ナローギャップ半導体

ナローギャップ半導体（ナローギャップはんどうたい）とは、バンドギャップがケイ素に比べて比較的小さい（室温で1.11eVより小さい）半導体のこと。赤外線検出器や熱電変換素子などに用いられる。

 ナローギャップ半導体の一覧 
+名前化学式グループバンドギャップ(300K)テルル化カドミウム水銀Hg1-xCdxTeII-VI0 から 1.5eVテルル化亜鉛水銀Hg1-xZnxTeII-VI -0.15 から 2.25 eVセレン化鉛PbSeIV-VI0.27 eV硫化鉛(II)PbSIV-VI0.37 eVテルル化鉛PbTeIV-VI0.32 eVヒ化インジウムInAsIII-V0.354 eVアンチモン化インジウムInSbIII-V0.17 eVアンチモン化ガリウムGaSbIII-V0.67 eVヒ化カドミウムCd3As2II-V0.5 から 0.6 eVテルル化ビスマスBi2Te30.21 eVテルル化スズSnTeIV-VI0.18 eVセレン化スズSnSeIV-VI0.18 eVセレン化銀(I)Ag2Se0.07 eVケイ化マグネシウムMg2SiII-IV0.73 eVNelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.

 脚注 

 関連項目 

 半導体材料一覧
 ワイドバンドギャップ半導体

 参考資料 

  Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.

 Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics 98,  (print)  (online)
 Nimtz, G. (1980), Recombination in Narrow-Gap Semiconductors, Physics Reports, 63, 265-300

Category:半導体材料