電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ

電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ（でんしちゅうにゅうそくしんがたぜつえんゲートトランジスタ、、IEGT）は半導体素子のひとつで、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造を改良したパワーデバイスである。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/igbts-iegts/iegt-ppi.html

脚注

 関連項目 
 ゲートターンオフサイリスタ (Gate Turn Off Thyristor, GTO)
 サイラトロン
 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

外部リンク
IEGT (PPI)｜東芝デバイス&ストレージ株式会社

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Category:パワーエレクトロニクス