林厳雄

林 厳雄（はやし いづお、1922年5月1日 - 2005年9月26日）は、日本の物理学者。東京府生まれ。半導体レーザーの実現に功績があった。

 経歴 
東京大学理学部物理学科卒業。

東京大学原子核研究所助教授を経て、1963年に渡米。マサチューセッツ工科大学に滞在後、1964年から1971年までベル研究所研究員で勤務して1970年には室温での半導体レーザーの連続発振に成功した。1971年に帰国、日本電気中央研究所などで研究した。1976年IEEEフェロー選出。2001年にはベル研究所時代の同僚であるモートン・パニッシュとソビエトでレーザーの連続発振に成功したジョレス・アルフョーロフと共に京都賞先端技術部門を受賞した。

京都賞の賞金をもとに応用物理学会の光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）が設けられた。

 受賞歴 
 1961年 藤原賞
 1974年 市村産業賞奨励賞　長寿命半導体レーザーの開発に対して
 1984年 IEEEJ. J. エバース賞、ヴェルカー賞
 1986年 朝日賞
 1988年 IEEEデービッド・サーノフ賞
 1993年 Marconi Fellowship賞
 2001年 京都賞先端技術部門

 論文 
 Hayashi, I., M. Panish, and P. Foy. "A low-threshold room-temperature injection laser." IEEE Journal of Quantum Electronics 5.4 (1969): 211-212.
 Hayashi, I., et al. "Junction lasers which operate continuously at room temperature." Applied Physics Letters 17.3 (1970): 109-111.
 Panish, M. B., I. Hayashi, and S. Sumski. "DOUBLE‐HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS WITH ROOM‐TEMPERATURE THRESHOLDS AS LOW AS 2300 A/cm2." Applied Physics Letters 16.8 (1970): 326-327.
 Panish, M. B., S. Sumski, and I. Hayashi. "Preparation of multilayer LPE heterostructures with crystalline solid solutions of Al x Ga 1− x As: Heterostructure lasers." Metallurgical Transactions 2.3 (1971): 795-801.
 Hayashi, I., M. B. Panish, and F. K. Reinhart. "GaAs–Al x Ga1− x As Double Heterostructure Injection Lasers." Journal of Applied Physics 42.5 (1971): 1929-1941.

 特許 







 脚注 

Category:日本の物理学者
Category:日本のレーザー研究者
Category:朝日賞受賞者
Category:京都賞先端技術部門受賞者
Category:藤原科学財団の藤原賞の受賞者
Category:C&C賞の受賞者
Category:東京大学の教員
Category:IEEEフェロー
Category:高エネルギー加速器研究機構の人物
Category:ベル研究所の人物
Category:東京大学出身の人物
Category:東京都出身の人物
Category:1922年生
Category:2005年没