静電誘導サイリスタ

静電誘導サイリスタ（せいでんゆうどうサイリスタ、）とは、高周波特性を改善した電力用半導体素子である。

 概要 
東北大学の西澤潤一によって開発された。
高周波で低損失でON-OFFが可能で増幅作用はない。その特性上、電動機の可変電圧可変周波数制御や周波数変換などに使用される。

 構造 
トリガ電圧が低く、ターンオフが速やかで自己制御型のGTOのようなON-OFF素子で東洋電機によって1988年に発売された。静電誘導素子の一種で高出力、高周波数の電力用半導体素子である。実質的にはp+の電極状のゲート構造を備えたp+nn+ダイオードである。素子の構造はアノード側に付加されたp+層以外は概ね静電誘導トランジスタと同じ。

通常は導通状態でOFFにするためには負の電圧を付加する必要がある。静電誘導サイリスタの導通状態はPINダイオードの挙動に似る。

 関連項目 
 静電誘導トランジスタ
 チョッパ制御
 半導体リレー

 特許 









 脚注 

 外部リンク 
 静電誘導型半導体デバイスの製造方法

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