқылы жасалған планарлық транзистор. Биполярлық Планарлы-эпитаксиалдық транзистор жасау
үшін ШӨ пластинада (мысалы, р-типті өткізгіштігі бар кремнийден)
кірмелер диффузиясы арқылы коллектордың кедергісі аз (n+-типті)
аймақты қалыптастыру керек. Базалық (р-типті) және эмиттерлік
(n+-типті) аймақтарды қалыңдығы
7—10 мкм эпитаксиаль қабатта
(n+-типті) кірмелер диффузиясы арқылы алады. Оны бастапқы ШӨ пластина үстінде өсіреді. Өрістік Планарлы-эпитаксиалдық транзисторды жасау үшін ШӨ пластина
(p-типті өткізгіштігі бар және үлестік
кедергісі ~106 - 108 Ом • см) үстінде
эпитаксиалдық өсіру арқылы қалыңдығы жуықпен 0,1—0,5 мкм және
электрондар конңентрациясы
5 • 1016 - 3 • 1017 см3 болатын канал
(n+-типті) жасайды.

Планарлы-эпитаксиалдық транзистордың жаппасын жаңа эпитаксиалдық қабатты
жалған өсірумен немесе кірмелер
диффузиясымен қалыптастырады.
Құйма және бастау эпитаксиаль
қабаты бар омдық түйіспелер болып
табылады.Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007
ISBN 9965-36-448-6

Дереккөздер

Санат:Электроника