サイモン・ジィー

サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 - 2023年11月6日）は、中国系アメリカ人の電気工学者。国立陽明交通大学終身教授、国立台湾科技大学名誉教授。1967年にダウォン・カーンとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。

来歴
中国の南京市で生まれ台湾で育った。1957年に国立台湾大学を卒業し、1960年にワシントン大学で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学で博士号を取得した。1990年までベル研究所で働き、その後台湾に戻り国立交通大学の教員となった。

2023年11月6日に死去。87歳没。

業績
現在不揮発性半導体メモリデバイスに広く使用されている浮遊ゲートMOSFETを1967年に発見したこと（ダウォン・カーンとともに）を含む半導体物理学及びテクノロジーにおける研究で知られるD. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.。半導体の分野で最も引用される教科書の1つである『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』(Physics of Semiconductor Devices)を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりJ J Ebers Awardを受賞した<ref>[http://www.ieee.org/portal/pages/society/eds/awards/ebers.html Electron Devices Society J.J. Ebers Award], web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.</ref>。

 受賞歴 
1977年 - IEEE Fellow
1991年 - J. J. エバース賞
1994年 - 中央研究院院士
1995年 - 全米技術アカデミー会員
1998年 - 中国工程院外国人会員
2017年 - IEEE セレブレーションメンバー
2021年 - 未来科学大賞Dr. Simon Min Sze wins the Future Science Prize

著書
 Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ; 2nd ed., 1981, ; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, .
 Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze.  Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; .
 Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze.  New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ; 3rd ed., 2012, .

 VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ; 2nd ed., 1988, .
 Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze.  New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, .

出典

Category:アメリカ合衆国の工学者
Category:国立台湾大学出身の人物
Category:ベル研究所の人物
Category:全米技術アカデミー会員
Category:IEEEフェロー
Category:中国の発明家
Category:南京出身の人物
Category:ワシントン大学出身の人物
Category:スタンフォード大学出身の人物
Category:国立交通大学の教員
Category:中国工程院の院士
Category:1936年生
Category:2023年没