Ганн диоды

Ганн диоды  -
біртекті шалаөткізгіш кристалыына
күшті тұрақты электр орісін (шамамен бірнеше кВ/см) қосқанда пайда
болатын теріс дифференциалдық
кедергісі бар екі электродты (p-n өткелі жоқ) шалаөткізгіш аспап; іс-әрекеті Ганн эффектісіне негізделген. 1—100 ГГц жиіліктер диапазонда
АЖЖ тербелістерін қоздыру және
күшейтуге арналған. Ганн диоды шалаөткізгіш материалдың, әдетте, галлий арсенидінің миниатюрлы моншағы (ұзындығы 0,1мм) немесе p-n өткелі
жоқ эпитаксиал үлдірі болып табылады,
оның екі шықпасы (электроды) бар.
Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007
ISBN 9965-36-448-6

Дереккөздер

Санат:Электроника